存儲器光刻膠成分分析

『壹』 光刻膠的作用

光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。光刻膠的作用就是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法，因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。
光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋於基材表面。當紫外光或電子束的照射時，光刻膠材料本身的特性會發生改變，經過顯影液顯影後，曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面，這樣就將設計的微納結構轉移到了光刻膠上，而後續的刻蝕、沉積等工藝，就可進一步將此圖案轉移到光刻膠下面的襯底上，最後再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。
2. 光刻膠應用范圍
光刻膠廣泛應用於集成電路(IC)，封裝(Packaging)，微機電系統(MEMS)，光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板顯示器(LED,LCD,OLED)，太陽能光伏(Solar PV)等領域。
3.光刻膠分類及類型
光刻膠按其形成圖形的極性可以分為：正性光刻膠和負性光刻膠。
正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子；負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉，因此正膠的曝光部分被去掉，而負膠的曝光部分被保留。
①．紫外光刻膠（Photoresist）：
各種工藝：噴塗專用膠，化學放大膠，lift-off膠，圖形反轉膠，高解析度膠，LIGA用膠等。
各種波長: 深紫外(Deep UV)、I線(i-line)、G線(g-line)、長波(longwave)曝光用光刻膠。
各種厚度: 光刻膠厚度可從幾十納米到上百微米。
②. 電子束光刻膠（電子束抗蝕劑）（E-beam resist）
電子束正膠：PMMA膠，PMMA/MA聚合物， LIGA用膠等。
電子束負膠：高解析度電子束負膠，化學放大膠（高靈敏度電子束膠）等。
③. 特殊工藝用光刻膠（Special manufacture/experimental sample）
電子束曝光導電膠，耐酸鹼保護膠，全息光刻用膠，聚醯亞胺膠（耐高溫保護膠）等特殊工藝用膠。
④．配套試劑（Process chemicals）
顯影液、去膠液、稀釋劑、增附劑（粘附劑）、定影液等。
4.光刻膠成分
光刻膠一般由4部分組成：樹脂型聚合物（resin/polymer），溶劑（solvent），光活性物質（photoactive compound，PAC），添加劑（Additive）。 其中，樹脂型聚合物是光刻膠的主體，它使光刻膠具有耐刻蝕性能；溶劑使光刻膠處於液體狀態，便於塗覆；光活性物質是控制光刻膠對某一特定波長光/電子束/離子束/X射線等感光，並發生相應的化學反應；添加劑是用以改變光刻膠的某些特性，如控制膠的光吸收率/溶解度等。
5.光刻膠的主要技術參數
5.1．靈敏度（Sensitivity）
靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
5.2．解析度（resolution）
區別矽片表面相鄰圖形特徵的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的解析度越好。
光刻膠的解析度是一個綜合指標，影響該指標的因素通常有如下3個方面：
(1) 曝光系統的解析度。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高解析度圖形。
(3) 前烘、曝光、顯影、後烘等工藝都會影響光刻膠的解析度。
5.3．對比度（Contrast）
對比度指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。 對比度越好，越容易形成側壁陡直的圖形和較高的寬高比。
5.4．粘滯性/黏度 （Viscosity）
衡量光刻膠流動特性的參數。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的塗膠厚度。
5.5．抗蝕性（Anti-etching）
光刻膠必須保持它的粘附性，在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
5.6．工藝寬容度（Process latitude）
光刻膠的的前後烘溫度、曝光工藝、顯影液濃度、顯影時間等都會對最後的光刻膠圖形產生影響。每一套工藝都有相應的最佳的工藝條件，當實際工藝條件偏離最佳值時要求光刻膠的性能變化盡量小，即有較大的工藝寬容度。 這樣的光刻膠對工藝條件的控制就有一定的寬容性。
6.特殊光刻膠介紹
6.1. 化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）
化學放大膠中含有一種叫做"光酸酵母"（PAG, Photo Acid Generator）的物質。在光刻膠曝光過程中，PAG分解，首先產生少量的光酸。在曝光後與顯影前經過適當溫度的烘烤，即後烘（PEB, Post Exposure Baking）這些光酸分子又發連鎖反應，產生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻膠的曝光部分變成可溶（正膠）或不可溶（負膠）。 主要的化學反應是在後烘過程中發生的，只需要較低的曝光能量來產生初始的光酸，因此化學放大膠通常有很高的靈敏度。
6.2.灰度曝光（Grey Scale Lithography）
灰度曝光可以產生曲面的光刻膠剖面，是製作三維浮雕結構的光學曝光技術之一。灰度曝光的關鍵在於灰度掩膜板的製作、灰度光刻膠工藝與光刻膠浮雕圖形向襯底材料的轉移。傳統掩膜板只有透光區和不透光區，而灰度掩膜板的透光率則是以灰度等級來表示的。實現灰度掩膜板的方法是改變掩膜的透光點密度。

『貳』 光刻膠是大規模集成電路印刷電路版技術中的關鍵材料，某一光刻膠的主要成分如圖所示，下列有關說法正確的

『叄』 光刻膠是否與酸發生反應常見的光刻膠有哪些種類主要成分是什麼

光刻膠是有機物，與強氧化性的酸會反應，如：濃HNO3，濃H2SO4。
光刻膠種類：正膠，負膠
成分有三種：溶劑，感光物，催化劑。

『肆』 蘇州瑞紅的RZJ-304(25mp.s)光刻膠是屬於哪種類型的光刻膠 成分有什麼

http://www.szruihong.com/Proct/Show.aspx?id=352
正性光刻膠

『伍』 光刻膠的成分對身體有哪些傷害

網上有人說：光刻膠的危害主要是溶劑，負膠的溶劑是二甲苯毒性很大，而且非水溶性，難
...
不過顯影去膠用的是鹼液，方便無毒。總之，身體使自己，要好好愛惜！
個人認為光刻膠一般不會有太多的傷害，因為你用的時候不是都戴著手套和口罩嗎？皮膚不能接觸，它們又具有很強的揮發性，沒有什麼可怕的！但是畢竟是有機物嘛，所以需要注意一下。但是你放心吧，沒有傷害！！！如果有很大的傷害，網上的答案可是會很多很多的！呵呵
純粹個人觀點！因為我一直用

『陸』 UV光刻膠中的正性和負性膠的區別

最主要的區別就是正膠經曝光顯影後可溶與顯影液; 負膠經曝光顯影後不溶與顯影液
同樣一塊mask， 正膠和負膠曝光顯影後圖形是相反的

『柒』 已知有機物A是光刻膠剝離液的主要成分之一，用於液晶顯示器等，也可制高純度醫葯制劑，F的最簡式與D的分

A水解得到B和C，B能被氧化，則B是醇，C是酸，C能發生顯色反應，又能和碳酸氫鈉溶液反應，所以C中含有羧基、酚羥基兩種官能團；
B能發生連續氧化反應，F為對應的酯，再結合A的分子式及F的最簡式與D的分子式相同，所以F是甲酸甲酯，D是甲醛，B是甲醇；
根據原子守恆知，C的分子式為C7H6O5，除去羧基，分子中應該含有3個酚羥基，因為A的部分結構與C相似，A中相同的官能團處於鄰位，不同的官能團處於對位，所以A的結構簡式為：，因為丁基有4種結構，兩個官能團連在同一苯環上有鄰、間、對3種結構，所以符合條件的同分異構體有12種，
故答案為：12．

『捌』 JNC/JSR/KOlon光刻膠的特點與區別OC膠中，JNC/JSR/KOlon光刻膠的特點與區別

摘要 光刻膠的主要成分有光刻膠樹脂、感光劑、溶劑和添加劑。光刻膠樹脂是一種惰性的聚合物基質，是用來將其它材料聚合在一起的粘合劑；光刻膠的粘附性、膠膜厚度等特性都是由樹脂決定的。感光劑是光刻膠的核心部分，它對光形式的輻射能會發生反應，曝光時間、光源所發射光線的強度都和感光劑的特性直接相關。溶劑是光刻膠中容量最大的成分；因為感光劑和添加劑都是固態物質，為了將他們均勻地塗覆，要將它們加入溶劑進行溶解，形成液態物質，使之具有良好的流動性，可以通過旋轉方式塗布在晶圓表面。添加劑可以用以改變光刻膠的某些特性，如可以通過添加染色劑來改善光刻膠，使其發生反射。