1. 在長江存儲工作是一種怎樣的體驗
從事高科技研究的工作，會覺得學無止境，有一種學海無涯的感覺吧。
長江存儲科技有限責任公司成立於2016年7月，總部位於「江城」武漢， 是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案。
長江存儲為全球合作夥伴供應3D NAND快閃記憶體晶圓及顆粒， 嵌入式存儲晶元以及消費級、企業級固態硬碟等產品和解決方案，廣泛應用於移動通信、消費數碼、計算機、伺服器及數據中心等領域。
2017年10月，長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計製造了中國首款3D NAND快閃記憶體。
2019年9月，搭載長江存儲自主創新Xtacking架構的64層TLC 3D NAND快閃記憶體正式量產。
2020年4月，長江存儲宣布128層TLC/QLC兩款產品研發成功，其中X2-6070型號作為業界首款128層QLC快閃記憶體，擁有發布之時最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
截至目前長江存儲已在武漢、上海、北京等地設有研發中心，全球共有員工6000餘人，其中研發工程技術人員4000餘人。
通過不懈努力和技術創新，長江存儲致力於成為全球領先的NAND快閃記憶體解決方案提供商。
2. 消息稱長江存儲將直接挑戰232層NAND並於今年底量產，對此你期待嗎
我對此是超級期待，因為這意味著長江存儲的存儲設備價格可以進一步下降，同時性能還有提升，用人話來說就是：物美價廉！
總的來說，我是很期待長江存儲挑戰成功並且量產。因為這對於我這個電腦發燒友來說，這意味著存儲設備市場產品的大幅度降價潮要再次來臨了！
3. 武漢弘芯項目爛尾背後：武漢合肥半導體產業優勢對比與風口的思考
自中興、華為事件發生後集成電路的地位不斷提升， 社會 與資本對集成電路產業的認識也不斷加深。發展集成電路產業的初衷確實是為了實現國產替代、自主可控，雖然這種思路沒錯但格局著實有點狹隘。當然如果將中國集成電路產業放到實現國家戰略安全的地位，對產業的認識也會更深刻一些。
頂層設計的確瞄向了國家戰略安全這一方向，但落腳到這個產業中，產業和資本的高度還是無法達成統一，因為各自的訴求不同。以中微公司創始人尹志堯為代表的產業從業者固然可以做到十年磨一劍，將刻蝕設備做到全球一線水平，但狂熱資本的不斷湧入，更多的是看到科創板、注冊制等的實施帶來的短期套利空間，畢竟相比以往如今上市的門檻和難度大幅降低。
集成電路是一個技術密集型、知識密集型和資本密集型的產業，如果放到國產替代和國家安全的角度還是一個政策密集型的產業，如果將這四種重要的要素實現深度整合，當然是最理想的狀態，但如果這四種要素中任何一個對集成電路產業的理解與認知出現偏差甚至誤區，則會出現很大的問題，20年前的"漢芯一號"造假事件如此，武漢弘芯項目爛尾也是如此。
武漢弘芯一開始就對這個行業的理解有所誤區，比如一開始就定下的不切實際的目標。武漢弘芯項目原計劃投資1280億元，主要投資目標是建成一條月產能3萬片的14nm邏輯工藝生產線、月產能3萬片的7nm及以下邏輯工藝生產線以及相應的晶圓級先進封裝生產線，但在2017年國內最好的晶圓代工廠中芯國際剛搞定28nm HKMG工藝不久，直到2019年才在梁孟松的帶領下搞定了14nm FinFET工藝。
2017年全球晶圓廠中有能力量產14nm及以下FinFET工藝的也就台積電、英特爾、三星和格芯，其中台積電和三星將技術節點推進到10nm，格芯是12nm，英特爾是14nm++ FinFET工藝，與格芯的12nm相當：
行業龍頭也剛推進到14-10nm，武漢弘芯一開始就要上馬14nm，就當是國內集成電路的產業基礎，可能嗎？
2017年國內技術達不到，資本目的不純，政府對集成電路產業認知較淺，武漢弘芯項目如何推進？
可惜了蔣尚義的一腔熱血。
武漢的集成電路產業基礎還是相當薄弱，更沒法與江蘇和上海這兩個產業集聚地相比，將之比喻為荒漠中的綠洲也不為過。
按申萬行業分類，目前在A股上市的湖北半導體企業有盈方微和台基股份兩家，其中台基股份主要從事大功率半導體器件的生產與銷售，是一家功率半導體企業。但盈方微在湖北荊州，台基股份在湖北襄陽，均不在武漢。
在新三板上掛牌的湖北半導體企業是思存 科技 （839113.OC），公司主要研發與銷售多種類別的Wi-Fi模塊及相關解決方案。公司在技術上得到高通的支持， 2019年營收與凈利潤分別達到2.50億元和0.08億元，業務規模與盈利能力較弱。
東芯通信（430670）是位於合肥市的一家從事LTE基帶晶元研發、銷售及提供解決方案的供應商，但目前由於4G網路已經成為過去，公司業績也一落千丈，2019年營收僅有0.15億元，凈利潤虧損0.12億元，已經連續四年虧損。
過去的終究要過去。
在光模塊及光晶元領域武漢具有一定優勢，光迅 科技 、華工 科技 具有較強的技術實力，其中光迅 科技 是國內少有的業務涉及光晶元、光器件和光模塊產業鏈的企業，而且公司依靠大股東烽火集團旗下的烽火 科技 ，產品可以很好的切入終端。但是在目前火熱的高通量光模塊領域公司相比中際旭創和新易盛有所滯後，相比已經研發出1000G光模塊的華為以及Finisar等國外巨頭差距更是明顯：
合肥與武漢在存儲器領域的競爭優勢相當明顯。武漢長江存儲在3D NAND領域已經形成一定規模，技術上4月份推出的X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶元容量的存儲器件。技術上與海力士、三星、鎧俠等差距也就1-2代，如果公司能及時推出196層甚至256層3D NAND，技術上的差距已經相當小了。另外武漢新芯（XMC）除了Nor Flash等存儲器件，自有晶圓廠也可以為客戶提供55nm製程的低功耗邏輯和射頻等工藝。
在DRAM領域合肥長鑫實現了重大突破，公司現有產品主要有DDR4內存晶元、LPDDR4X和DDR4模組，而且在中低端消費電子領域實現商業化。不過目前三星、海力士等已經將技術延伸到DDR5，在技術上還有一代的差距。
在半導體設備領域領域，武漢精測電子和合肥芯碁微是具有代表性的企業。精測電子是從事TFT-LCD/OLED等平面顯示信號測試技術研發、開發、生產與銷售的企業，在平面顯示信號測試領域位於國內領先水平。不過公司目前將業務向半導體檢測延伸，未來公司有望形成平面顯示+集成電路檢測雙主業格局。
合肥芯碁微主要從事以微納直寫光刻技術為核心的直接成像設備及直寫光刻設備研發、製造及銷售，但目前公司的直寫光刻機主要用於PCB，在平面顯示領域有一定布局。由於技術自身局限，合肥芯碁微的直接成像技術還不能很好的應用於硅基半導體器件深亞微米節點的製造。
綜上所述，從目前集成電路產業布局來看，除了長江存儲和合肥長鑫的存儲器件，武漢和合肥的集成電路產業發展水平總體遜於江蘇和上海，但以光迅 科技 為代表的光模塊企業、以精測電子、合肥芯碁微為代表的設備製造企業在個別領域具有一定規模。
除了合肥長鑫，合肥的集成電路產業亮點不多，但如果從產業鏈布局來看，合肥的產業基礎要略好於武漢。
集成電路產業鏈主要分為設計、製造和封測，目前武漢和合肥在設計領域存在明顯短板。武漢昊昱微電子是從事功率半導體及模擬半導體設計的企業，公司基於CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工藝開發了HYM533低功耗8位四路DAC、音頻功放IC等器件；合肥比較具有代表性的設計企業有合肥芯谷微電子、合肥恆爍半導體等設計企業，而且這些企業由"最牛風投機構"合肥市政府投資，部分設計企業頗具特色，但相比聖邦股份、兆易創新等企業，差距太明顯。
在封測領域合肥的基礎要好得多，而武漢則一片空白。封測領域合肥目前擁有合肥合晶和合肥速芯兩家封測企業，其中成立於2000年的合肥合晶覆蓋TO、SOT和DIP封裝技術；成立於2018年12月的合肥速芯是集成電路行業咨詢公司摩爾精英旗下封測企業，擁有QFN、BGA、SiP等封裝技術：
當然合肥速芯的競爭力還來自於摩爾精英在集成電路行業中的資源整合能力，這一點可能是合肥合晶所不擁有的。
在製造領域武漢和合肥均有晶圓廠，其中合肥長鑫和長江存儲各有一座300mm晶圓廠，主要是這兩家企業均採用了IDM模式，這也是三星和海力士等存儲器龍頭的典型模式。除此以外PowerChip和XMC（武漢新芯）分別在合肥和武漢擁有一座300mm晶圓廠，產能較小，而且主要以成熟節點為主。
合肥集成電路產業的優勢是打通了設計、製造和封測，武漢雖然有武漢新芯這樣的晶圓代工廠，但封測還有短板。
當然在光模塊等領域武漢有獨特的競爭優勢。
有人曾將中國半導體投資者歸納為無知者無畏型、無恥者無畏型和既無知又無恥型三類，其中無知者無畏型主要是地方政府，出於各種目的往往會出現"義和團"式的"造芯運動"，典型代表就是武漢弘芯這個爛尾項目。無恥者無畏型主要是產業內企業"杠桿"式的"堵芯"，懷著撞大運的心理借著主業的成功賭博式發展集成電路這個副業。既無知又無恥型就是那些暴躁狂熱的資本，他們對產業規律視而不見，搞跨界投機式的"騙芯"。
一級市場如此，二級市場同樣炒作投機之風盛行，最典型的就是中芯國際上市前後的炒作以及半導體板塊的暴漲暴跌，讓一眾投資者吃了悶癟。
集成電路行業是一個大投資、重積累、長周期、慢回報和高風險的行業，科創板和注冊制的推出只是解決了一個資本順利退出的通道，但產業本身特徵是無法在資本加持下能改變的，如果只是抱著投機甚至賭或騙的心態悶頭扎入集成電路行業，可能自己怎麼沒的都不知道。
65nm製程的SoC晶元設計及流片成本2850萬美元，16nm的設計及流片費用高達1.06億美元，足可以讓很多中小型設計企業倒閉好多次了。
4. 3D NAND快閃記憶體市場 長江存儲如何破圍而出
繼續創新，努力發展。中國產一直是物美價廉的標志，特別是在長江存儲發布128層QLC 3D NAND快閃記憶體以後，確實有了可以和進口一較高低的能力，但是需要虛心前行，腳踏實地。
5. 國產存儲崛起長江存儲打入蘋果供應鏈，為iPhone SE3供貨
眾所周知，蘋果在供應鏈上的要求十分嚴格，甚至到了苛刻的地步，不但在品質上的要求要比其他公司更高，同時還會對供應商提出很多嚴苛的要求，比如單獨為蘋果建設生產線等等。所以要想打入蘋果的供應鏈，難度是不小的。強如京東方，也是在多次改進產品品質後，才成為三星以及LG之後，蘋果第三家OLED面板供應商。
在存儲晶元部分，蘋果一直以來用的都是海力士和凱俠兩家的NAND晶元，一方面這兩家的晶元品質的確過硬，另一方面和三星鎂光相比，海力士和凱俠的確在成本可以壓得更低一些。但是最近又有一家存儲廠商，成功成為了蘋果的供應商，這就是國內的長江存儲，而從目前得到的信息來看，已經上市的iPhone SE3這款手機，用的就是長江存儲的產品。
要知道在長江存儲成立之前，盡管國內也有其他做存儲晶元的公司，但是在技術上和海外相比差距較大。之前國內廠商是沒有能力生產3D NAND晶元的，而在長江存儲成立僅僅六年後，就已有能力生產64層與128層3D NAND晶元，據說長江存儲去年還正式開啟了2xx層3D NAND晶元的試產。所以在技術上，長江存儲實際上和國外大廠已經沒有很大的差距了。而成為蘋果的供應商，這實際也說明在技術、品質以及產能上，長江存儲都已經達到了蘋果的要求，換一句話說，長江存儲在存儲晶元部分已經達到國際一流的水準。
另外必須要說的一點是，從技術專利來看，長江存儲快閃記憶體均基於自研的Xtacking架構，因此沒有專利問題，所以也不用擔心國外利用知識產權的問題卡脖子。事實上在去年就有海外評測媒體發現，長江存儲的128層TLC 3D快閃記憶體的存儲密度達到了目前業界最高的8.48 Gb/mm²，遠高於三星、美光、SK海力士等一線NAND晶元大廠。而且現在長江存儲已經可以量產192曾的3D NAND晶元，月產能可達10萬片的規模，這或許也是蘋果看中長江存儲的原因。
當然和國際大廠相比，長江存儲還是有一定的規模差距，比如全球第一的三星，月產能可達50萬片。不過在成功打入蘋果供應鏈之後，長江存儲有希望在短時間內縮短和海外存儲廠商的差距，畢竟蘋果這個平台對廠商的規模提升還是有積極的影響，再加上國內相關資源的投入，長江存儲目前看來未來的發展是相當樂觀的。
從全球市場來看，在一年一簽，長江存儲全球的市場份額只有1%，但這已經是六大國際存儲廠商以外市場份額最大的一個了。如果根據長江存儲的產能規劃測算，預計2025年長江存儲的全球市佔率將達到約6%，算是和其他廠商有一較高低的能力。而在成為蘋果供應商之後，這個時間有希望縮短。另外除了iPhone SE3之外，長江存儲也可能在未來蘋果其他產品中，給蘋果提供NAND晶元。
6. 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力
長鑫是內存，長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失，快閃記憶體斷電數據依然在，技術層面，快閃記憶體技術難度更高！另外長鑫是買的國外底層技術，然後升級優化發展，發展有一定局限性，且與世界一流水平有2-3代的差距！而長存完全自主研發，技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看，內存技術有天花板，需求市場幾乎停止增長，而快閃記憶體技術革新空間很大，市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大！
兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲；長江存儲以研發可寫存儲。
長江存儲屬於國家隊，合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來，長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別，而長江存儲還需時日。
另外，眾所周知，玩存儲晶圓是個燒錢項目，風險變數極大，所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢，是國家傾盡全力打造的存儲之都；合肥近幾年靠集成晶元（京東方）實實在在是掙到百千億的，夾持國家科學中心名頭不可小覷！
綜敘，潛力誰大不好說，一個是小獅子，逐漸霸氣側漏想挑戰王位；一個是小老虎，虎虎生威欲佔山為王！
沖出重圍千億起步，強敵環伺巨頭統治。
存儲晶元的前景如何展望？
合肥長鑫，成立於2016年5月， 專注於DRAM領域 ，整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元，19nm8GbDDR4已實現量產，產能已達到2萬片/月，預計2020年一季度末達4萬片/月，三期完成後產能為36萬片/月， 有望成為全球第四大DRAM廠商。
長江存儲，成立於2016年7月， 專注於3DNANDFlash領域 ，整體投資額240億美元，目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據，2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月，到2020年底有望擴產至7萬片/月，2023年目標擴產至30萬片/月產能， 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。
最近利基型內存（Specialty DRAM）的價格大漲，我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼？
Dynamic Random Access Memory，縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器，作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂，聽不懂沒關系，你只需要知道，它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存，計算機、手機中得有它，你可能沒聽說過DRAM，但你一定知道內存條， 沒錯，DRAM的最常見出現形式就是內存條。
近幾年的全球DRAM市場，呈現巨頭壟斷不變，市場規模多變的局面。
全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光，分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。
2019年市場銷售額為620億美元，同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一，中國佔比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場，手機/移動端佔比40%，伺服器佔比34%。
總結來說，巨頭壟斷，使得中國企業沒有議價權，DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域，但未來隨著數據向雲端轉移，市場會逐步向伺服器傾斜。
未來，由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化，微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後，製造難度越來越高，廠商對工藝的定義已不再是具體線寬，而是要在具體製程范圍內提升技術，提高存儲密度。
當前供需狀況，由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期，國內DRAM企業發展得到有利發展。
合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司，都在各自的賽道中沖刺，希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。
看哪家產品已經銷售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥長鑫優勢明顯
合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力？快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節，都是要在國外壟斷企業口裡奪食，如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言，合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。
這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域，長江存儲以NAND FLAH領域，而且投資都相當巨大，都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外，還有湖北地方產業基金，另外還有國家集成電路產業投資基金的介入，顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主，從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。
不管時快閃記憶體還是內存，目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷，價格的漲跌幾乎都已經被操縱，國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光，NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等，包括其他晶元一起，國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金，並且一直往上攀升。
這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域，但短時間之內要改變這種態勢還很難，一個是技術實力落後，另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右，況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放，在市場應用上的差距就更為懸殊。
從市場應用上來看，各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展，內存的應用地方相當多，甚至不可缺少，這帶來極大的需求量。相對而言，快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點，但需求同樣龐大。
國外三星、海力士等處於極強的強勢地位，而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾，相信這兩家未來都有不錯的前景，一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。
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理論上說長江存儲潛力更大，技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距，另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。
市場來說長鑫的dram內存價值更大。
但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的，所以誰錢多誰潛力大。
合肥長鑫是國產晶元的代表企業，主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元，目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊，員工總數超過 2700 人，核心技術人員超過 500。
長江存儲成立於2016年7月，總部位於武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人，其中資深研發工程師約 2200人，已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功，且進入加速擴產期，目前產能約 7.5 萬片/月，擁有業界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
存儲晶元行業屬於技術密集型產業，中國存儲晶元行業起步晚，缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。
誰先做出產品誰就有潛力，兩家現在主要方向也不一樣，一個nand一個dram，也得看技術和頂級玩家三星的差距
當然是長江存儲更有潛力，長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台，是國家存儲產業基地，長鑫買的外國專利授權，發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域，而長鑫卻沒有可能進入nand領域。
7. 長江存儲股票代碼
長江存儲股票代碼（600206），長江存儲科技有限責任公司13日宣布其128層研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。 長江存儲是中國核心半導體製造企業紫光集團旗下公司，主要業務為3DNAND快閃記憶體設計製造。2016年底落地武漢，總投資240億美元。 作為業內首款128層QLC規格的3DNAND快閃記憶體，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶元容量。
1.長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示，「作為快閃記憶體行業的新人，長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。」 快閃記憶體和SSD(固態硬碟)領域市場研究公司ForwardInsights創始人兼首席分析師GregoryWong認為：「QLC降低了NAND快閃記憶體單位位元組(Byte)的成本，更適合作為大容量存儲介質。比如可以作為伺服器和數據中心的存儲介質，適合AI計算、機器學習和大數據讀取密集型應用。」長江存儲以「新十年，芯夢想，新格局」為主題召開市場合作夥伴年會，江波龍電子、群聯電子、威剛科技，國科微，憶聯、群聯電子、慧榮科技、聯芸科技、美滿電子科技(Marvell)等長江存儲的市場合作夥伴首次集體亮相。
2.第三代產品將推128層快閃記憶體晶元 「2020年是存儲器黃金十年新的開始。隨著5G、AI、大數據、物聯網、雲計算等技術的發展，存儲器市場需求將呈現指數級增長。」長江存儲董事長、紫光集團董事長兼首席執行官趙偉國在會上表示，「中國市場為集成電路發展提供了資本縱深、市場縱深和人才縱深；紫光、長存有實力、有能力，更有對發展中國存儲器、集成電路產業不變的決心。」 2017至2019年間，長江存儲陸續推出了32層、64層3D NAND快閃記憶體晶元及存儲器解決方案，得到市場的認可。據了解，隨著5G、AI、智能生活、智慧城市帶來的個人消費電子和大規模數據中心的快速發展，市場對3D NAND快閃記憶體的需求將愈發白熱化，高密度、高性能、高品質、低延遲的3D NAND快閃記憶體解決方案越來越成為市場的主流趨勢。
3. 長江存儲首席執行官楊士寧表示，長江存儲已規劃2020年將提供嵌入式存儲、固態硬碟(SSD)等完整解決方案產品，面向更多通訊、系統整機客戶。自長江存儲2019年三季度量產第二代64層3D NAND快閃記憶體到現在，市場總體給予了正面積極的評價，這離不開合作夥伴的深度配合及終端市場的歷練。下一步，長江存儲的第三代產品將跳過96層，直接上128層堆疊快閃記憶體。 國科微與長存啟動長期深入合作 A股公司國科微副總裁康毅在會上表示：通過將長江存儲3D NAND快閃記憶體導入國科微固態硬碟，我們一起為用戶提供更領先的存儲解決方案。展望2020年，國科微將進一步深化與長江存儲的全方位合作。
8. 好消息：中企長江存儲128層快閃記憶體晶元量產出貨！正式打破韓企壟斷
我國晶元製造領域傳來了一個重大好消息。
我國晶元代工商「嘉合勁威」日前官宣，該司已經通過旗下品牌——阿斯加特發布新品AN4 PCle4.0 SSD，這款內存晶元的基於長江存儲128層技藝。7月29日當天，觀察者網聯系長江存儲代表人士確認了這個消息。 而這樣就意味著，長江存儲128層快閃記憶體晶元，順利實現量產並完成出貨，填補了我國高端存儲市場的空白。
一直以來，高端存儲晶元市場都是SK海力士、三星這2家韓國巨頭的天下。 當前市面上的存儲晶元主要分為DRAM和NAND兩大類，而在DRAM領域，三星和SK海力士就占據了超過70%的市場份額，NAND的市佔率也高達45%。
最新數據顯示，2021年1季度，三星一家企業就佔領了將近41%的內存晶元市場，SK海力士則分走了約29%的份額。 而在韓國幾乎壟斷了全球內存晶元市場之際，2020年10月，SK海力士還決定，斥資90億美元（摺合約582億元人民幣）買下美國巨頭英特爾的快閃記憶體（NAND）業務。
SK海力士此舉的意圖也很簡單，就是想擴大自身的內存晶元版圖，從而對三星世界第一的位置發起沖擊。 截至今年7月22日，已有新加坡、美國、韓國、巴西、英國等在內的7個國家和地區同意了SK海力士和英特爾的這筆生意，目前還剩下中國的監管機構沒有「點頭」。
要知道，靠著發展半導體產業，韓國的貿易有了突飛猛進的增長。 就在剛剛過去的6月，韓國貿易出口規模達到549億美元，同比大增了近40%，創下有史以來6月最高的出口增幅；而這個已是韓國連續8月實現出口增長。
其中，半導體在5-6月已經連續兩個月，實現100億美元以上的出口業績。 據韓國有關部門的數據，2021年上半年，該國在信息通信技術（ICT）領域突破了1030億美元（摺合約6657億元人民幣），為有史以來第二高的出口水平。
就6月的表現而言，韓國總計賣出了111.6億美元半導體，存儲晶元的出口佔比接近70%，約達75.4 億美元。 而中國還是韓國半導體的重要出口市場，6月自韓國手裡購買了近70億美元晶元（摺合約452億元人民幣），同比增幅超過37%，在我國自韓國進口的商品總額佔比約達75%。
雖然目前韓國沒有在晶元領域追加出口限制，我國還可以自韓國市場進口晶元，但是美國那邊卻不好說。 就在7月上旬，有美國官員發出呼籲，希望美國商務部將我國企業長江存儲列入觀察的「黑名單」中。隨後，在7月16日，長江存儲也對此事官方回應稱，該司的晶元產品均應用在民用領域，同時嚴格遵守WTO等國際組織的貿易規則，美國方面的說法失實。
要知道，長江存儲於2020年4月成功研發的這款128層存儲晶元，具備業界最高的IO速度，工藝水平在全球領先。 而據有關機構公布的數據，2020年中國的存儲晶元規模已經達到183億美元，預計到2024年將迎來500億美元的里程碑。
文 |廖力思 題 | 曾藝 圖 |盧文祥 審 |呂佳敏
9. 七彩虹 CN600 512G 適合r7000p嗎
七彩虹CN600512G適合r7000p。作為本土板卡一哥，七彩虹也不斷在存儲領域發力，尤其是為了推廣國產方案，特意在內存SSD產品線中都開辟了「國創·戰戟」系列，採用純國產顆粒+國產主控。這樣的好處顯而易見，SSD售價出現了跳水式的大幅度下降，以往只能買128GB的價格，如今可以購買到512GB以上容量。
七彩虹CN600工藝
七彩虹戰戟CN600採用了長江存儲的第三代TLC3DNAND快閃記憶體顆粒，基於長江存儲自主研發的Xtacking2.0架構工藝，先進的128層堆疊，並搭配了聯芸科技的主控MAP1202。
性能方面，512GB和1TB版本的順序讀寫速度為3300MB/s、600MB/s；256GB版的順序讀寫速度為3200MB/s、1200MB/s，都是妥妥的PCIe3.0高端水準。
10. 中國攻克最先進128層快閃記憶體：它到底強在哪何時能跟三星掰手腕
晶元分為存儲晶元和非存儲晶元，其中存儲晶元的種類很多，按用途可分為主存儲晶元和輔助存儲晶元。前者又稱內存儲晶元（內存），可以與CPU直接交換數據，速度快、容量小、價格高。後者為外存儲晶元（外存），指除內存及緩存以外的儲存晶元。此類儲存晶元一般斷電後仍然能保存數據，速度慢、容量大、價格低。