⑴ FLASH快閃記憶體的特性比較
NOR flash帶有SRAM介面,有足夠的地址引腳來定址,可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據,各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作採用512位元組的塊,這一點有點像硬碟管理此類操作,很自然地,基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由於生產過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中,這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中,NAND適合於數據存儲,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。 所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發生的次數要比NOR多),一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發生在一個關鍵文件上,這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。
當然,如果這個位真的改變了,就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體,NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候,同時使用EDC/ECC演算法。
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然,如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時,必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。 NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發現成品率太低,代價太高,根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊,並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中,如果通過可靠的方法不能進行這項處理,將導致高故障率。 當討論軟體支持的時候,應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體,包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持,在NAND器件上進行同樣操作時,通常需要驅動程序,也就是內存技術驅動程序(MTD),NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些,許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體,這其中包括M-System的TrueFFS驅動,該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
⑵ BMP\POS與EDC的區別
EDC=Electronic Draft Capture
POS=Point Of Sale
簡單來說都是POS機
POS機是否支持內外卡是看商戶是否有與銀行簽署開通內外卡的協議，如果有，都能使用。
BMP應該可以理解為載入或內嵌進酒店系統OPERA的一個結算系統，最新的叫做PGS。
同樣道理，它是否能受理銀聯或者外卡，得看是否有和銀行簽署相關協議。
不過一般來說，能上BMP或者PGS系統的，都是國際五星級的酒店。
時隔那麼多年才看到你的提問，現在才有緣回答，希望也能幫到你。
⑶ eeprom和norflash的區別
[導讀] 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什麼需要二個這樣的晶元做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲
關鍵詞：NOR flashNand flashFlaSh
我們使用的智能手機除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什麼需要二個這樣的晶元做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲設備我們都統稱為「FLASH」，FLASH是一種存儲晶元，全名叫Flash EEPROM Memory，通地過程序可以修改數據，即平時所說的「快閃記憶體」。Flash又分為NAND flash和NOR flash二種。U盤和MP3里用的就是這種存儲器。
相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。NOR Flash 的讀取和我們常見的 SDRAM 的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在 NOR FLASH 裡面的代碼，這樣可以減少 SRAM 的容量從而節約了成本。 NAND Flash 沒有採取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的， 通常是一次讀取 512 個位元組，採用這種技術的 Flash 比較廉價。用戶 不能直接運行 NAND Flash 上的代碼，因此好多使用 NAND Flash 的開發板除了使用 NAND Flah 以外，還作上了 一塊小的 NOR Flash 來運行啟動代碼。
NOR flash是intel公司1988年開發出了NOR flash技術。NOR的特點是晶元內執行（XIP, eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash 快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的性能。
Nand-flash內存是flash內存的一種，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構。其內部採用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND flash和NOR flash原理
一、存儲數據的原理
兩種快閃記憶體都是用三端器件作為存儲單元，分別為源極、漏極和柵極，與場效應管的工作原理 相同，主要是利用電場的效應來控制源極與漏極之間的通斷，柵極的 電流消耗極小，不同 的是場效應管為單柵極結構，而 FLASH 為雙柵極結構，在柵極與硅襯底之間增加了一個浮 置柵極。[attach]158 [/attach]
浮置柵極是由氮化物夾在兩層二氧化硅材料之間構成的，中間的氮化物就是可以存儲電荷的 電荷勢阱。上下兩層氧化物的厚度大於 50 埃，以避免發生擊穿。
二、浮柵的重放電
向數據單元內寫入數據的過程就是向電荷勢阱注入電荷的過程，寫入數據有兩種技術，熱電 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效應(Fowler Nordheim tunneling)，前一種是通過源 極給浮柵充電，後一種是通過硅基層給浮柵充電。NOR 型 FLASH 通過熱電子注入方式給浮 柵充電，而 NAND 則通過 F-N 隧道效應給浮柵充電。
在寫入新數據之前，必須先將原來的數據擦除，這點跟硬碟不同，也就是將浮柵的電荷放掉， 兩種 FLASH 都是通過 F-N 隧道效應放電。
三、0 和 1
這方面兩種 FLASH 一樣，向浮柵中注入電荷表示寫入了'0'，沒有注入電荷表示'1'，所以對 FLASH 清除數據是寫 1 的，這與硬碟正好相反；
對於浮柵中有電荷的單元來說，由於浮柵的感應作用，在源極和漏極之間將形成帶正電的空 間電荷區，這時無論控制極上有沒有施加偏置電壓，晶體管都將處於 導通狀態。而對於浮 柵中沒有電荷的晶體管來說只有當控制極上施加有適當的偏置電壓，在硅基層上感應出電 荷，源極和漏極才能導通，也就是說在沒有給控制極施 加偏置電壓時，晶體管是截止的。 如果晶體管的源極接地而漏極接位線，在無偏置電壓的情況下，檢測晶體管的導通狀態就可 以獲得存儲單元中的數據，如果位線上的電平為低，說明晶體管處於 導通狀態，讀取的數 據為 0，如果位線上為高電平，則說明晶體管處於截止狀態，讀取的數據為 1。由於控制柵 極在讀取數據的過程中施加的電壓較小或根本不施加 電壓，不足以改變浮置柵極中原有的 電荷量，所以讀取操作不會改變 FLASH 中原有的數據。
四、連接和編址方式
兩種 FLASH 具有相同的存儲單元，工作原理也一樣，為了縮短存取時間並不是對每個單元 進行單獨的存取操作，而是對一定數量的存取單元進行集體操作， NAND 型 FLASH 各存 儲單元之間是串聯的，而 NOR 型 FLASH 各單元之間是並聯的；為了對全部的存儲單元有 效管理，必須對存儲單元進行統一編址。
NAND 的全部存儲單元分為若干個塊，每個塊又分為若干個頁，每個頁是 512byte，就是 512 個 8 位數，就是說每個頁有 512 條位線，每條位線下 有 8 個存儲單元；那麼每頁存儲的數 據正好跟硬碟的一個扇區存儲的數據相同，這是設計時為了方便與磁碟進行數據交換而特意 安排的，那麼塊就類似硬碟的簇；容 量不同，塊的數量不同，組成塊的頁的數量也不同。 在讀取數據時，當字線和位線鎖定某個晶體管時，該晶體管的控制極不加偏置電壓，其它的 7 個都加上偏置電壓 而導通，如果這個晶體管的浮柵中有電荷就會導通使位線為低電平， 讀出的數就是 0，反之就是 1。
NOR 的每個存儲單元以並聯的方式連接到位線，方便對每一位進行隨機存取；具有專用的 地址線，可以實現一次性的直接定址；縮短了 FLASH 對處理器指令的執行時間。 五、性能
NAND flash和NOR flash的區別
一、NAND flash和NOR flash的性能比較
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。
2、NAND的寫入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
5、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
二、NAND flash和NOR flash的介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
六、位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用
七、EDC/ECC演算法
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
八、壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
九、易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
十、軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
⑷ 哪些設備要用到工業電子盤
工業快閃記憶體的作用，當然就是用作存儲數據之用了，做啟動，做數據導入導出，存儲。可以這樣會所，只要有主板的地方，就要用到存儲，只是存儲的方案不同而已。
⑸ 64m nor flash型號有哪些
這個問題你要抓住本質來看。
Nand Flash和Nor Flash是做什麼用的，為什麼嵌入式系統里要用到他們？
其實，上述兩個Flash只是存儲晶元，相當於電腦的內存，另外還有一個DRAM或者SDRAM。
嵌入式系統里為什麼要用到Flash或者DRAM呢，很顯然，是用來存儲東西的，Flash特點是掉電能保存，所以，一般用來存儲程序代碼或者常數數據，或者是掉電必須保存的數據。DRAM掉電不保存，但是幾乎可以無限修改，所以一般用來做變數的存儲和跑程序。
那麼是不是嵌入式系統里必須有Flash和DRAM呢？答案是必須的，不然你的程序和變數怎麼保存和運行呢？
那麼嵌入式系統里必須要有Nand Flash和NorFlash嗎？答案是不是必須的。
如果你用的主MCU，晶元內部集成了大容量的Flash和DRAM，就不必要擴展外部的Flash，比如說MTK62系列的晶元，就是我們常說的山寨手機，就沒有外擴的DRAM和Flash.
如果你用的主MCU，晶元內部沒有集成，或者集成的很小容量的Flash，你就要自己擴展Flash，可能是單獨的Nand Flash，也可以能是單獨的NorFlash，也可能是兩者都有。如果你的程序很大，需要保存的數據也很大，比如說，你用三星的S3C24XX做主MCU，而跑Linux系統，那麼，就兩者都需要。如果你用三星的S3C44B0，跑uCOS-II，那麼，只要其中一個就行了，一般只要NorFlash就行了，當然，上述的兩個還要DRAM。
而現在的高端手機，通常用的高端的MCU，比如Cortex-A9 系列的MCU，這些MCU通常集成的Flash和DRAM容量比較小，而跑的程序量比較大，所以，都要外擴上述兩種Flash.
簡而言之，就是，一個嵌入式操作系統，到底是否需要用到NandFlash和NorFlash，是由系統的大小和你所採用的MCU來決定的，這是一個系統規劃問題，早在進行系統開發之前，就應該規劃好的。
⑹ 在手機論壇中常可以看到「NAND」，「NAND」是什麼
NAND技術
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技術Flash Memory。這種結構的閃速存儲器適合於純數據存儲和文件存儲，主要作為SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固態盤的存儲介質，並正成為閃速磁碟技術的核心。
NAND技術Flash Memory具有以下特點：（1） 以頁為單位進行讀和編程操作，1頁為256或512B（位元組）；以塊為單位進行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms；而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms。（2） 數據、地址採用同一匯流排，實現串列讀取。隨機讀取速度慢且不能按位元組隨機編程。（3） 晶元尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態存儲器，將很快突破每兆位元組1美元的價格限制。（4） 晶元包含有失效塊，其數目最大可達到3~35塊（取決於存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 Samsung公司在1999年底開發出世界上第一顆1Gb NAND技術閃速存儲器。據稱這種Flash Memory可以存儲560張高解析度的照片或32首CD質量的歌曲，將成為下一代攜帶型信息產品的理想媒介。Samsung採用了許多DRAM的工藝技術，包括首次採用0.15μm的製造工藝來生產這顆Flash。已經批量生產的K9K1208UOM採用0�18μm工藝，存儲容量為512Mb。
UltraNAND
AMD與Fujistu共同推出的UltraNAND技術，稱之為先進的NAND閃速存儲器技術。它與NAND標准兼容：擁有比NAND技術更高等級的可靠性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現出NAND技術的成本優勢；它沒有失效塊，因此不用系統級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。
與DINOR技術一樣，盡管UltraNAND技術具有優勢，但在當前的市場上仍以NAND技術為主流。UltraNAND 家族的第一個成員是AM30LV0064，採用0.25μm製造工藝，沒有失效塊，可在至少104次擦寫周期中實現無差錯操作，適用於要求高可靠性的場合，如電信和網路系統、個人數字助理、固態盤驅動器等。研製中的AM30LV0128容量達到128Mb，而在AMD的計劃中UltraNAND技術Flash Memory將突破每兆位元組1美元的價格限制，更顯示出它對於NOR技術的價格優勢。
3 AND技術
AND技術是Hitachi公司的專利技術。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技術的Flash Memory。AND技術與NAND一樣採用「大多數完好的存儲器」概念，目前，在數據和文檔存儲領域中是另一種占重要地位的閃速存儲技術。
Hitachi和Mitsubishi公司採用0.18μm的製造工藝，並結合MLC技術，生產出晶元尺寸更小、存儲容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用雙密度封裝技術DDP（Double Density Package Technology），將2片512Mb晶元疊加在1片TSOP48的封裝內，形成一片1Gb晶元。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，讀電流為2mA，待機電流僅為1μA，同時由於其內部存在與塊大小一致的內部RAM 緩沖區，使得AND技術不像其他採用MLC的閃速存儲器技術那樣寫入性能嚴重下降。Hitachi公司用該晶元製造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用於智能電話、個人數字助理、掌上電腦、數字相機、攜帶型攝像機、攜帶型音樂播放機等。
4 由EEPROM派生的閃速存儲器
EEPROM具有很高的靈活性，可以單位元組讀寫（不需要擦除，可直接改寫數據），但存儲密度小，單位成本高。部分製造商生產出另一類以EEPROM做閃速存儲陣列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇區結構閃速存儲器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存儲器（Data-Flash Memory）。這類器件具有EEPROM與NOR技術Flash Memory二者折衷的性能特點：（1） 讀寫的靈活性遜於EEPROM，不能直接改寫數據。在編程之前需要先進行頁擦除，但與NOR技術Flash Memory的塊結構相比其頁尺寸小，具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點。（2） 與EEPROM比較，具有明顯的成本優勢。（3） 存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存儲密度可達到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory晶元有試用樣品提供。正因為這類器件在性能上的靈活性和成本上的優勢，使其在如今閃速存儲器市場上仍佔有一席之地。
Small Sector Flash Memory採用並行數據匯流排和頁結構（1頁為128或256B），對頁執行讀寫操作，因而既具有NOR技術快速隨機讀取的優勢，又沒有其編程和擦除功能的缺陷，適合代碼存儲和小容量的數據存儲，廣泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的專利產品，採用SPI串列介面，只能依次讀取數據，但有利於降低成本、增加系統的可靠性、縮小封裝尺寸。主存儲區採取頁結構。主存儲區與串列介面之間有2個與頁大小一致的SRAM數據緩沖區。特殊的結構決定它存在多條讀寫通道：既可直接從主存儲區讀，又可通過緩沖區從主存儲區讀或向主存儲區寫，兩個緩沖區之間可以相互讀或寫，主存儲區還可藉助緩沖區進行數據比較。適合於諸如答錄機、尋呼機、數字相機等能接受串列介面和較慢讀取速度的數據或文件存儲應用。
三、 發展趨勢
存儲器的發展都具有更大、更小、更低的趨勢，這在閃速存儲器行業表現得尤為淋漓盡致。隨著半導體製造工藝的發展，主流閃速存儲器廠家採用0�18μm，甚至0.15μm的製造工藝。藉助於先進工藝的優勢，Flash Memory的容量可以更大：NOR技術將出現256Mb的器件，NAND和AND技術已經有1Gb的器件；同時晶元的封裝尺寸更小：從最初DIP封裝，到PSOP、SSOP、TSOP封裝，再到BGA封裝，Flash Memory已經變得非常纖細小巧；先進的工藝技術也決定了存儲器的低電壓的特性，從最初12V的編程電壓，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V單電壓供電。這符合國際上低功耗的潮流，更促進了攜帶型產品的發展。
另一方面，新技術、新工藝也推動Flash Memory的位成本大幅度下降：採用NOR技術的Intel公司的28F128J3價格為25美元，NAND技術和AND技術的Flash Memory將突破1MB 1美元的價位，使其具有了取代傳統磁碟存儲器的潛質。
世界閃速存儲器市場發展十分迅速，其規模接近DRAM市場的1/4，與DRAM和SRAM一起成為存儲器市場的三大產品。Flash Memory的迅猛發展歸因於資金和技術的投入，高性能低成本的新產品不斷涌現，刺激了Flash Memory更廣泛的應用，推動了行業的向前發展。
⑺ Flash存儲器的簡要介紹
快閃記憶體是一種不揮發性（ Non-Volatile ）內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
NAND 快閃記憶體的存儲單元則採用串列結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干位元組，若干頁則組成儲存塊， NAND 的存儲塊大小為 8 到 32KB ），這種結構最大的優點在於容量可以做得很大，超過 512MB 容量的 NAND 產品相當普遍， NAND 快閃記憶體的成本較低，有利於大規模普及。
NAND 快閃記憶體的缺點在於讀速度較慢，它的 I/O 埠只有 8 個，比 NOR 要少多了。這區區 8 個 I/O 埠只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比 NOR 快閃記憶體的並行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 快閃記憶體的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修，可靠性較 NOR 快閃記憶體要差。
NAND 快閃記憶體被廣泛用於移動存儲、數碼相機、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數字設備中。由於受到數碼設備強勁發展的帶動， NAND 快閃記憶體一直呈現指數級的超高速增長.
NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,並且象磁碟一樣可以通過介面輕松升級。但是經過了十多年之後,仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。
相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處,因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼,這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
NOR的特點是晶元內執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。 flash快閃記憶體是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的,執行一個寫入/擦除操作的時間為5ms,與此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的,執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統計表明,對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時),更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣,當選擇存儲解決方案時,設計師必須權衡以下的各項因素。
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5ms快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。 NOR flash帶有SRAM介面,有足夠的地址引腳來定址,可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據,各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作採用512位元組的塊,這一點有點像硬碟管理此類操作,很自然地,基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由於生產過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分,而NAND flash只是用在8MB～128GB的產品當中,這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中,NAND適合於數據存儲,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。 所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發生的次數要比NOR多),一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發生在一個關鍵文件上,這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。
當然,如果這個位真的改變了,就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體,NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候,同時使用EDC/ECC演算法。
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然,如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時,必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。 NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發現成品率太低,代價太高,根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊,並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中,如果通過可靠的方法不能進行這項處理,將導致高故障率。 可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體,可以像其他存儲器那樣連接,並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面,NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時,必須先寫入驅動程序,才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧,因為設計師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。 當討論軟體支持的時候,應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體,包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持,在NAND器件上進行同樣操作時,通常需要驅動程序,也就是內存技術驅動程序(MTD),NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些,許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體,這其中包括M-System的TrueFFS驅動,該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
⑻ 請問一下：有關NAND型快閃記憶體
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕松升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。
像「flash存儲器」經常可以與像「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
NOR的特點是晶元內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash 快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。 NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
性能比較
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何 flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s ，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。 介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128M B的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存儲卡市場上所佔份額最大。
可靠性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展
MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命 (耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND 存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用EDC/ECC演算法。
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD )，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和
損耗平衡
⑼ 有誰整過S3C6400下的NandFlash
1. 區別
NOR特點晶元內執行(XIP,eXecute In Place)應用程序直接flash快閃記憶體內運行必再代碼讀系統RAM優點直接FLASH運行程序工藝復雜價格比較貴NOR傳輸效率高1～4MB容量具高本效益低寫入擦除速度影響性能
NAND結構能提供極高單元密度達高存儲密度並且寫入擦除速度快應用NAND困難於flash管理需要特殊系統介面優點：存儲容量且便宜缺點定址直接運行程序能存儲數據另外NAND FLASH 非容易現壞區所需要校驗算
任何flash器件寫入操作能空或已擦除單元內進行
（1）NAND器件執行擦除操作十簡單NOR則要求進行擦除前先要目標塊內所位都寫1
（2）擦除NOR器件64～128KB塊進行執行寫入/擦除操作間5sNORFLASHSECTOR擦除間視品牌、同同比4MFLASHSECTOR擦除間60ms需要6S與相反擦除NAND器件8～32KB塊進行執行相同操作需要4ms
（3）選擇存儲解決案設計師必須權衡各項素
●NOR讀速度比NAND稍快些
●NAND寫入速度比NOR快
●NAND4ms擦除速度遠比NOR5s快
●數寫入操作需要先進行擦除操作
●NAND擦除單元更相應擦除電路更少
（4）介面差別
NORflash帶SRAM介面足夠址引腳定址容易存取其內部每位元組
NAND器件使用復雜I/O口串列存取數據各產品或廠商能各相同8引腳用傳送控制、址數據信息NAND讀寫操作採用512位元組塊點點像硬碟管理類操作基於NAND存儲器取代硬碟或其塊設備
（5）容量差別：
NORflash占據容量1～16MB快閃記憶體市場部NANDflash用8～128MB產品說明NOR主要應用代碼存儲介質NAND適合於數據存儲
（6）靠性耐用性
－壽命(耐用性)
NAND快閃記憶體每塊擦寫數百萬NOR擦寫數十萬NAND存儲器除具10比1塊擦除周期優勢典型NAND塊尺寸要比NOR器件8倍每NAND存儲器塊給定間內刪除數要少些
－位交換
所flash器件都受位交換現象困擾位真改變必須採用錯誤探測/錯誤更(EDC/ECC)算位反轉問題更見於NAND快閃記憶體使用NAND快閃記憶體候應使用EDC/ECC算用NAND存儲媒體信息倒致命用本存儲設備存儲操作系統、配置文件或其敏信息必須使用EDC/ECC系統確保靠性
－壞塊處理
NAND器件壞塊隨機布NAND器件需要介質進行初始化掃描發現壞塊並壞塊標記用已制器件通靠能進行項處理導致高故障率
（7）易於使用
非直接使用基於NOR快閃記憶體使用NAND器件必須先寫入驅程序才能繼續執行其操作向NAND器件寫入信息需要相技巧設計師絕能向壞塊寫入意味著NAND器件自始至終都必須進行虛擬映射
（8）軟體支持
NOR器件運行代碼需要任何軟體支持NAND器件進行同操作通需要驅程序內存技術驅程序(MTD)NANDNOR器件進行寫入擦除操作都需要MTD
使用NOR器件所需要MTD要相少些許廠商都提供用於NOR器件更高級軟體其包括M-SystemTrueFFS驅該驅WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、SymbianIntel等廠商所採用驅用於DiskOnChip產品進行模擬NAND快閃記憶體管理包括糾錯、壞塊處理損耗平衡
（9）掌電腦要使用NAND FLASH 存儲數據程序必須NOR FLASH啟除SAMSUNG處理器其用掌電腦主流處理器支持直接由NAND FLASH 啟程序必須先用片NOR FLASH 啟機器OS等軟體NAND FLASH 載入SDRAM運行才行
2. 趨勢
NOR Flash 產廠商 IntelST Nand Flash廠商等
2006NAND占據59%快閃記憶體市場份額NOR市場份額降41%2009NAND市場份額升65%NOR市場份額進步滑35%
Nand 主要應用：CompacflashSecure Digi-talSmartmediaSDMMCXdPC CardUSB Sticks等
NOR傳輸效率高容量具高本效益更加安全容易現數據故障主要應用代碼存儲主與運算相關
目前NAND快閃記憶體主要用數碼相機快閃記憶體卡MP3播放機兩市場增非迅速NOR晶元主要用手機機頂盒兩市場增速度相較慢
3. SamsungS3C2440能支持NAND FlashNOR Flash兩種式啟
⑽ 如何給WinCE選擇合適的FLASH存儲器
選擇一款合適的Flash存儲器是Windows CE開發中最具有挑戰性的內容之一，它不但要求開發人員要具備硬體介面知識，清晰了解Windows CE 下驅動程序的架構，還要具備驅動程序開發的相關知識。
1.NOR和NAND Flash綜合比較
閃速存儲器(Flash Memory)是一種在不加電的情況下能長期保持存儲的設備。由於Flash存儲器具有存儲容量大、掉電數據不丟失以及可多次擦寫等許多優點，正逐步取代其他半導體存儲器件而廣泛應用於嵌入式便攜電子產品中。其中NOR Flash和 NAND Flash是目前兩種主要的非易失快閃記憶體技術。
（1）NOR和NAND Flash的速度比較
NOR Flash存儲器的特點是容量較小、寫入速度較慢，但它的隨機讀取速度卻很快，而且具有嵌入式應用經常需要的一個功能XIP(eXecute In Place)特性。因此，在WinCE系統中常用於小容量的程序代碼的存儲。
與NOR相比，NAND快閃記憶體的優點是容量大，目前最大容量己經達到8G，因此NAND較適合於存儲文件，而且NAND的真正好處是寫速度快、擦除時間短。
但NAND的缺點是其讀取速度較慢，主要是因為它的I/O埠只有8或16個,要完成地址和數據的傳輸就必須讓這些信號輪流傳送。
NAND的優點在於寫和擦除操作的速率快，而NOR的優點是具有隨機存取和對位元組執行寫操作的能力。NAND的缺點是隨機存取的速率慢，NOR的缺點是受到讀和擦除速度慢的制約。顯然，NAND在某些方面具有絕對優勢。然而，它不太適合於直接隨機存取。
（2）硬體介面要求的比較
對於16位的器件來說，NOR快閃記憶體大約需要41個I/O引腳，而NAND器件僅需24個引腳。NAND器件能夠復用指令、地址和數據匯流排，從而節省了引腳數量。復用介面的一項好處是在於能夠利用同樣的硬體設計和電路板，支持較大的NAND器件。因此，NAND器件的一個好處顯然是其封裝選項：NAND提供一種厚膜的2Gb裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片堆疊出一個8Gb的器件。
這個特點對體積要求小型化的攜帶型移動設備是一個很重要的優勢。而且，NAND的復用介面為所有最新的器件和密度都提供了一種相似的引腳輸出，這種引腳輸出使得設計工程師無須改變電路板的硬體設計，就能從更小的密度移植到更大密度的設計上。這對於要求快速開發的硬體工程師來說是一個很大的便利和福音。
（3）讀寫操作和編址方式比較
兩種Flash具有相同的存儲單元，工作原理也一樣。如為了縮短存取時間，它們並不是對每個單元進行單獨的存取操作，而是對一定數量的存取單元進行集體操作。但它們對讀寫基本單位的方式是不同的，如NAND Flash各存儲單元之間是串聯的，而NOR Flash各單元之間是並聯的。因此，WinCE系統對NOR Flash操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量NOR快閃記憶體的管理，通常將NOR快閃記憶體分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。而WinCE系統對NAND Flash操作是以「塊」為基本單位。
NAND快閃記憶體的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。每頁存儲的數據正好跟硬碟的一個扇區存儲的數據相同，這是設計時為了方便與磁碟進行數據交換而特意安排的。這些塊類似於硬碟的簇，都是基於扇區(頁)的，適合於存儲連續的數據，如圖片、音頻或個人電腦數據。但也跟硬碟一樣，NAND器件會存在壞的扇區，需要糾錯碼(ECC)來維持數據的完整性。
NOR Flash快閃記憶體的數據線和地址線是分開的，而且NOR的每個存儲單元是以並聯的方式連接到位線，所以NOR可以像SRAM一樣連在數據線上，方便對每一位進行隨機存取，另外還支持本地執行的XIP，使到WinCE系統可以直接在Flash內部運行。因此，在WinCE系統中經常將NOR晶元做啟動晶元使用，這樣可以大大簡化產品的設計。
而NAND快閃記憶體因為共享地址和數據匯流排的原因，不允許對一個位元組甚至一個塊進行的數據清空，只能對一個固定大小的區域進行清零操作，而且還需要額外聯結一些控制的輸入輸出。所以，在存放數據時NAND還需要使用演算法來實現，這個模塊一般是在驅動程序的MTD(Memory Technology Drivers)模塊中或在FTLZ (Flash Translation Layer)層內實現。因此，NAND FLASH必須通過驅動程序來進行數據存取，而且具體演算法和晶元的生產廠商以及晶元型號有很大的關系。這不但增加了驅動程序開發的難度，而且直接將NAND做啟動晶元也比較難。
（4）可靠性和壞塊管理的比較
一般來說，NOR快閃記憶體的可靠性要高於NAND快閃記憶體，這是因為NOR快閃記憶體的介面簡單，數據操作少，位交換操作少，因而一般用在對可靠性要求高的地方。相反，NAND快閃記憶體介面和操作均相對復雜，位交換操作也很多，因而出現差錯的幾率會大很多，而且壞塊是不可避免的，還有壞塊都是隨機分布的。因此，在使用NAND Flash時意識到有壞塊的可能性是非常重要的。為了檢測數據的可靠性，在應用NAND Flash的系統中一般都會採用一定的壞區管理策略，而管理壞區的前提是能比較可靠地進行壞區檢測。
所以，為防止使用時向壞塊寫入數據，在編寫和開發驅動程序的時候，必須要配合EDC/ECC(錯誤探測/錯誤更正)和BBM(壞塊管理)等措施來保障數據的可靠性，這就對開發人員的驅動開發能力提出了一個很高的要求。
NAND更適用於復雜的文件應用，但是由於NAND的使用相對復雜，所以對驅動程序的開發能力有較高的要求。NOR快閃記憶體是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NAND快閃記憶體是連續存儲介質，適合存放大的數據，但需要驅動程序和壞塊管理優化等開發能力。
2.在WinCE下如何選擇合適的Flash快閃記憶體
NAND Flash具有存取速度快、體積小、成本低的特點,適宜作為海量數據的存儲設備。但大容量的NAND Flash的實現方案也必須要小心處理動態扇區分配、壞塊管理。因此，如何做到「魚與熊掌，兩者兼得」，可以從以下幾個角度進行考慮：
（1）從使用目的角度來選擇
在選擇存儲解決方案時，開發人員應該在多種因素之間進行權衡，以獲得較高的性價比。一般的原則是：在大容量的多媒體應用中選用NAND快閃記憶體，而在數據/程序存貯應用中選用NOR快閃記憶體。根據這一原則，設計人員也可以把兩種快閃記憶體晶元結合起來使用，用NOR晶元存儲程序，用NAND晶元存儲數據，使兩種快閃記憶體的優勢互補。
對於追求小巧優雅的手機將採用NOR＋RAM的設計方案，因為採用支持XIP技術的NOR快閃記憶體能夠直接運行OS，速度很快，既簡化了設計又降低了成本。但NOR快閃記憶體的不足之處是存儲密度較低，所以在追求大存儲容量的時候，我們是採用NAND＋RAM的設計。對於這兩種方案，很難說哪一種更好，因為我們不能離開具體的產品而從某一個方面單純地去評價。
如果同時追求功能和速度的手機開發時，則會採用NOR＋NAND＋RAM的設計，這種取長補短的設計能夠發揮NOR和NAND各自的優勢。NOR與NAND各有所長，但兩種優勢無法在一個晶元上得到體現。所以，開發人員在選用Flash時，應該要趨其利而避其害，依照其使用目的在兩者之間進行適當的選擇。
（2）從硬體介面因素上考慮
除了速度、存儲密度的因素，開發人員在選擇快閃記憶體時，還需要考慮硬體上的介面設計、即插即用設計和驅動程序等諸多問題，因為兩種類型的快閃記憶體在上述幾個方面是有很多的不同。這些差異是與NOR和NAND自身的架構設計所決定的，例如在介面方面，NOR的設計有明顯的傳統快閃記憶體的特徵，因此實際應用起來相對於NAND全新的、復雜的I/O設計要容易得多。
（3）從是否具有強大的驅動開發能力上考慮
在WinCE平台的驅動程序方面，NOR器件運行代碼不需要任何的軟體支持，而在NAND器件上進行同樣操作時就需要存儲技術驅動程序（MTD）的支持。雖然NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD，但使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些。
一般來說，高效率和經過優化的NAND驅動程序是需要很高的技巧的，開發難度對初入門者也是很大，因為NAND快閃記憶體的糾錯和壞塊處理功能都需要通過驅動程序來實現。還有由於串聯的架構，NAND的晶體管之間很容易造成影響，使邏輯0變成邏輯1，並且也很難發現出問題的晶體管，這種現象稱為位翻轉（Bit-Flipping），這也需要動用EDC/ECC（錯誤檢測碼/錯誤修正碼）來進行校正，而這方面的問題NOR則較少出現。