A. FRAM和EEPROM的區別,可以共用嗎
非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導體產品供應商Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性FRAM器件——FM25L512，帶有高速串列外設介面(SPI)。該款器件採用8管腳微型封裝，能夠提高數據採集和存儲能力，並且削減應用成本和PCB空間，應用領域從多功能列印機到工業用電機控制器等。
Ramtron 副總裁Mike Alwais稱：「FM25L512為我們的256Kb 串列FRAM用戶在相同的小佔位面積中提供雙倍的存儲容量。這樣，系統設計人員在下一代的列印機和電機控制設計中，無需增大線路板面積便可提高數據採集能力。」
Ramtron 的FM25L512是帶有工業兼容SPI介面的512Kb非易失性FRAM，充分發揮了FRAM技術的高速寫入能力。該硬體上可以直接替代相應的EEPROM，而且性能更佳，並能以高達20MHz的匯流排速度執行無延時的讀寫操作，同時提供10年的數據保存能力，以及幾乎無限的讀寫次數和極低的工作電流。FM25L512 器件的工作電壓為3.0 到 3.6V，可在 -40 ℃ 至 +85℃ 的工業溫度范圍內操作。
對於那些需要頻繁且快速寫入操作及/或低功耗工作的應用而言，FM25L512的性能凌駕同類的非易失性存儲器解決方案。這些應用包括從先進的數據採集 (該應用中讀寫壽命非常重要) 到要求嚴苛的工業控制 (該應用中較長得寫入等待時間和較短得讀寫壽命會導致數據丟失) 等各種應用。與串列EEPROM 不同，FM25L512能以匯流排速度執行無等待寫入操作，而且功耗更低。
Ramtron目前提供8管腳「綠色」/RoHS TDFN (薄型雙排引腳扁平無鉛) 封裝的FM25L512樣件，與SOIC-8封裝管腳兼容，訂購1萬片的起價為每片7.61美元。
B. 半導體FRAM是什麼
半導體FRAM是ferromagnetic random access memory的英文縮寫，即鐵電存儲器，FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，並達到一種穩定狀態；當電場從晶體移走後，中心原子會保持在原來的位置。這是由於晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置，因此FRAM保持數據不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由於鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件（諸如磁場因素）的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。
C. 在立創商城中的FRAM存儲器有哪些品牌
FUJITSU(富士通)；
RAMTRON；
CYPRESS(賽普拉斯)；
他們的FRAM存儲器就這3個品牌
D. 鐵電存儲器的介紹
鐵電存儲技術早在1921年提出，直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發出第一個4K位的鐵電存儲器FRAM產品，目前所有的FRAM產品均由Ramtron公司製造或授權。最近幾年，FRAM又有新的發展，採用了0.35 um工藝，推出了3V產品，開發出「單管單容」存儲單元的FRAM，最大密度可達256K位。
E. 鐵電存儲器FRAM的鐵電應用
存儲器（FRAM）可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器，而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分，系統所採集的數據（(除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存，這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下，一些歷史記錄是很重要的。
典型應用：儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。 FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變，它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說，數據採集是系統或子系統的功能，不論何種系統類型，設置參數存儲都是一種底層的系統功能。
典型應用： 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備（網路數據機）和大型家用電器。 鐵電存貯器（FRAM）可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下，信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.，在某些情況下，目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。
典型應用：工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機，未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。
F. 富士通半導體有一些FRAM產品吧這些產品有什麼特點
FRAM是一種環保的存儲器，寫入的數據不能通過物理分析被盜用，沒有備用電池要求。FRAM的優勢包括五個方面：非易失性、安全性、可靠性、高速和低功耗。具體講，FRAM可以覆蓋（無需擦除），寫周期與讀周期相等，具有防篡改功能。 MB89R118是富士通RFID LSI最新版本，可添加自定義快速指令，實現更快的數據讀/寫。通過降低功耗，通信距離也得到了改善。此外，它還具有防沖突功能。所以MB89R118比較適合各種分布式數據處理應用，如供應鏈管理、物流、零售系統、回收系統、質量控制等。 嵌入了FRAM非易失性存儲器的MB89R118數據保存時間長達10年，它還有遠勝於其它非易失性存儲器的極高的編程次數（高達1010）。它支持廣泛的溫度范圍，工作溫度為-20℃至85℃，存儲溫度為-40℃至85℃，可以用於惡劣環境條件下的質量控制和產品控制。 該產品支持高速內存訪問/高速數據處理，其內部存儲器FRAM的編程周期為75.52μs/block（8位元組）。MB89R118嵌入的FRAM存儲器打破了以前傳統非易失性存儲器的寫入瓶頸，寫入時間大幅縮短了。 針對更快速度讀取大容量數據的需求，可以利用讀多塊/寫多塊指令，一次讀/寫2塊數據（16位元組）。自定義指令（讀多塊無限指令）可連續讀取最多256塊（2048位元組）。快速指令是該產品的新功能，可將從MB89R118到讀/寫器的響應時間縮短一半，實現高速處理。 FRAM的特性有利於數據保護，訪問（寫入）FRAM以位元組為單位。在確保每一次寫入有足夠在電源電壓後，執行每個位元組的寫入。如果RF電源在訪問期間掉電，MB89R118可檢測下降的電源電壓。在檢測後，MB89R118繼續用存儲在平流電容器中的電荷進行寫操作。所以，如果在電源關閉期間進行寫操作，用戶也不會丟失數據。 總之，FRAM及嵌入FRAM的RFID LSI的特性和獨有功能將讓它在各種應用中發揮出最大優勢。詳見富士通官網http://cn.fujitsu.com/fss
G. 誰能給我講講FRAM產品是容量越大越好嗎最好能舉個例子對照著給我講！
FRAM就是鐵電存儲器，運用了鐵電效應，是一種高性能的非易失性存儲器，結合了傳統非易失性存儲器（快閃記憶體和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的優點, 在高速寫入、高耐受力、低功耗和防竄改方面具有優勢。
以富士通的V系列的FRAM產品MB85RC256V為例:
256Kb存儲容量基本能滿足很多領域的要求,不過具體選用多大容量的FRAM要看每種領域的具體要求；1012次的讀寫次數，這個是凸顯它的卓越的讀寫能力的，比較適合需要頻繁更新數據的領域, 1012 次讀寫次數基本上已經能滿足當今所有領域的要求；+85度數據能保存10年，這個應該說是FRAM的一個亮點，比較適合需要長期存儲數據的領域；每一個FRAM都會有電壓范圍，不同電壓范圍適合不同領域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作電壓范圍就比較適合工業控制領域。
當然在這里不能給你一一舉例子，相信隨著你的學習，你會發現FRAM其實是個很簡單的東西，知道原理後，做應用就會變得很容易。
H. FRAM和RERAM
FRAM就是鐵電存儲器，一種隨機存取存儲器，關機後數據丟失。ReRAM代表電阻式存儲器，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合於一身，關閉電源後存儲器仍能記住數據。
I. fram 在汽配中指什麼呢
智能安全氣囊的一種技術，具體的就要麻煩您詳細看一下了，有點復雜。。。
FRAM技術
汽車安全系統在未來數年間將變得越來越趨於精密。這一趨勢會影響到attach rate 以及安全氣囊系統和汽車穩定性控制系統的復雜程度。隨著這些系統中的電子部分越來越重要，同時對半導體存儲器的容量要求也隨之增長。本文概述了在設計新一代安全氣囊系統存儲方案時應該考慮的問題。
目前汽車安全氣囊系統引入了兩項主要的創新技術。第一，新型的安全氣囊系統增加了「智能性」：不同於以往系統一律採用最大的展開力。彷彿所有的事故和乘客都是一模一樣的，新系統是根據事故和乘客的具體參數來決定氣囊的展開力度。這些參數可能包括碰撞的嚴重程度、乘客的體重和座椅相對氣囊的位置等。這種可變的展開力將會大受那些曾有過普通安全氣囊沖擊而造成不愉快經驗人士的歡迎。智能型氣囊還能識別乘客座椅是否空置，以決定需不需要使用乘客安全氣囊。考慮到每輛車的安全氣囊數目正在增多加上即使發生小事故也必需更換的成本支出，這種創新的技術將有助於用戶省下相當可觀的維修和保險成本。
第二，越來越多的車輛安裝了事故數據記錄儀 (EDR)，用來收集碰撞相關的信息，類似於飛機「黑匣子」。EDR 功能一般被包含在安全氣囊電子控制單元 (ECU) 中。這樣置配很自然，因為 EDR 沒有飛機黑匣子的那種存活性要求，安全氣囊控制器主要是接收各個重要感測器的輸入信息。而車輛製造商也指出沒有空間安裝獨立式的 EDR。
這兩種安全氣囊存儲應用對存儲器的要求都相當高，但彼此差異很大。鑒於在嚴重的事故中，系統很有可能掉電，因此都需要非易失性存儲器。事故重建意味著事故前後的相關數據必須存儲在系統可寫入的可靠的非易失性存儲器中。
在「智能安全氣囊」系統上ECU 設計人員希望針對具體的事故採用合適的展開力。這就不僅需要加速度信息同時也需要乘客信息。新型的智能安全氣囊系統對存儲器有獨特的要求，即需要把直到事故發生前的乘客信息都記錄下來，其中包括座椅位置和乘客體重。為了在事故之前能夠獲得有關乘客情況的可靠記錄，就必需連續存儲信息。送往安全氣囊 ECU 的參數數據是由車輛內部的加速度感測器和感測器產生的。這種連續存儲需要能夠遠比傳統快閃記憶體寫入更頻繁的存儲技術。
EDR 技術的關鍵在於所需的數據量及存儲這些數據所需要的時間。新的規范將大大擴展需要採集的數據。當發生嚴重事故時，極有可能出現掉電情況。對於這種情況，EDR 系統必須趕在系統電源失去之前把數據保存下來。事故中，供電可能會突然失去，而傳統的非易失性存儲解決方案需要很長的時間來對新信息進行寫入。
非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 便提供了能解決上述需求的技術能力。它和其它非易失性方案一樣都能提供可靠的非易失性存儲能力，特別出眾之處在於它的可擦寫次數非常多，寫入速度也極快。
安全氣囊應用中最常選用帶有串列外設介面 (SPI) 的5V工作電壓FRAM存儲器。這些器件可以在很高的匯流排介面速度下進行寫操作，具有超過1萬億次 (1後面12個零！) 的擦寫次數，足以讓智能安全氣囊連續寫入，以提供無縫的乘客數據記錄。串列速度可以從5MHz 到 20MHz間的FRAM 且無延遲寫操作能夠讓主處理器盡可能快地存儲數據，幾乎沒有信息丟失的風險。FRAM具備的非易失性特點、無限的擦寫次數，以及快速數據寫入能力，是下一代安全氣囊系統的理想存儲器。
汽車安全系統在未來數年間將變得越來越趨於精密。推動這一重要規格的趨勢將會同時沖擊安全氣囊系統的數據捕捉率和精密度以及控制系統的穩定性。
J. 鐵電存儲器的簡介
鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉後保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和快閃記憶體）結合起來。由於鐵電存儲器不像動態隨機存取存儲器（DRAM）和靜態隨機存取存儲器（SRAM）一樣密集（即在同樣的空間中不能存儲像它們一樣多的數據），它很可能不能取代這些技術。然而，由於它能在非常低的電能需求下快速地存儲，它有望在消費者的小型設備中得到廣泛地應用，比如個人數字助理（PDA）、手機、功率表、智能卡以及安全系統。鐵電存儲器（FRAM）比快閃記憶體更快。在一些應用上，它也有可能替代電可擦除只讀存儲器（EEPROM）和靜態隨機存取存儲器（SRAM），並成為未來的無線產品的關鍵元件。