『壹』 mos管是什麼原理，起什麼作用的
MOS管的原理：
它是利用VGS來控制「感應電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
作用：
1、可應用於放大電路。由於MOS管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、可以用作可變電阻。
4、可以方便地用作恆流源。
5、可以用作電子開關。
簡介：
mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
結構特點：
MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都採用垂直導電結構，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
p溝道mos管
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大於閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。
『貳』 mos管是什麼原理起什麼作用
工作原理：
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極體快。其主要原理如圖：
作用：
由於MOS管主要是為配件提供穩定的電壓，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和內存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管，而內存插槽則共用了一組MOS管，MOS管一般是以兩個組成一組的形式出現主板上的。
『叄』 高分懸賞!誰能用最通俗的語言給我講清楚MOS管的主要功用,及工作原理
MOS管
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconctor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬於場效應晶體管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為場效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用於放大電路或開關電路。而在主板上的電源穩壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用「Q」加數字表示。
一、MOS管的作用是什麼？
目前主板或顯卡上所採用的MOS管並不是太多，一般有10個左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC晶元中去了。由於MOS管主要是為配件提供穩定的電壓，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和內存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管，而內存插槽則共用了一組MOS管，MOS管一般是以兩個組成一組的形式出現主板上的。
二、MOS管的性能參數有哪些？
優質的MOS管能夠承受的電流峰值更高。一般情況下我們要判斷主板上MOS管的質量高低，可以看它能承受的最大電流值。影響MOS管質量高低的參數非常多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無法標注這么多參數，所以在MOS管表面一般只標注了產品的型號，我們可以根據該型號上網查找具體的性能參數。
還要說明的是，溫度也是MOS管一個非常重要的性能參數。主要包括環境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由於CPU頻率的提高，MOS管需要承受的電流也隨著增強，提供近百A的電流已經很常見了。如此巨大的電流通過時產生的熱量當然使MOS管「發燒」了。為了MOS管的安全，高品質主板也開始為MOS管加裝散熱片了。
電感與MOS管是如何合作的？
通過上面的介紹，我們知道MOS管對於整個供電系統起著穩壓的作用，但是MOS管不能單獨使用，它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩壓電路，才能發揮充分它的優勢。
主板上的PWM(Plus Width Molator，脈沖寬度調制器)晶元產生一個寬度可調的脈沖波形，這樣可以使兩只MOS管輪流導通。當負載兩端的電壓(如CPU需要的電壓)要降低時，這時MOS管的開關作用開始生效，外部電源對電感進行充電並達到所需的額定電壓。當負載兩端的電壓升高時，通過MOS管的開關作用，外部電源供電斷開，電感釋放出剛才充入的能量，這時的電感就變成了「電源」，繼續對負載供電。隨著電感上存儲能量的不斷消耗，負載兩端的電壓又開始逐漸降低，外部電源通過MOS管的開關作用又要充電。這樣循環不斷地進行充電和放電的過程，從而形成一種穩定的電壓，永遠使負載兩端的電壓不會升高也不會降低。
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『肆』 常用的mos管有哪些
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
一、結型場效應管（JFET）
結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。
結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)，N溝道結構型場效應管的結構及符號，由於PN結中的載流子已經耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那麼負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。
二、絕緣柵場效應管
1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什麼溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用UGS來控制「感應電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之後才有漏極電流的稱為增強型。
『伍』 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
『陸』 浮山雪崩注入型mos管結構的Eprom存儲元,在漏極D端加上幾十伏脈沖電壓,會發生什麼內部變化
首先考察一個更簡單的器件——MOS電容——能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon（外在硅），他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric（柵介質）。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。
當MOS電容的GATE相對於BACKGATE正偏置時發生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況。由於過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小於閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現了。
MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反轉（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）。
正是當MOS電容的GATE相對於backgate是負電壓時的情況。電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處於accumulation狀態了。
MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小於閾值電壓，就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。
『柒』 半導體存儲器的分類；各自的特點；存儲器容量與片上地址的關系；
半導體存儲器分ROM和RAM
ROM只讀存儲器
只能讀，不能寫，斷電後信息不會丟失，屬非易性存儲器,ROM又分為
1、掩膜ROM：由生產廠商用掩膜技術將程序寫入其中，適用於大批量生產
2、可編程ROM（PROM或OTP）：由用戶自行寫入程序，一旦寫入，不能修改，適用於小批量生產
3、可擦除可編程ROM（ EPROM ）：可由用戶自行寫入，寫入後，可用紫外線光照擦除重新寫新的程序，適用於科研
4、電可擦除ROM（EEPROM）：可用電信號擦除和重新寫入的存儲器，適用於斷電保護
RAM 隨機存取存儲器
既能讀，又能寫，斷電後信息會丟失，屬易失性存儲器
RAM用於存放各種現場的輸入輸出程序，數據，中間結果。RAM又分為靜態RAM，動態RAM
1、靜態RAM（SRAM）：利用半導體觸發器兩個穩定的狀態表示0或1
靜態RAM又分為雙極型的SRAM和MOS管的SRAM
雙極型的SRAM：用晶體管觸發器作為記憶單元
MOS管的SRAM：由6個MOS管作為記憶單元
雙極雙極型的SRAM型速度快， MOS管速度慢，不需要刷新
2、動態RAM（DRAM）：利用MOS管的柵極電容保存信靜態RAM息，即電荷的多少表示0和1。
動態RAM需要進行刷新操作
存儲器容量可以表示成2^n,n為地址線的數目