❶ ram與rom的區別
ROM與RAM的主要區別：
在手機中，RAM是指手機內存，屬於手機內部存儲器，屬於隨機存儲，速度高於ROM，對於手機配置性能起著重要的決定性，另外掉電後，數據被清空，比如手機運行著QQ與其它軟體，重啟手機後，軟體就沒有處於登錄狀態。
而ROM則屬於外部存儲，比如我們經常可以購買SD卡放入手機裡面，則就是手機ROM，手機ROM就是我們通常說的存儲卡，也可以簡單的理解成手機硬碟吧。用來存儲手機系統文件、圖片、電影等等，不會隨著掉電而丟失數據，ROM越大存儲的數據就越多。
內存條（Random Access Memory，縮寫：RAM，又名：隨機存取存儲器），是與CPU直接交換數據的內部存儲器，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
內存條工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。
❷ 主存儲器的分類中RAM為何叫做隨機存儲器，動態和靜態的（DRAM和SRAM）又是按什麼原理分的
DRAM，動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。
而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。
SRAM，靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據
不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM，同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。
DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現在，SDRAM的速度也已經很快了，時鍾好像已經有150兆的了。那麼就是讀寫周期小於10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鍾周期是7.5ns，當CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發讀操作，10個周期完成8個突發寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當然除去刷新操作）。其實現在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。
SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。 然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式
。
SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用
的。
SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。
主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不
包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量
較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。
一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時
的刷新來保持。
內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「
內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保
持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相
同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU
內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM。
❸ DDR、RAM和DRAM都是指的內存，那麼它們三者有什麼聯系嗎怎麼會有這三種說法
ram是隨機存儲器。dram是動態隨機存儲器（這和前者沒什麼不同）或者直接隨機存儲器（直接是指和CPU某種程度上直聯）。ddr 是指雙通道的ram。
隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。
RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。
存儲器是數字系統中用以存儲大量信息的設備或部件，是計算機和數字設備中的重要組成部分。存儲器可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。
隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。
ROM為只讀存儲器，除了固定存儲數據、表格、固化程序外，在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。
❹ 什麼是SDRAM、DDR、DDRⅡ
DDR SDRAM是DDR和DDRⅡ的全稱,也就是說DDR \DDRⅡ都是DDR SDRAM.
而DDR DDRⅡ的區別在哪呢?
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
與雙倍速運行的數據緩沖相結合，DDR2內存實現了在每個時鍾周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，盡管DDR2內存採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規格和DDR 是不兼容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決
DDR和DDR2的區別嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鍾周期內只傳輸一次數據，它是在時鍾的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鍾周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鍾的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了 DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDL本質上不需要提高時鍾頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標准 SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鍾、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標准，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標准。
DDR2內存起始頻率從DDR內存最高標准頻率400Mhz開始，現已定義可以生產的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標准工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz，工作電壓為1.8V。DDR2採用全新定義的240 PIN DIMM介面標准，完全不兼容於DDR的184PIN DIMM介面標准。
DDR2和DDR一樣，採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但是最大的區別在於，DDR2內存可進行4bit預讀取。兩倍於標准DDR內存的2BIT預讀取，這就意味著，DDR2擁有兩倍於DDR的預讀系統命令數據的能力，因此，DDR2則簡單的獲得兩倍於DDR的完整的數據傳輸能力。
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於所謂的兩倍於DDR的傳輸能力，而是，在採用更低發熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制
❺ ddr是什麼
DDR=Double Data Rate雙倍速率,DDR SDRAM=雙倍速率同步動態隨機存儲器，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
中文名
雙倍速率同步動態隨機存儲器
外文名
DDR SDRAM
英文全稱
Double Data Rate
❻ 靜態只讀存取器和動態只讀存儲器的英文縮寫
只讀存儲器 ROM -- Read Only Memory.
是否分 靜態 動態 ROM 我不清楚，縮寫可以寫成 SROM, DROM.
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RAM 分 動態靜態，縮寫如下：
靜態隨機存儲器 SRAM -- Static RAM
動態隨機存儲器 DRAM -- Dynamic RAM
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其它 ROM分類:
PROM - Programmable Read Only Memory.
EPROM - Erasable Programmable Read Only Memory.
EEPROM - Electrically Erasable Programmable Read Only Memory.
Flash EEPROM - Flash ....
❼ ROM，RAM，DRAM，SRAM和FLASH的區別
Flash存儲器又稱為快閃記憶體，是一種非易失性的ROM存儲器，在EEPROM的基礎上發展而來，但不同於EEPROM只能全盤擦寫，快閃記憶體可以對某個特定的區塊進行擦寫，這源於它和內存一樣擁有獨立地址線。快閃記憶體的讀寫速度快，但遠不及RAM存儲器；但它斷電後不會像內存一樣丟失數據，因此適合做外存儲設備。用途：U盤、固態硬碟、BIOS晶元等。
DDR是一種技術，中文為雙倍速率，並不屬於一種存儲器。DDR通常指DDR SDRAM存儲器，全稱為Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍速率同步動態隨機存儲器。顧名思義，它有三個重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（動態），表明存儲元為電容，通過電容的電荷性判斷數據0和1。而由於電容有漏電流，必須隨時對電容進行充電，以防數據丟失，這個過程就叫動態刷新；其次是Synchronous（同步），表明讀寫過程由時鍾信號控制，只能發生在時鍾信號的上沿或下沿，是同步進行的，而不可以在隨意時刻進行；最後是Double Date Rate（DDR），這是DDR內存最重要的特性，即相比SDRAM內存，DDR內存在時鍾的上沿和下沿均可以完成一次數據發射，因此一個周期內可以傳輸兩次數據，所以稱為雙倍速率。因此等效頻率是SDRAM的兩倍。用途：內存條和顯存顆粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。
RAM是Random Access Memory的縮寫，中文為隨機存儲器。這個定義非常廣，凡是可以進行隨機讀寫的存儲器，都可以稱為RAM，和ROM（只讀存儲器）相對。用途：內存、顯存、單片機、高速緩存等等
SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。相比動態RAM，優點：1.不需要刷新操作，省去刷新電路，布線簡單；2.速度遠高於DRAM。缺點：1.容量遠小於DRAM；2.由於晶體管規模遠大於DRAM，成本遠高於DRAM。用途：寄存器、高速緩存、早期內存
DRAM是Dynamic Random Access Memory的縮寫，動態存儲器。和上面的定義一樣，由電容存儲數據，需要實時刷新，因此叫動態RAM。和SDRAM的區別在於DRAM可以不需要時鍾信號控制發射，但通常我們不嚴格區分它們，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也屬於一種DRAM。用途：內存、顯存
❽ ROM、RAM是什麼意思啊不懂
ROM和RAM指的都是半導體存儲器。本來的含義是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是說這種存儲器只能讀，不能寫。而RAM是Random Access Memory的縮寫，隨機讀寫。手機中ROM用來裝系統，如塞班、安卓，ROM越大，系統運行的越快，當然也和CPU有關，RAM是用來存資料的，如歌，視頻等等，就像內存卡，RAM是手機本身的存儲用的內存，內存卡是擴展的內存
❾ 什麼是SRAM
靜態隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。
然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。
(9)哪些縮寫名稱屬於動態隨機存儲器擴展閱讀
動態隨機存儲器和靜態隨機存儲器區別
SRAM的特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。
DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。