㈠ DDR和SDR哪個好點為什麼
ddr是double
data
rate的縮寫（雙倍數據速率），ddr
sdram內存技術是從幾年前主流的pc66，pc100，pc133
sdram技術發展而來。它在工作的時候通過時鍾頻率的上行和下行都可以傳輸數據（sdram只能通過下行傳輸），因此在頻率相等的情況下擁有雙倍於sdram的帶寬。另外ddr內存的dimm是184pins，而sdram則是168pins。因此，ddr內存不向後兼容sdram。
傳統的sdr
sdram只能在信號的上升沿進行數據傳輸，而ddr
sdram卻可以在信號的上升沿和下降沿都進行數據傳輸，所以ddr內存在每個時鍾周期都可以完成兩倍於sdram的數據傳輸量，這也是ddr的意義——double
data
rate，雙倍數據速率。舉例來說，ddr266標準的ddr
sdram能提供2.1gb/s的內存帶寬，而傳統的pc133
sdram卻只能提供1.06gb/s的內存帶寬。
一般的內存條會註明cl值，此數值越低表明內存的數據讀取周期越短，性能也就越好，ddr
sdram的cl常見值一般為2和2.5兩種。
ddr
ddr是雙倍數據速率(double
data
rate)。ddr與普通同步動態隨機存儲器（dram）非常相象。普通同步dram（現在被稱為sdr）與標准dram有所不同。
標準的dram接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一地址字由原始地址選通（ras）鎖存在dram晶元。緊隨ras命令之後，列地址選通（cas）鎖存第二地址字。經過ras和cas，存儲的數據可以被讀取。
同步動態隨機存儲器（sdr
dram)由一個標准dram和時鍾組成，ras、cas、數據有效均在時鍾脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鍾指示，可以預測數據和剩餘指令的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由於數據有效窗口的可預計性，所以可將存儲器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈沖串模式，可進行連續地址獲取而不必重復ras選通。連續cas選通可對來自相同源的數據進行再現。
ddr存儲器與sdr存儲器工作原理基本相同，只不過ddr在時鍾脈沖的上升和下降沿均讀取數據。新一代ddr存儲器的工作頻率和數據速率分別為200mhz和266mhz，與此對應的時鍾頻率為100mhz和133mhz。
sdr
dram是動態存儲器(dynamic
ram)的縮寫sdram是英文synchronousdram的縮寫，譯成中文就是同步動態存儲器的意思。從技術角度上講，同步動態存儲器(sdram)是在現有的標准動態存儲器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鍾同步所有的地址數據和控制信號。使用sdram不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。在功能上，它類似常規的dram，且也需時鍾進行刷新。可以說，sdram是一種改善了結構的增強型dram。目前的sdram有10ns和8ns。
㈡ 隨機存取存儲器有哪些
11其存取存儲器有哪些隨機存儲存取他的比較多的，現在這方面的儲存都是很方便的，大家也是非常高興
㈢ STT-和DRAM固態硬碟哪個好
Enrance：代表器件最大的擦寫次數；
STTRAM：自旋扭矩轉換隨機存儲器，物理機制是磁致阻變效應；
SRAM：靜態隨機存儲器，主要用來製造CPU與主板之間的緩存。
優點是速度快（可以看到這種存儲器的讀寫速度是最快的）；
缺點是集成密度低，掉電不能保存數據。
DRAM：動態隨機存儲器，用途主要在內存上。憶阻器的大部分參數可以和DRAM相比，也可以用來製造內存。
Flash(NAND):快閃記憶體。用途：固態硬碟，攜帶型存儲器。
HDD：硬碟。
優點是價格低廉（這種存儲器的單位容量所需要的價格是最低的，
缺點也是顯而易見的，讀寫速度比其他存儲器低很多數量級。
㈣ SRAM,與DRAM有什麼區別哪個好
SRAM是靜態隨機存儲器，DRAM是動態隨機存儲器。SRAM的速度更快，但比較貴。DRAM便宜一點，但速度就慢一點了。
㈤ 內存條ddr3和ddr4哪個好 有什麼區別
ddr是雙倍數據速率(double
data
rate)。ddr與普通同步動態隨機存儲器（dram）非常相象。普通同步dram（現在被稱為sdr）與標准dram有所不同。
標準的dram接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一地址字由原始地址選通（ras）鎖存在dram晶元。緊隨ras命令之後，列地址選通（cas）鎖存第二地址字。經過ras和cas，存儲的數據可以被讀取。
同步動態隨機存儲器（sdr
dram)由一個標准dram和時鍾組成，ras、cas、數據有效均在時鍾脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鍾指示，可以預測數據和剩餘指令的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由於數據有效窗口的可預計性，所以可將存儲器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈沖串模式，可進行連續地址獲取而不必重復ras選通。連續cas選通可對來自相同源的數據進行再現。
ddrⅱ內存中，依然是在時鍾上沿和下沿觸發傳輸的。而非一些媒體所說的上下沿各兩次傳輸數據。而ddrⅱ內存和ddr內存的最大差異之處在於ddrⅱ內存內部為4bit預取。所謂的4bit預取事實上是指內存晶元能夠在1個周期內提供4倍的傳輸速度。而之前的ddr內存採用的則是2bit預取。
因為4bit預取的應用，使得ddrⅱ內存的內部工作頻率只有i/o觸發頻率的一半，這樣一來ddrⅱ533mhz的內部工作頻率變成了266mhz，所以ddrⅱ內存能夠輕易地實現等效於667mhz甚至800mhz的傳輸率。
ddr3內存已經有了，速度兩倍於ddrⅱ，目前主要用於對速度要求較高的顯卡上，用來作顯存。
㈥ 隨機存取存儲器(RAM)：、只讀存儲器(ROM)、 高速緩沖存儲器(Cache)的區別
●只讀存儲器（ROM）
ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在製造ROM的時候，信息（數據或程序）就被存入並永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數據也不會丟失。ROM一般用於存放計算機的基本程序和數據，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。
●隨機存儲器（RAM）
隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存於其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊佔用的空間。目前市場上常見的內存條有4M／條、8M／條、16M／條等。
●高速緩沖存儲器（Cache）
Cache也是我們經常遇到的概念，它位於CPU與內存之間，是一個讀寫速度比內存更快的存儲器。當CPU向內存中寫入或讀出數據時，這個數據也被存儲進高速緩沖存儲器中。當CPU再次需要這些數據時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取數據，而不是訪問較慢的內存，當然，如需要的數據在Cache中沒有，CPU會再去讀取內存中的數據。
㈦ 電腦的ram（隨機存儲器）是多些好還是少些。多有什麼好處
多一些好 但是 平常人用4-8G 足夠了 系統支持也是有限制的
內存RAM
打個比方
數據大多都在硬碟里邊 要用的時候 放到內存里 然後讓CPU運算
就像你要做個研究 大量的書（數據） 都在 圖書館里（硬碟） 你要用來寫東西
你只能零時取幾本書放到桌上（內存） 然後通過思考（CPU） 做研究
你零時那很多書方便做研究 但是太多了也用不著是吧 你也看不過來
㈧ 靜態的隨機存儲器和動態的隨機存儲器的根本區別是什麼它們各有何優缺點各適用於什麼場合
樓主給你個專業的回答參考下吧
SRAM靜態的隨機存儲器： 特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。
DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)： 它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。
㈨ SDRAM和DDR SDRAM有什麼區別,哪個性能更好
同步動態隨機存儲器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133規范所廣泛使用的內存類型，它的帶寬為64位，3.3V電壓，目前產品的最高速度可達5ns。它與CPU使用相同的時鍾頻率進行數據交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。
雙倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又簡稱DDR，由於它在時鍾觸發沿的上、下沿都能進行數據傳輸，所以即使在133MHz的匯流排頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標准。它仍然可以沿用現有SDRAM的生產體系，製造成本比SDRAM略高一些，但仍要遠小於Rambus的價格，因為製造普通SDRAM的設備只需稍作改進就能進行DDR內存的生產，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與Rambus相抗衡的內存發展的一個方向。
介面動態隨機存儲器（Direct Rambus DRAM, DRDRAM）：是Intel所推崇的未來內存的發展方向，它將RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時鍾頻率來簡化每個時鍾周期的數據量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率（不低於300MHz），但其數據通道介面帶寬較低，只有16位，當工作時鍾為300MHz時，Rambus利用時鍾的上沿和下沿分別傳輸數據，因此它的數據傳輸率能達到300×16×2/8=1.2GB/s，若是兩個通道，就是2.4GB/s。它與傳統DRAM的區別在於引腳定義會隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線也可以被定義成控制線。其引腳數僅為普通DRAM的三分之一。
虛擬通道存儲器（Virtual Channel Memory, VCM），是目前大多數最新的主板晶元組都支持的一種內存標准，VCM是由NEC公司開發的一種的「緩沖式DRAM」，該技術將在大容量SDRAM中採用。它集成了所謂的「通道緩沖」，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著與傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不管數據是否經過CPU處理都可以先行交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的數據，這就是為什麼VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上的原因。