⑴ sram存儲器的特點是什麼
關於SRAM存儲容量及基本特點。
半導體隨機存儲器晶元內集成有記憶功能的存儲矩陣，解碼驅動電路和讀/寫電路等等。
下面介紹幾個重要的概念：
讀寫電路：包括讀出放大器和寫入電路，用來完成讀/寫操作。
地址線：單向輸入，其位數與晶元的容量有關
片選線：確定哪個晶元被選中（用來選擇晶元）
數據線：雙向輸入，其位數與晶元可讀出或者寫入的位數有關，也與晶元容量有關。
存儲容量
通常我們將存儲容量表示為：字數X位數，比如64KX8位，其含義為，以8位構成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，後面理解題目很有用。
⑵ 微機原理: 用8K*8的SRAM晶元組成64K*8的存儲器，共需SRAM晶元( )片，每片SRA
微機原理: 用8K*8的SRAM晶元組成64K*8的存儲器，共需SRAM晶元( 8 )片，每片SRA
如果用容量為1K×4的存儲晶元構成存儲器，共需要128片晶元，其中片內地址10位，晶元地址6位。
如果用容量為2K×8的存儲晶元構成存儲器，共需要32片晶元，其中片內地址11位，晶元地址5位。
如果用容量為8K×8的存儲晶元構成存儲器，共需要8片晶元，其中片內地址13位，晶元地址3位。
如果按位元組編址,一個位元組有8位二進制位組成,又因為CPU的輸出地址碼為20位 也就是它的地址匯流排寬度(位數)是20條,所以CPU可以支持的定址范圍為1MB.也就是可以支持2^20*8個bit。
1:存儲器的總容量可達到1MB.
2:因為由上述可以知道存儲器為1M*8bit
所以有(1024/2)*(8/4)=1024片SRAM組成該存儲器.
也就是先有2片1M*2bit的SRAM位擴展組成1M*8bit的SRAM.然後512片SRAM字擴展組成1M*2bit的存儲器.
3.因為此SRAM片子有9位地址來選片(因為有512片SRAM字擴展組成1M*2bit的SRAM).一般均採用高位地址進行選片所以為A11---A20， 因為組成元素為2K*4(位)的SRAM片子所以片內地址應該是11位，也就是A0---A10。這樣全部的地址線就全部用上。
注意：這里還可以說明CPU的外部數據線也就是連內存的數據線的位數為8位，即8根數據線。 就是因為該內存用位元組編址。
⑶ 速度最快的存儲晶元CMOS RAMSRAM
rom屬於非易失性存儲器，讀操作速度和ram查不多，具體要看它的時序，不可寫，只能燒；ram屬於易失性的，可讀可寫，寫速度取決於匯流排頻率和寫周期長短，寫操作比rom的燒寫周期短，速度肯定快於rom的燒寫操作；而ram分為靜態（sram）和動態（dram），由於工藝不同，sram訪問時間固定，而dram訪問時間不固定，讀寫速度沒有可比性；CMOS ram只是一種製作工藝，還有一種工藝是基於flash的，也就是非易失的，前面說過了，基於COMS的寫周期要短一些。
⑷ 有一個4K×8位的存儲器,由1K×8位的SRAM晶元構成,問: (1)1K×8位的SRAM晶元有
1K×8指的是它有1K的地址空間，需10根地址線，8是它的數據線是8 位，現擴展後是4K×8，數據線寬度不變，晶元就 要變成4個，每個晶元的10根地址線44並聯。另外需要4根（線選法）或2根（解碼法）地址線來控制這4個晶元的片選，防止4個晶元相互干擾。
⑸ SRAM晶元是什麼
1、SRAM晶元是一種置於CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：
一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory ）；
另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS晶元1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128位元組SRAM，存儲我們所設置的配置數據。
2、還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。
3、最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。
4、SRAM顯然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。
⑹ 內存條上的晶元一般選用 DRAM 而不採用 SRAM，是什麼原因呢
SRAM：讀寫速度快，生產成本高，多用於容量較小的高速緩沖存儲器。
DRAM：讀寫速度較慢，集成度高，生產成本低，多用於容量較大的主存儲器。
主要還是成本的問題，不能大容量採用
⑺ FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有什麼區別各有什麼作用
Flash存儲器：
它屬於內存器件的一種，是一種非易失性( Non-Volatile )內存。快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存;快閃記憶體在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
DDR存儲器：
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
RAM存儲器：
存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(英文:Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器(英文Dynamic RAM，DRAM)。
SRAM存儲器：
是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。
DRAM存儲器：
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
⑻ 用4K*4位的SRAM晶元設計32K*8位的存儲器，要求該存儲器的起始地址為8000H。 求解。
一個四塊的晶元，設計的一個32內存器，需要儲存是非常多的。
四個8K*8位的RAM晶元就能組成襲一個32K*8位，把8K的四個選通端分別連到74LS138的0到3號輸出，數據線都連在一起，然後把4拿來連8K*8位的EPROM晶元選通。
地址范圍是：0000H到1FFFH，2000H到3FFFH，4000H到5FFFH，ROM的為6000H到7FFFH。
地址一共需要15條地址線，本來應該16的，不過只用了38解碼器的前四個輸入，所以2號輸入接低電平就好了，然後1和0輸入接A14和A13，其它的地址線為A12到A0接到四個8K*8位的RAM晶元的地址線」。
(8)台州sram存儲器內存晶元批發平台擴展閱讀：
計算機的存儲器可分成內存儲器和外存儲器。內存儲器在程序執行期間被計算機頻繁地使用，並且在一個指令周期期間是可直接訪問的。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁碟中讀取信息。這與學生在課堂上做筆記相類似。
內存儲器有很多類型。隨機存取存儲器( RAM)在計算期間被用作高速暫存記憶區。數據可以在RAM中存儲、讀取和用新的數據代替。當計算機在運行時RAM是可得到的。包含了放置在計算機此刻所處理的問題處的信息。大多數RAM是「不穩定的」，這意味著當關閉計算機時信息將會丟失。
⑼ 1.有一個512K大16位的存儲器，由128K＊8位的SRAM晶元構成。問
3片中的2片組成128K*16；2片64K*8合成為128K*8；2片合成以後與3片中剩下的一片合成128K*16
最後合成256K*16。
⑽ SRAM存儲器是什麼存儲器
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據
說具體點就是高速緩存或者說是二級緩存
祝您好運