❶ SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM，EEPROM基本存儲原理
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。
DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，由於柵極漏電，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這樣會造成數據丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於 1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。
EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。
EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。
❷ 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理
您可能經常聽別人說，某台電腦的內存不夠了，硬碟太小了之類的話。這里的"不夠"、"太小"都指的是它們的容量，而不是他們的數量或幾何形狀的大小。內存和硬碟都是計算機用來存儲數據的，它們的單位就是我們剛剛談過的"Bytes"。 那麼，為什麼一個叫內存，一個叫硬碟呢？我們知道，計算機處理的數據量是極為龐大的，就好比一個人在堆滿了穀物的倉庫里打穀子，那怎麼施展得開，工作效率又怎會高呢？於是，人們把穀子堆在倉庫中，自己拿了一部分穀子到場院中去打，打完了再送回去。這下子，可沒什麼礙事的東西了，打穀子的速度快多了，內效率提高了。計算機也是這樣解決了同類的問題。它把大量有待處理和暫時不用的數據都存放在硬碟中，只是把需要立即處理的數據調到內存中，處理完畢立即送回硬碟，再調出下一部分數據。硬碟就是計算機的大倉庫，內存就是它幹活的場院。 內存簡稱RAM，是英文Random Accessmemory的縮寫。在個人計算機中，內存分為靜態內存（SRAM）和動態內存（DRAM）兩種，靜態內存的讀寫速度比動態內存要快。目前市面上的內存條以"MB"為單位，比如32MB的和64MB的內存條。硬碟容量要比內存大得多，現在以"GB"為單位已屬常見。當然了，內存和硬碟容量都是越大越好。可是容量越大，價錢就越高。重要的是，我們要選購夠用而又不造成浪費的內存條和硬碟。
❸ SRAM和DRAM依靠什麼原理存儲信息
SRAM:同步隨機存儲器 （一般用於嵌入式處理器的內存）S:synchronous
DRAM:動態隨機存儲器（很少用了） D：dynamic
SDRAM：同步動態隨機存儲器（很早的內存）
DDR SDRAM (雙沿觸發SDRAM,表示一個時鍾周期觸發兩次)
DDR2 SDRAM (現在的主流，比第一代增加內部倍頻，這個很少人知道)
DDR3 SDRAM （第三代DDR，進一步增加了內部倍頻，改善了定址方式）
暈，怎麼是0分，才注意到
存儲數據基本原理無外乎都是利用電容保存的電壓信息表示0.1狀態，實際的東西比這個復雜多了。
❹ 利用1M*4位的SRAM晶元,設計一個存儲容量2M*8位的SRAM存儲器的原理圖
採用四片1M*4位的SRAM就行了,其中分別需要做
位擴展
(採用8位數據線分別接兩片),還要做字擴展,可以用高位
地址線
或者
片選信號
來分別選中擴展的片子
❺ 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理
個人電腦的主要結構:
顯示器
主機板
CPU
(微處理器)
主要儲存器
(記憶體)
擴充卡
電源供應器
光碟機
次要儲存器
(硬碟)
鍵盤
滑鼠
盡管計算機技術自20世紀40年代第一台電子通用計算機誕生以來以來有了令人目眩的飛速發展，但是今天計算機仍然基本上採用的是存儲程序結構，即馮·諾伊曼結構。這個結構實現了實用化的通用計算機。
存儲程序結構間將一台計算機描述成四個主要部分：算術邏輯單元（ALU），控制電路，存儲器，以及輸入輸出設備（I/O）。這些部件通過一組一組的排線連接（特別地，當一組線被用於多種不同意圖的數據傳輸時又被稱為匯流排），並且由一個時鍾來驅動（當然某些其他事件也可能驅動控制電路）。
概念上講，一部計算機的存儲器可以被視為一組「細胞」單元。每一個「細胞」都有一個編號，稱為地址；又都可以存儲一個較小的定長信息。這個信息既可以是指令（告訴計算機去做什麼），也可以是數據（指令的處理對象）。原則上，每一個「細胞」都是可以存儲二者之任一的。
算術邏輯單元（ALU）可以被稱作計算機的大腦。它可以做兩類運算：第一類是算術運算，比如對兩個數字進行加減法。算術運算部件的功能在ALU中是十分有限的，事實上，一些ALU根本不支持電路級的乘法和除法運算（由是使用者只能通過編程進行乘除法運算）。第二類是比較運算，即給定兩個數，ALU對其進行比較以確定哪個更大一些。
輸入輸出系統是計算機從外部世界接收信息和向外部世界反饋運算結果的手段。對於一台標準的個人電腦，輸入設備主要有鍵盤和滑鼠，輸出設備則是顯示器，列印機以及其他許多後文將要討論的可連接到計算機上的I/O設備。
控制系統將以上計算機各部分聯系起來。它的功能是從存儲器和輸入輸出設備中讀取指令和數據，對指令進行解碼，並向ALU交付符合指令要求的正確輸入，告知ALU對這些數據做那些運算並將結果數據返回到何處。控制系統中一個重要組件就是一個用來保持跟蹤當前指令所在地址的計數器。通常這個計數器隨著指令的執行而累加，但有時如果指令指示進行跳轉則不依此規則。
20世紀80年代以來ALU和控制單元（二者合成中央處理器，CPU）逐漸被整合到一塊集成電路上，稱作微處理器。這類計算機的工作模式十分直觀：在一個時鍾周期內，計算機先從存儲器中獲取指令和數據，然後執行指令，存儲數據，再獲取下一條指令。這個過程被反復執行，直至得到一個終止指令。
由控制器解釋，運算器執行的指令集是一個精心定義的數目十分有限的簡單指令集合。一般可以分為四類：1）、數據移動（如：將一個數值從存儲單元A拷貝到存儲單元B）2）、數邏運算（如：計算存儲單元A與存儲單元B之和，結果返回存儲單元C）3）、條件驗證（如：如果存儲單元A內數值為100，則下一條指令地址為存儲單元F）4）、指令序列改易（如：下一條指令地址為存儲單元F）
指令如同數據一樣在計算機內部是以二進制來表示的。比如說，10110000就是一條Intel
x86系列微處理器的拷貝指令代碼。某一個計算機所支持的指令集就是該計算機的機器語言。因此，使用流行的機器語言將會使既成軟體在一台新計算機上運行得更加容易。所以對於那些機型商業化軟體開發的人來說，它們通常只會關注一種或幾種不同的機器語言。
更加強大的小型計算機，大型計算機和伺服器可能會與上述計算機有所不同。它們通常將任務分擔給不同的CPU來執行。今天，微處理器和多核個人電腦也在朝這個方向發展。
超級計算機通常有著與基本的存儲程序計算機顯著區別的體系結構。它們通常由者數以千計的CPU，不過這些設計似乎只對特定任務有用。在各種計算機中，還有一些微控制器採用令程序和數據分離的哈佛架構（Harvard
architecture）。
❻ SRAM 的工作原理
寫;For the write operation, assume the stored data in the SRAM
cell =1. We will change the cell to 0.
—At t=0:
—BL is connected to the Ground (Voltage=0V)
—/BL is connected to Vcc
—the word line is selected:
—PG are turned on.
—charge previously stored in node Bwill be discharged by BL
through T1.
—On the other side, node C will be charged by /BL through T2.
—WL
turn off.
uThus the new data 0 is written into the SRAM cell
讀; 假設是0，–At t=0: •Both bit lines are precharged to Vcc. •If the data in the SRAM cell = 0, then node B is low and node C is high.
–When the word line is selected, the two transfer gate transistors T1 and T2 are turned ON. •The charge stored in the node B will be charged by the BL line to 0 through T1.
•On the other side, node C will discharge to the /BL line. The sense amplifier (SA) will detect the voltage difference between BL and /BL.
• Thus the data stored in the cell is read out to the bit lines.
既然你提問了，我覺得英文應該不是問題，有什麼問題可以繼續交流。
❼ 硅晶元存儲數據的原理是什麼
硅晶元存儲數據的原理是sram裡面的單位是若干個開關組成一個觸發器，形成可以穩定存儲0, 1信號，同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值。dram,主要是根據電容上的電量，電量大時，電壓高表示1反之表示0晶元就是有大量的這些單元組成的，所以能存儲數據。
硅材料具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，集成電路半導體器件大多數是用硅材料製造的。硅在室溫的化學性質很穩定，且現在的矽片加工工藝，很容易制備大尺寸平整度在納米級水平的矽片，使得該方法有望用於信息存儲技術。
相關資料
單晶硅：熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。
超純的單晶硅是本徵半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。
以上內容參考：網路-硅晶片
❽ sram的存儲原理
靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。
❾ SRAM是緩存還是內存
SRAM是一種讀寫速度很優秀的存儲器（比DRAM速度快很多的存儲器），因為讀寫速度優秀，所以價格就貴，所以一般容量做的比較小，容量做大的話成本就會很高（因為計算機要親民啊，做的那麼貴誰買得起呢），所以一般不拿來當內存使用（就是平常說的內存條），一般用作TLB（快表）或者用來減少存取時間的高速緩存，而DRAM一般用來做內存，一般容量比較大，為什麼容量大呢，因為他比SRAM存儲器慢所以價格便宜，容量做大一點就沒關系啦
❿ SRAM依靠什麼來存儲信息
你可以到Google圖片搜索一下"sram circuit":
http://images.google.cn/images?hl=zh-CN&um=1&newwindow=1&sa=1&q=sram+circuit&aq=f&oq=&start=0
第一個好像就是,看懂那個好像需要一些電學的知識,我是看不懂啊
因為不需要定時刷新,所以叫"靜態"存儲器