㈠ 內存是電容構成的嗎
不是，內存是由易失性CMOS存儲寄奇器構成，電子電路中不能實現大容量的電容，所以，內存並不是由內存構成的。
㈡ 按存儲內容內存分為哪幾種
經常見到的內存按出現的先後為：EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。
而實際上內存種類很多。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）：
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
㈢ 存儲器的基本結構原理
存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同
存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器
結構
存儲器結構在MCS - 51系列單片機中，程序存儲器和數據存儲器互相獨立，物理結構也不相同。程序存儲器為只讀存儲器，數據存儲器為隨機存取存儲器。從物理地址空間看，共有4個存儲地址空間，即片內程序存儲器、片外程序存儲器、片內數據存儲器和片外數據存儲器，I/O介面與外部數據存儲器統一編址
存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。
主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。
指示每個單元的二進制編碼稱為地址碼。尋找某個單元時，先要給出它的地址碼。暫存這個地址碼的寄存器叫存儲器地址寄存器(MAR)。為可存放從主存的存儲單元內取出的信息或准備存入某存儲單元的信息，還要設置一個存儲器數據寄存器(MDR)
㈣ U盤Flash存儲晶元的存儲單元是什麼場效應管還還是電容
快閃記憶體的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。
㈤ 16位DRAM,每個存儲單元里有多少個電容和多少個晶體管對嗎是16個電容和16個晶體管嗎
不對！一個存儲單元不會只有一個晶體管。存儲單元是有暫穩態電路組成，燒絲後變成穩態電路。有反轉電路、鎖定電路構成，有時還需要跟隨器電路，以及門電路。所以，一個存儲單元要有十幾只晶體管組成，在大規模集成電路中，為了追求穩定性，晶體管放大倍數不可能做的太大，這就需要幾十隻電路組成，電容主要用於微分、積分電路，也不可能只有一隻。
㈥ 存儲器是由什麼物質組成的
每個存儲單元（1bit）由一個電容器和一個晶體管構成，無數個存儲單元有構成了一塊存儲晶元，幾塊存儲晶元又構成了內存
㈦ 電容能不能儲存信息
一個電容只能存儲一位二進制信息。實際上現在的絕大多數只讀存儲器都是利用高阻抗元件的結電容來存儲信息。
㈧ 電容可以存儲電能嗎
電容可以存儲電能。最常見的應用：電源濾波電路中的濾波電容，在整流二極體導通期，對電容充電（儲能）；而當整流二極體截止期（放電），釋放電能給負載，保證輸出的連續性。
㈨ 電容是儲存電壓的還是儲存電流的電感呢
所謂電容，就是容納和釋放電荷的電子元器件。電容的基本工作原理就是充電放電，
當然還有整流、振盪以及其它的作用。另外電容的結構非常簡單，主要由兩塊正負電極和
夾在中間的絕緣介質組成，所以電容類型主要是由電極和絕緣介質決定的。在計算機系統
的主板、插卡、電源的電路中，應用了電解電容、紙介電容和瓷介電容等幾類電容，並以
電解電容為主。
紙介電容是由兩層正負錫箔電極和一層夾在錫箔中間的絕緣蠟紙組成，並拆疊成扁體
長方形。額定電壓一般在63V～250V之間，容量較小，基本上是pF(皮法)數量級。現代紙
介電容由於採用了硬塑外殼和樹脂密封包裝，不易老化，又因為它們基本工作在低壓區，
且耐壓值相對較高，所以損壞的可能性較小。萬一遭到電損壞，一般症狀為電容外表發
熱。
瓷介電容是在一塊瓷片的兩邊塗上金屬電極而成，普遍為扁圓形。其電容量較小，都
在pμF(皮微法)數量級。又因為絕緣介質是較厚瓷片，所以額定電壓一般在1～3kV左右，
很難會被電損壞，一般只會出現機械破損。在計算機系統中應用極少，每個電路板中分別
只有2～4枚左右。
電解電容的結構與紙介電容相似，不同的是作為電極的兩種金屬箔不同(所以在電解
電容上有正負極之分，且一般只標明負極)，兩電極金屬箔與紙介質捲成圓柱形後，裝在
盛有電解液的圓形鋁桶中封閉起來。因此，如若電容器漏電，就容易引起電解液發熱，從
而出現外殼鼓起或爆裂現象。電解電容都是圓柱形(圖1)，體積大而容量大，在電容器上
所標明的參數一般有電容量(單位:微法)、額定電壓(單位:伏特)，以及最高工作溫度(單
位:℃)。其中，耐壓值一般在幾伏特～幾百伏特之間，容量一般在幾微法～幾千微法之
間，最高工作溫度一般為85℃～105℃。指明電解電容的最高工作溫度，就是針對其電解
液受熱後易膨脹這一特點的。所以，電解電容出現外殼鼓起或爆裂，並非只有漏電才出
現，工作環境溫度過高同樣也會出現。