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w25晶元存儲空間

發布時間: 2022-09-02 13:33:03

① 華邦winbond的存儲w25X40系列的大容量w25x16,二者是否可以直接互換,驅動和頻腳是否都一樣

x40和x80屬同一系列flash晶元,容量x80是8Mbit,x40是4Mbit,管角排序都是一樣的,即在硬體電路上可直接替換。因內部資源不同,代碼有點區別。

② 半導體存儲晶元的容量描述,能根據容量描述計算晶元的地址線和數據線位數,求解,舉個例子

如果址線數量是n,則存儲空間有2的n次方,還要看數據線位數,8位才是一個位元組,所以實際容量是2的n次方乘以位寬除以8,如EPROM2764,有13根地址線和8根數據線,所以容量是2的13次方乘8除8,即8K
RAM 2114有10根地址線,可數據線只有4根,因此容量是1Kx4/8=512位元組
還有的數據線寬度是16,甚至32位的
還有的地址線是分行列並分時復用的,這時一根地址線相當於兩根

③ 怎麼根據晶元的地址范圍求該晶元的存儲容量

用末地址減首地址,加1即為十六進制數,再用二進制的權位表示即可,所以根據該題中EPROM晶元的地址范圍為:30800H ~ 30FFFH,可得晶元的存儲容量為2KB,另外一般EPROM晶元的存儲容量為4KB,再由於無地址重疊,所以晶元存儲容量為2KB。

U1:0xFE000~0xFFFFF,總計8192位元組;

U2:0xFA000~0xFA7FF,總計2048位元組的一半,也就是1024位元組;

U3的地址范圍與U2完全重合,負責2048位元組的另一半,也就是1024位元組。

(3)w25晶元存儲空間擴展閱讀:

存儲容量是一塊存儲晶元上所能存儲的二進制位數,假設存儲晶元的存儲單元數是M,一個存儲單元所存儲的信息的位數是N,則其存儲容量為M×N。

例如單片6116晶元的地址線是11位,每個存儲單元是8位,則M=2048,每個存儲單元可存8位,即N=8,所以6116的存儲容量=2048×8 = 2K×8 =2KB。

④ 路由器R100與300m有什麼區別

R100應該是路由器的型號,300M通常是無線最大速率。

⑤ 華為手機晶元存儲東西不限制是嗎

存儲晶元是有容量限制的。並且這個容量也不可能用完,總得留一部分空間。特別是ram,總得留下4G或更多。用於運行時磁碟數據交換。

⑥ SPI flash W25Q64B的程序誰用過呀,可以共享一份嗎

更多內容可查看《STC51單片機入門(C語言)》,出版的紙版書名稱為《51單片機輕松入門—基於STC15W4K系列》
第24 章 2M位元組Flash Rom存儲器W25Q16/W25X16
認識Flash Rom
FlashRom 是快速擦寫只讀存儲器,也就是我們常說的「快閃記憶體」,單片機程序存儲器就是Flash Rom,所謂「快閃記憶體」,就是一種非易失性的內存,屬於EEPROM的改進產品。它的最大特點是必須按塊對數據進行擦寫操作,晶元容量大(W25Q16容量2M位元組),而EEPROM則可以對單個位元組進行操作,晶元容量較小(24c512容量65536位元組)。前者容量是後者容量的32倍。另外Flash Rom比EEPROM具有更高的讀寫速度,晶元價格基本一致,W25Q16零售價3.5元。FlashRom除用於共業領域外,在消費電子產品中運用也非常廣泛,比如常見的U盤,SD卡,CF卡等存儲設備都是使用的FlashRom作為核心存儲器件。
Flash Rom的分類
NOR快閃記憶體 INTEL公司首批生產
NAND快閃記憶體 日立公司首批生產,比NOR快閃記憶體的寫周期短90%,保存刪除數據速度都較快,廣泛用於SD卡、XD卡、SM卡、CF卡等存儲卡上。
如果用來存儲少量的數據,這時NOR快閃記憶體更適合一些,而NAND快閃記憶體則是高資料密度的理想解決方案。比如單片機的程序存儲器就是Flash Rom中的NOR快閃記憶體,常見的存儲卡或U盤使用的是NAND快閃記憶體。
認識W25X16/ W25Q16
這里以W25X16介紹為主,W25Q16兼容W25X16,並且性能更佳,W25Q16保持了與W25X系列功能與管腳的完全兼容,並增加了雙/四輸入輸出等高效功能。W25Q的時鍾頻率達到了80MHz,等效讀取(連續)速率為每秒320兆位(40兆位元組), 這是標准50MHz串列快閃記憶體傳輸速率的六倍以上。與此同時,W25Q將每個讀指令需要的時鍾數目從40個減少到12個,進一步減少了70%的「隨機讀取」的指令負荷。W25Q16零售價3.5元。它們屬與NOR型閃,用量較多的還是貼片封裝,這樣可以減小印製板面積。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.jpg
W25X16有16Mbit存儲位,
因為1024bit就是1K, 16Mbit =16*1024*1024=16 777 216 bit,從手冊存儲器結構圖可以看出W25X16的最大地址值是1FFFFFH,24位地址高3位固定為0(W25X64才需用到最高3位),只有21位有效地址,2的21次方=2097152位元組,2097152個位元組正好存儲16 777 216bit,這里的地址都是以位元組為最小單位的。
W25X16分為8192頁,每頁256位元組,用「頁編程指令」每次就可以編程256位元組,用「扇區擦除指令」每次可擦除16頁,用「塊擦除指令」每次可擦除256頁,用「整片擦除指令」可一次擦除整個晶元,W25X16有512個可擦除扇區或32個可擦除塊。對於W25X16,1頁=256位元組,歸納一下,
1頁=256位元組
1扇區=16頁=16*256位元組=4096位元組 (W25X16有512個扇區)。
1塊=256頁=256*256位元組=65536位元組 (W25X16有32塊)。
它採用標准SPI介面與單片機進行通信,最大時鍾速率75M。W25X16引腳排列如下圖所示。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.jpg

引腳號

引腳名稱

輸入輸出類型(I/O)

功能

1

/CS

I

片選,低電平工作,高電平時DO腳高阻

2

DO

O

數據輸出,下降沿輸出

3

/WP

I

防寫,低電平保護狀態寄存器不被改寫

4

GND



5

DIO

I/O

數據輸入/輸出

6

CLK

I

時鍾

7

/HOLD

I

保持,低電平保持

8

VCC

電源,2.7-3.6V

說明:
5腳(DIO):在普通方式下,這個引腳是串列輸入引腳(DI),數據、地址和命令通過此引腳送到晶元內部,在CLK引腳的上升沿捕獲。當使用了「快讀雙輸出指令」時,這個引腳就變成了DO引腳,這種情況下,晶元就有了2個DO引腳,所以叫做雙輸出,這時晶元的通信速度相當於翻了一倍,所以傳輸速度更快。
7腳(/HOLD):保持引腳,當/CS片選為低電平,且HOLD為低電平時,DO引腳處於高阻態,而且會忽略DIO和CLK引腳上的信號,把HOLD拉高,器件恢復正常工作,當晶元與多個其它晶元共享單片機上的同一個SPI介面時,此引腳就顯得非常有用,通常此引腳接高電平保證晶元正常工作。
什麼都不用做,直接連接就是了。w25的埠兼容5伏的。用個1117--3.3V的就能共用5V,或5V的用兩個二級管降壓後得3.6V也和3.3V很接近可以用。
W25X16內部狀態寄存器(上電復位時,各位都被清零)

7

6

5

4

3

2

1

0

SPR

保留位(0)

TB

BP2

BP1

BP0

WEL

BUSY

BUSY忙位:
只讀位,在晶元執行「頁編程」,「扇區擦除」 、「塊擦除」、 「晶元擦除」、 「寫狀態寄存器」指令時,該位自動置1,此時除了「讀狀態寄存器」指令,其它指令都無效,當編程、擦除和寫狀態寄存器指令執行完畢後,該為自動變0,表示晶元可以接收其它指令了。
WEL防寫位:
只讀位,寫操作允許標志位,當執行完寫使能指令後,該位為1表示允許寫操作,為0表示禁止寫,當晶元掉電後或執行寫禁止、頁編程、扇區擦除、塊擦除、晶元擦除和寫狀態寄存器命令後自動進入防寫狀態。
BP2、BP1、BP0塊保護位:
可讀寫位,用於塊區保護,可用寫狀態寄存器命令修改這幾位,為這3位為0時,塊區無保護,當SPR位為1或/WP腳為低時,這3位無法更改。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image008.jpg
TB 底部頂部塊保護位:
可讀寫位,用於底部頂部塊保護,可用寫狀態寄存器命令修改這1位,當這1位為0時,底部頂部塊區無保護,當SPR位為1或/WP腳為低時,這1位無法更改。
SPR狀態寄存器保護位:
可讀寫位,意義如下表

SPR

/WP

狀態寄存器

0

0

可讀寫

0

1

可讀寫

1

0

無法讀寫

1

1

可讀寫

W25X16包括15個基本指令,通過這15個基本指令與SPI匯流排就完全可以控制晶元,指令在/CS拉低後開始傳送,DIO引腳上數據的第一個位元組就是指令碼,在CLK引腳的上升沿採集DIO數據,高位在前。
指令的長度從1個位元組到多個位元組,有時還會跟隨地址位元組、數據位元組、偽位元組,有時候還會是它們的組合,在/CS引腳的上升沿完成指令的傳輸,所有的讀指令都可以在任意時鍾位完成,而所有的寫、編程和擦除指令在一個位元組的邊界後才能完成,否則,指令將不起作用,這個特徵可以保護晶元不被意外寫入,當晶元正在被編程、擦除或寫狀態寄存器的時候,除「讀狀態寄存器」指令,其它所有指令都將被忽略直到擦寫周期結束。

指令名稱

位元組1

位元組2

位元組3

位元組4

位元組5

位元組6

下一個位元組

寫使能

06H

寫禁止

04H

讀狀態寄存器

05H

(S7~S0)

寫狀態寄存器

01H

S7~S0

讀數據

03H

A23~A16

A15~A8

A7~A0

(D7~D0)

下一個位元組

繼續

快讀

0BH

A23~A16

A15~A8

A7~A0

偽位元組

D7~D0

下一個位元組

快讀雙輸出

3BH

A23~A16

A15~A8

A7~A0

偽位元組

I/O=(D6,D4,D2,D0) O=(D7,D5,D3,D1)

每4個時鍾1個位元組

頁編程

02H

A23~A16

A15~A8

A7~A0

(D7~D0)

下個位元組

直到256個位元組

塊擦除(64K)

D8H

A23~A16

A15~A8

A7~A0

扇區擦除(4K)

20H

A23~A16

A15~A8

A7~A0

晶元擦除

C7H

掉電

B9H

釋放掉電/器件ID

ABH

偽位元組

偽位元組

偽位元組

(ID7~ID0)

製造器件ID

90H

偽位元組

偽位元組

00H

(M7~M0)

(ID7~ID0)

JEDEC ID

9FH

(M7~M0)

(ID15~ID8)

(ID7~ID0)

說明:數據高位在前,帶括弧的數據表示數據從DO引腳讀出。

寫使能06H:
寫使能指令將會使狀態寄存器WEL位置位,在執行每個「頁編程」、「扇區擦除」、「塊擦除」、「晶元擦除」和「寫狀態寄存器」命令之前,都要先置位WEL,/CS腳先拉低之後,「寫使能」指令碼06H從DIO引腳輸入,在CLK上升沿採集,然後再拉高/CS引腳。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.jpg
寫禁止04H:
時序與寫使能相同,執行完「頁編程」、「扇區擦除」、「塊擦除」、「晶元擦除」和 「寫狀態寄存器」命令之後WEL位會自動變0,即自動進入寫禁止狀態。

讀狀態寄存器05H
當/CS拉低之後,開始把05H從DIO引腳送入晶元,在CLK的上升沿數據被晶元採集,當晶元認出採集到的數據是05H時,晶元就會把「狀態寄存器」的值從DO引腳輸出,數據在CLK的下降沿輸出,高位在前。
讀狀態寄存器指令在任何時候都可以用,甚至在編程、擦除、寫狀態寄存器的過程中也可以用,這樣就可從狀態寄存器的BUSY位判斷編程、擦除、寫狀態寄存器周期是否結束,從而讓我們知道晶元是否可以接收下一指令,如果/CS不被拉高,狀態寄存器的值將一直從DO腳輸出,當/CS拉高後,該指令結束。讀狀態寄存器時序如下圖所示。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.jpg
寫狀態寄存器01H
在執行寫狀態寄存器指令以前,需要先按「寫使能時序」執行完「寫使能」指令,然後再次將/CS拉低,把01H從DIO引腳送入晶元,然後再把需要的狀態寄存器的值送入晶元,拉高/CS,指令結束,如果此時沒把/CS腳拉高,或者是拉得晚了,值將不會被寫入,指令無效。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image014.jpg

讀數據03H
讀數據指令允許讀取一個或多個位元組,先將/CS拉低,把03H從DIO引腳送入晶元,然後再把24位地址送入晶元,這些數據在時鍾的上升沿被晶元採集,晶元收到24位在CLK引腳的下降沿從DO引腳輸出,高位在前。當讀完這個地址的數據後,地址自動增加,然後通過DO引腳把下一個地址的數據輸出,也就是說,只要CLK在工作,通過一條指令就可把整個晶元儲存區的數據全部讀出來,把/CS腳拉高,「讀數據」指令結束,當晶元在執行編程、擦除和讀狀態寄存器指令的周期內,「讀數據」指令無效。

file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image016.jpg

頁編程02H
在執行頁編程指令以前,需要先擦除整個待寫入區域,保證待寫入區域全為1,然後按「寫使能時序」執行完「寫使能」指令,再把/CS拉低,將02H從DIO引腳送入晶元,然後再把24位地址送入晶元,然後接著送要寫入的位元組到晶元,在寫完數據後,把/CS拉高。寫完一頁後必須把地址改為0,不然的話,如果時鍾還在繼續,地址將自動變為頁的開始地址,如果寫入的位元組不足256個位元組的話,其它寫入的位元組都是無意義的,如果寫入的位元組大於256位元組,多餘的位元組加上無用的位元組覆蓋剛剛寫入的256位元組,所以需要保證寫入的位元組小於或等於256位元組。如果寫入的地址處於防寫狀態,「頁編程」指令無效。

file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image018.jpg
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image020.jpg

扇區擦除20H
扇區擦除指令將一個扇區(4096位元組)擦除,擦除後扇區位元組都為FFH,在執行扇區擦除指令以前,需要先按「寫使能時序」執行完「寫使能」指令,然後再次將/CS拉低,把20H從DIO引腳送入晶元,然後再把24位扇區地址送入晶元,然後拉高/CS,指令結束,如果此時沒及時把/CS腳拉高,指令將不起作用。如果擦除的地址處於防寫狀態,「扇區擦除」指令無效。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image022.jpg

塊擦除D8H
塊擦除指令將一個塊(65536位元組)擦除,擦除後扇區位元組都為FFH,在執行塊擦除指令以前,需要先按「寫使能時序」執行完「寫使能」指令,然後再次將/CS拉低,把D8H從DIO引腳送入晶元,然後再把24位扇區地址送入晶元,然後拉高/CS,指令結束,如果此時沒及時把/CS腳拉高,指令將不起作用。如果擦除的地址處於防寫狀態,「塊擦除」指令無效。

晶元擦除C7H
晶元擦除指令將整個晶元儲存區擦除,擦除後整個晶元儲存區位元組都為FFH,在執行晶元擦除指令以前,需要先按「寫使能時序」執行完「寫使能」指令,然後再次將/CS拉低,把C7H從DIO引腳送入晶元,然後拉高/CS,指令結束,如果此時沒及時把/CS腳拉高,指令將不起作用。任何一個塊處於防寫狀態,「塊擦除」指令無效。

⑦ BIOS中FWH LPC和FLASH ROM有什麼區別

首先說說BIOS晶元呢?直接翻譯過來就是「基本輸入輸出系統」。其實它就是一片存儲晶元,現在的主板上主要用華邦公司的W25T80,這個BIOS晶元也叫FLASH ROM(這里說明一下,Flash:是一種存儲器的種類,也叫快閃記憶體,它還分NOR FLASH 和 NAND FLASH兩種。至於ROM,它是「只讀存儲器」的英文縮寫)。BIOS的主要作用就是存放工廠的引導程序……等等,它類似於Bootloader(嵌入式系統上的BIOS)...

然後再說說這個BIOS晶元是怎麼連接到主板上的,在很古老的計算機上,BIOS是通過ISA匯流排連接到南橋的(ISA匯流排是一種比較原始的匯流排,廣泛用於奔騰3;比它還老的還有AT匯流排,這個可以追溯到8086的年代。。。),用這種古老匯流排連接BIOS晶元得需要很多根導線,從而導致南橋的管腳很多,而且PCB(電路板)設計起來也比較麻煩。。所以Intel公司在某年某月某日(具體網路一下)提出了LPC(Low Pin Count)匯流排,它的協議類似PCI匯流排,其實就是壓縮版的ISA。。。然後LPC同時還支持IO晶元(以前的IO晶元也是掛在ISA上的)。。。

IO晶元,就是輸入輸出晶元,主要控制主板的開機、關機、鍵盤、滑鼠、串口、並口等等。。而BIOS的最終目的還是要映射到內存中被CPU執行的,所以Intel又突發奇想,把管理BIOS的部分單獨拿出來,而連接IO晶元的依然叫做LPC匯流排(LPC Bus),但是連接BIOS的,和包括整個BIOS的硬體和軟體的這部分被叫做FWH,它是一種協議,是南橋與內存傳輸數據的協議。至於FWH是「固件控制器」的英文縮寫。這里的「固件」指的是BIOS。

這也就是說現在生產的南橋晶元多數都會有一個LPC,被叫做LPC Bus,同時該匯流排也掛著BIOS,這個連接BIOS這部分也可以叫做FWH,它集成在南橋內部。換句話說,FWH就是管理BIOS用的一種規范。見下圖:

可以看出BIOS和IO晶元的LPC部分與南橋的LPC部分都是同一根線。。。。這里的SIO是「超級IO」的意思。也就是IO晶元。

好了,至此我大概的從偏硬體的角度,簡單闡述了BIOS晶元、FWH LPC和FLASH ROM的區別。如果還有疑問可以隨時來問我。祝你好運!

⑧ 寫出每個晶元的地址范圍

ROM區0000H-3FFFH=2的15次方為32Kb*16 需要4個用8K*8位的RAM晶元字擴展 2個用8K*8位的RAM晶元位擴展 可以組成RAM區為32Kb*16的
存儲空間
RAM區為40Kb*16 需要5個用8K*8位的RAM晶元字擴展 2個用8K*8位的RAM晶元位擴展 可以組成RAM區為40Kb*16的存儲空間
CPU的地址匯流排為16根 所以主存地址為2的16次方 共64Kb存儲空間 數據線16位 所以主存儲器為64Kb*16的容量 其中64Kb=0000H-ffffH

⑨ IC卡多大的存儲量

所有IC卡內部結構基本相同,以最低的IC卡為例,裡面一共有16個扇區單位表示為16S,每一個扇區擁有4個塊表示為4個M,(4個塊中有一塊是存儲的扇區的密碼);每個塊可以寫入16個FF,一個FF轉換為10進制是255也就是一個位元組,容量=16位元組*4個塊*16個分區=1024位元組=1KB;不同的IC卡晶元內部的分區數量會不一樣,每個分區的塊數也可能不一樣但是基本的每個塊能存儲的猜測應該都是一直的,是16個FF=16位元組,所以容量公式為:16*乘以每個分區的塊數*多少個分區=該IC卡的容量

⑩ Winband W94255G6XH-5 儲存晶元容量是多少

多打了一個5,容量是32MB(256Mb),DDR SDRAM。