1. 存儲介質有哪些
軟盤、光碟、DVD、硬碟、快閃記憶體、U盤、CF卡、SD卡、MMC卡、SM卡、記憶棒（Memory Stick）、xD卡。
行的存儲介質是基於快閃記憶體（Nand flash）的，比如U盤、CF卡、SD卡、SDHC卡、MMC卡、SM卡、記憶棒、xD卡等。
對所保存的數據來說，CF卡比傳統的磁碟驅動器安全性和保護性都更高；比傳統的磁碟驅動器及Ⅲ型PC卡的可靠性高5到10倍，而且CF卡的用電量僅為小型磁碟驅動器的5%。
CF卡使用3.3V到5V之間的電壓工作（包括3.3V或5V）。這些優異的條件使得大多數數碼相機選擇CF卡作為其首選存儲介質。
CF卡缺點：
1、容量有限。雖然容量在成倍提高，但仍趕不上數碼相機的像素發展。5百萬像素以上產品已經是流行的高端產品最低規格，而民用主流市場也達到3百萬像素級別。普通民用的JPEG壓縮格式下，容量尚可，但是專業級的TIFF（RAW）格式文件還是放不下幾張圖像數據。
2、體積較大。與其他種類的存儲卡相比，CF卡的體積略微偏大，這也限制了使用CF卡的數碼相機體積，所以現下流行的超薄數碼相機大多放棄了CF卡，而改用體積更為小巧的SD卡。
以上內容參考：網路-存儲介質
2. 存儲器分類及各自特點有哪些
存儲器分類依據不同的特性有多種分類方法。
（1）按工作性質/存取方式分類
•隨機存取存儲器 (RAM) -每個單元讀寫時間一樣，且與各單元所在位置無關。如：內存。
•順序存取存儲器 (SAM) -數據按順序從存儲載體的始端讀出或寫入，因而存取時間的長短與信息所在位置有關。例如：磁帶。
•直接存取存儲器 (DAM) -直接定位到讀寫數據塊，在讀寫數據塊時按順序進行。如磁碟。
•相聯存儲器 -按內容檢索到存儲位置進行讀寫。例如：快表。
（2）按存儲介質分類
半導體存儲器：雙極型，靜態MOS型，動態MOS型
磁表面存儲器：磁碟、磁帶
光存儲器：CD，CD-ROM，DVD
（3）按信息的可更改性分類
讀寫存儲器：可讀可寫
只讀存儲器：只能讀不能寫
（4）按斷電後信息的可保存性分類
非易失（不揮發）性存儲器：信息可一直保留， 不需電源維持。
易失（揮發）性存儲器
（5）按功能/容量/速度/所在位置分類
•寄存器 -封裝在CPU內，用於存放當前正在執行的指令和使用的數據 -用觸發器實現，速度快，容量小（幾~幾十個）
•高速緩存-位於CPU內部或附近，用來存放當前要執行的局部程序段和數據 -用SRAM實現，速度可與CPU匹配，容量小（幾MB）
•內存儲器 -位於CPU之外，用來存放已被啟動的程序及所用的數據 -用DRAM實現，速度較快，容量較大（幾GB）
•外存儲器-位於主機之外，用來存放暫不運行的程序、數據或存檔文件 -用磁表面或光存儲器實現，容量大而速度慢
3. 利用磁存儲原理來存儲數據的存儲器是什麼啊
MRAM，磁存儲器，利用巨磁阻效應，即橫向磁場改變電阻。
4. 當今主流行存儲器介紹
儲器技術是一種不斷進步的技術，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，這是因為開發新技術的初衷就是為了消除或減輕某種特定存儲器產品的不足之處。
舉例來說，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的第1個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。
這樣，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，從PC機直到數字相機。本文即著眼於對現有的存儲器技術及其未來走向進行考察。
DRAM
嚴重依賴於PC的DRAM市場總是處於劇烈的振盪之中。對目前處於衰退過程中的供應商們來說，降低每比特DRAM生產成本唯一劃算的方法就是縮小DRAM晶元的尺寸。所以，製造商們就不斷地尋找可以縮小DRAM晶元尺寸的方法。
隨著市場的復甦和邊際效益的增長，供應商們會逐漸轉向使用300mm的大圓片。但現在，大多數DRAM生產商都承擔不起在300mm圓片上生產的費用。
就像石油公司都想多賣高品質汽油以獲取高額利潤一樣，DRAM生產商也正在把產品線從SDRAM換成DDR SDRAM，希望賣個高價。在DDR之後又出來一個DDR II，這是一種更先進的DRAM技術，已經受到英特爾的歡迎。出於同樣的原因，存儲器生產商們很快就會升級到DDR II技術。
同樣像石油公司不斷勘探新油田一樣，DRAM生產商也在不斷地開發新的市場，包括通信和消費電子市場在內。他們希望這樣能降低對PC市場的依存度，平穩渡過市場振盪期。
許多生產商都開始針對這些市場開發專門的DRAM產品。
不幸的是，隨著人們開始對各種模塊和伺服器進行升級，PC市場在未來仍將是DRAM應用最主要的推動力。盡管一些生產商認為通信將成為另一個主要的推動力，但根據iSuppli公司的預測，至少在2002年，通信市場在DRAM銷售中所佔的份額將仍低於2%。
生產商對消費電子市場的期望值更高。網路設備和數字電視是DRAM應用增長最迅速的領域，但與PC市場相比，其份額仍然太小了。
但是，不論是消費電子市場還是PC市場，DRAM面臨的最大挑戰都是以下需求：更高的密度、更大的帶寬、更低的功耗、更少的延遲時間以及更低的價格。因此，對DRAM生產商和用戶來說，在消費電子領域中性價比還是最主要的考慮因素。
現在已經有許多公司在開始或已經開始提供專門為各種非PC應用設計的DRAM，包括短延遲DRAM（RL-DRAM）以及各種Rambus DRAM（RDRAM）。這些專用DRAM的產量都很小，單位售價很高。因此，iSuppli相信在非PC領域內，這些專用存儲器永遠不會取代普通的SDRAM和DDR存儲器。所以，對DRAM來說，其未來屬於低價、標准、大量生產的、面向其占最大份額的PC市場的技術。
快閃記憶體和其他非易失性存儲器
目前，非易失性存儲器技術的最高水平是快閃記憶體。如同DRAM依賴於PC市場一樣，快閃記憶體也依賴於手機和機頂盒市場。由於這些設備的需求一直不夠強勁，所以快閃記憶體目前良好的銷售情況只是季節性的，今年下半年就會降下來。
但到明年上半年，手機、數字消費產品以及數字介質的需求會比較強勁，所以快閃記憶體的前景也會變得光明一些。
盡管目前非易失性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。
非易失性存儲器包括鐵電介質存儲器（FRAM或FeRAM）、磁介質存儲器（MRAM）、奧弗辛斯基效應一致性存儲器（OUM）以及聚合物存儲器（PFRAM），對數據處理來說，它們都很有前途，因為它們突破了SRAM、DRAM以及快閃記憶體的局限性。
每種技術都有自己的目標市場，iSuppli公司將在下面逐一進行分析。
FRAM
FRAM是下一代的非易失性存儲器技術，運行能耗低，在斷電後能長期保存數據。它綜合了RAM高速讀寫和ROM長期保存數據的特點。
這項技術利用了鐵電材料可保存信息的特點，使用工業標準的CMOS半導體存儲器製造工藝來生產，直到近日才研發成功。但是，FRAM的壽命是有限的，而其讀取是破壞性的，就是說一旦進行讀取，FRAM中存儲的數據就消失了。
MRAM
MRAM是非易失性的存儲器，速度比DRAM還快。在實驗室中，MRAM的寫入時間可低至2.3ns。
MRAM擁有無限次的讀寫能力，並且功耗極低，可實現瞬間開關機並能延長便攜機的電池使用時間。而且，MRAM的電路比普通存儲器還簡單，整個晶元只需一條讀出電路。
但就生產成本來看，MRAM比SRAM、DRAM及快閃記憶體都高得多。
OUM
OUM是一種非易失性存儲器，可以替代低功耗的快閃記憶體。它擁有很長的讀寫操作壽命，並且比快閃記憶體更易集成。OUM存儲單元的密度極高，讀取操作完全安全，只需極低的電壓和功率即可工作，同現有邏輯電路的集成也相當簡單。用OUM單元製作的存儲器大約可寫入10億次，這使它成為便攜設備中大容量存儲器的理想替代品。
但是，OUM有一定的使用壽命，長期使用會出一些可靠性問題。
PFRAM
PFRAM是一種塑料的、基於聚合物的非易失性存儲器，通過三維堆疊技術可以得到很高的密度，但它的讀寫操作壽命有限。
PFRAM可能會替代快閃記憶體，並且其成本只有NOR型快閃記憶體的10%左右。塑料存儲器的存儲潛力也相當巨大。
今後，生產聚合物存儲器可能會變得像印照片一樣簡單，但今年才剛剛開始對這種存儲器的生產工藝進行研發。PFRAM的讀寫次數也有限，並且其讀取也是破壞性的，就像FRAM一樣。
總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。
而在非易失性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，而這些技術各有優劣。
5. 磁表面存儲器的特點
磁表面存儲器的優點為存儲容量大、單位價格低、記錄介質可以重復使用、記錄信息可以長期保存而不丟失，甚至可以離線存檔、非破壞性讀出，讀出時不需要再生信息。當然，磁表面存儲器也有缺點，主要是存取速度較慢，機械結構復雜，對工作環境要求較高。磁表面存儲器由於存儲容量大，單位成本低，多在計算機系統中作為輔助大容量存儲器使用，用以存放系統軟體、大型文件、資料庫等大量程序與數據。
磁表面存儲器又可分為磁帶存儲器和磁碟存儲器兩大類。磁帶存儲器是一種順序存取的設備，存取時間較長，但存儲容量大，便於攜帶，價格便宜，是一種主要的輔助存儲器。磁帶的內容由磁帶機進行讀寫，按磁帶機的讀寫方式分為啟停式和數據流式兩種。
6. MRAM/ReRAM/3D XPoint/Z-SSD，下一代存儲器混戰何時休
新型存儲器的候選有很多,包括磁存儲器(MRAM)、可變電阻式存儲器(ReRAM)、相變存儲器(PRAM)等。雖然存儲器本身的技術開發也很重要,但對於大數據分析,使存儲器物
7. 磁表面存儲器的優缺點
1、磁表面存儲器的優點：
①存儲容量大，位價格低；
②記錄介質可以重復使用；
③記錄信息可以長期保存而不丟失，甚至可以離線存檔；
④非破壞性讀出，讀出時不需要再生信息。
2、磁表面存儲器的缺點
存取速度較慢，機械結構復雜，對工作環境要求較高。
8. 磁表面存儲器的介紹
磁表面存儲器是利用塗覆在載體表面的磁性材料具有兩種不同的磁化狀態來表示二進制信息的「0」和「1」。將磁性材料均勻地塗覆在圓形的鋁合金或塑料的載體上就成為磁碟，塗覆在聚酯塑料帶上就成為磁帶。磁頭是磁表面存儲器用來實現「電←→磁」轉換的重要裝置，一般由鐵磁性材料（鐵氧體或玻莫合金）製成，上面繞有讀寫線圈，在貼近磁表面處開有一個很窄的縫隙。見特點圖片。
9. 磁介質儲存設備是什麼
利用磁能方式存儲信息的設備如：硬碟、軟盤（已經淘汰）、磁帶、磁芯存儲器、磁泡存儲器（磁泡存儲器在1970年代出現，但是在1980年代硬碟價格急劇下降的情況下未能獲得商業上的成功。），U盤。
磁介質是由於磁場和事物之間的相互作用，使實物物質處於一種特殊狀態，從而改變原來磁場的分布。這種在磁場作用下，其內部狀態發生變化，並反過來影響磁場分布的物質，稱為磁介質。磁介質在磁場作用下內部狀態的變化叫做磁化。
在磁場作用下表現出磁性的物質。物質在外磁場作用下表現出磁性的現象稱為磁化。所有物質都能磁化，故都是磁介質。按磁化機構的不同，磁介質可分為抗磁體、順磁體、鐵磁體、反鐵磁體和亞鐵磁體五大類。
在無外磁場時抗磁體分子的固有磁矩為零，外加磁場後，由於電磁感應每個分子感應出與外磁場方向相反的磁矩，所產生的附加磁場在介質內部與外磁場方向相反，此性質稱為抗磁性。
順磁體分子的固有磁矩不為零，在無外磁場時，由於熱運動而使分子磁矩的取向作無規分布，宏觀上不顯示磁性。在外磁場作用下，分子磁矩趨向於與外磁場方向一致的排列。
所產生的附加磁場在介質內部與外磁場方向一致，此性質稱為順磁性。介質磁化後的特點是在宏觀體積中總磁矩不為零，單位體積中的總磁矩稱為磁化強度。
實驗表明，磁化強度與磁場強度成正比，比例系數χm稱為磁化率。抗磁體和順磁體的磁性都很弱，即cm很小，屬弱磁性物質。
抗磁體的cm為負值，與磁場強度無關，也不依賴於溫度。順磁體的cm為正值，也與磁場強度無關，但與溫度成反比，即 cm =C/T，C稱為居里常數，T為熱力學溫度，此關系稱為居里定律。
(9)磁存儲器有哪些新聞擴展閱讀：
儲存設備存儲過程：
存儲過程是由流控制和SQL語句書寫的過程，這個過程經編譯和優化後存儲在資料庫伺服器中，應用程序使用時只要調用即可。在ORACLE中，若干個有聯系的過程可以組合在一起構成程序包。
存儲過程是利用SQL Server所提供的Transact-SQL語言所編寫的程序。Transact-SQL語言是SQL Server提供專為設計資料庫應用程序的語言。
它是應用程序和SQL Server資料庫間的主要程序式設計界面。它好比Oracle資料庫系統中的PL-SQL和Informix的資料庫系統結構中的Informix- 4GL語言。
參考資料來源：網路-磁介質
參考資料來源：網路-儲存設備
10. 什麼是磁電子隨機儲存器
在當今電子和信息高新技術迅速發展的時代，各種磁電子管和電子計算機（電腦）的發展和應用是十分重要的。雖然有的磁電子管技術還處於探索研究和未來設想階段，但從電控電子管晶體管到磁控電子管晶體管，從某種意義上說也是開辟了一個新的思路和新的領域。
從電子計算機發展的歷程來看，也有相類似的情況。從20世紀40年代電子計算機出現和應用以來，電子計算機的研發工作已經有了很快很大的進步，先後經歷了電子管計算機、晶體管計算機、集成電路計算機、大規模集成電路計算機及超大規模集成電路計算機等幾代的發展，各方面都有了很多變化。例如，在數據和信息的存儲方面，磁鼓、磁帶和磁碟等磁記錄設備一直是外存儲裝置。當然其磁記錄介質和磁頭材料、磁記錄方式（如縱向記錄和垂直記錄）等都經歷了多次的改進。內存儲裝置（也稱隨機存儲器）也經歷了多次改進，例如從磁芯存儲器、磁膜存儲器到半導體集成電路存儲器，再到半導體大規模集成電路、半導體超大規模集成電路存儲器，到今天的磁電子隨機存儲器的研發等。
什麼是磁電子隨機存儲器？它具有什麼特點呢？
磁電子隨機存儲器是目前尚處於初步探索研究的一類利用巨磁電阻效應的隨機存儲器。電阻式隨機存儲器是一個全新的概念，目前國際上的相關研究處於起步階段，中國的研究工作也在逐步展開。目前提出的有多層膜型巨磁電阻隨機存儲器和磁隧穿型巨磁電阻隨機存儲器。數字信息的「1」或「0」是用巨磁電阻的高或低來表示的，而巨磁電阻的高低則由這巨磁電阻輸出電壓的高低來測量。
首先我們來認識多層膜型巨磁電阻存儲器的一個存儲單元。它由一個多層膜巨磁電阻單元及輸入數字信息的寫入線（層）和輸出數字信息的讀出線（層）構成。數字信息「1」或「0」是由存儲單元的高電阻態或低電阻態來表現的，也就是由釘扎鐵磁層與自由鐵磁層中原子磁矩是互相反平行或平行狀態所決定，而讀出線（層）所讀出的脈沖電壓的高或低就表示「1」或「0」的數字信息。當然這不過是多層膜型巨磁電阻隨機存儲器一個存儲單元的情況，由大量存儲單元構成的隨機存儲器就更為復雜。
其次來認識磁隧穿型巨磁電阻的隨機存儲器的一個存儲單元。它是由一個磁隧穿型巨磁電阻單元及輸入數字信息的電流寫入線和輸出數字信息的讀出線構成的。同多層膜型巨磁電阻存儲單元的工作情況相似，數字信息「1」或「0」也是由存儲單元的高電阻態或低電阻態來表示的，也是由絕緣層兩邊的鐵磁層中原子磁矩是互相反平行或平行狀態所決定，讀出線（層）的輸出電壓的高或低就表示「1」或「0」的數字信息。它同多層膜型巨磁電阻存儲單元的主要差別是兩鐵磁層之間的弱磁層是絕緣層，因而每個單元具有較高的電阻、較高的輸出電壓、較低的輸出電流和較短的存取信息時間即較快的存取速度，存儲信息密度則同多層膜型巨磁電阻隨機存儲器相似，但弱磁絕緣層的厚度極薄，存在均勻性和工作可靠性問題。這些優缺點是需要在未來的研究和應用中加以特別注意的。
初步實驗結果表明，這種由巨磁電阻材料研製的磁電子隨機存儲器的結構較簡單，成本較低廉，存儲密度較高，存取數據時間較短，在工作電源去掉後仍能保持其所存儲的數字信息（稱為非易失性），抗強電磁輻射、抗粒子輻照和抗宇宙射線的能力都較強，因而具有許多優點。但是要使磁電子隨機存儲器從研究進入實際應用，也還有不少的問題需要解決，這也正是未來磁電子學面臨的一個重大問題。
從以上的介紹可以看出，磁電子學雖僅是磁學中一個新誕生的部分，研究時間尚短，但是它所蘊含的內容卻很豐富，已取得的應用也很多很重要，而研究和應用的前景更是十分廣闊的。