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flash存儲器使用什麼管腳

發布時間: 2022-08-17 16:19:44

⑴ 什麼是FLASH存儲

什麼是Flash Memory存儲器

介紹關於閃速存儲器有關知識 近年來,發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言,Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點,又有很高的存取速度,而且易於擦除和重寫, 功耗很小。目前其集成度已達4MB,同時價格也有所下降。

由於Flash Memory的獨特優點,如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS,會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點,但它是機電設備,有機械磨損,可靠性及耐用性相對較差,抗沖擊、抗振動能力弱,功耗大。因此,一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高,價格降低,使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。 目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准,可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡,一種稱為Flash存儲器卡,此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體,在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡,此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容,可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大,價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高,重量輕,但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。

http://bbs.zol.com.cn/index20060220/index_17_241442.html

⑵ 請問 nand flash引腳定義48腳的是什麼定義

答:1. 硬體特性: 【Flash的硬體實現機制】 Flash全名叫做Flash Memory,屬於非易失性存儲設備(Non-volatile Memory Device),與此相對應的是易失性存儲設備(Volatile Memory Device)。關於什麼是非易失性/易失性,從名字中就可以看出

⑶ Nand,iNAND和NOR flash有什麼區別

sdram:主要用於程序執行時的程序存儲、執行或計算,類似內存。
nor flash:適合小容量的程序或數據存儲,類似小硬碟;
nand flash:適合大容量數據存儲,類似硬碟;
inand flash:是SanDisk公司研發的存儲晶元,可以簡單的看成SD卡或MMC卡晶元化。
Nor flash的有自己的地址線和數據線,可以採用類似於memory的隨機訪問方式,在nor flash上可以直接運行程序,所以nor flash可以直接用來做boot,採用nor flash啟動的時候會把地址映射到0x00上。
Nand flash是IO設備,數據、地址、控制線都是共用的,需要軟體區控制讀取時序,所以不能像nor flash、內存一樣隨機訪問,不能EIP(片上運行),因此不能直接作為boot。
NANDFlash啟動: NANDFlash控制器自動把nandflash存儲器的前4K載到Steppingstone(內部SRAM緩沖器),並把0x00000000S設置為內部SRAM的起始地址,cpu從內部SRAM的0x00000000開始啟動,這個過程不需要程序干涉。(cpu會自動從NAND flash中讀取前4KB的數據放置在片內SRAM里(s3c2440是soc),同時把這段片內SRAM映射到nGCS0片選的空間(即0x00000000)。cpu是從0x00000000開始執行,也就是NAND flash里的前4KB內容。因為NAND FLASH連地址線都沒有,不能直接把NAND映射到0x00000000,只好使用片內SRAM做一個載體。通過這個載體把nandflash中大代碼復制到RAM(一般是SDRAM)中去執行)。程序員要完成的工作是把最核心的代碼放在nandflash的前4K中。4K代碼要完成S3C2440的核心配置以及啟動代碼(U-boot)的剩餘部分拷貝到SDRAM中。 這4K的啟動代碼需要將NANDFlash中的內容復制到SDRAM中執行。NANDFlash的前4K空間放啟動代碼,SDRAM速度較快,用來執行主程序的代碼。ARM一般從ROM或Flash啟動完成初始化,然後將應用程序拷貝到RAM,然後跳到RAM執行。
NORflash啟動:支持XIP即代碼直接在NOR Flash上執行,無需復制到內存中。這是由於NORFlash的介面與RAM完全相同,可隨機訪問任意地址數據。NORflash速度快,數據不易失,可作為存儲並執行起到代碼和應用程序的存儲器,norflash可像內存一樣讀操作,但擦初和寫操作效率很低,遠不及內存,一般先在代碼的開始部分使用匯編指令初始化外接的的內存部件(外存SDRAM),最後跳到外存中繼續執行。對於小程序一般把它燒到NANDflash中,藉助cpu內部RAM(SRAM)直接雲行。 nor flash被映射到0x00000000地址(就是nGCS0,這里就不需要片內SRAM來輔助了,所以片內SRAM的起始地址還是0x40000000). 然後cpu從0x00000000開始執行(也就是在Norfalsh中執行)。 NORflash速度快,數據不易失,可作為存儲並執行起到代碼和應用程序的存儲器,norflash可像內存一樣讀操作,但擦初和寫操作效率很低,價格很昂貴。SDRAM和nandflash的價格比較適中。根據這些特點,一些人產生了這樣一種想法:外部nandflash中執行啟動代碼,SDRAM中執行主程序。NANDFlash控制器自動把nandflash存儲器的前4K載到Steppingstone(內部SRAM緩沖器),並把0x00000000S設置為內部SRAM的起始地址,cpu從內部SRAM的0x00000000開始啟動,這個過程不需要程序干涉。這4K的啟動代碼需要將NANDFlash中的內容復制到SDRAM中執行。NANDFlash的前4K空間放啟動代碼,SDRAM速度較快,用來執行主程序的代碼。ARM一般從ROM或Flash啟動完成初始化,然後將應用程序拷貝到RAM,然後跳到RAM執行。
總結: Arm的啟動都是從0地址開始,所不同的是地址的映射不一樣。在arm開電的時候,要想讓arm知道以某種方式(地址映射方式)運行,不可能通過你寫的某段程序控制,因為這時候你的程序還沒啟動,這時候arm會通過引腳的電平來判斷。
1當引腳OM0跟OM1有一個是高電平時,這時地址0會映射到外部nGCS0片選的空間,也就是Norflash,程序就會從Norflash中啟動,arm直接取Norflash中的指令運行。
2當OM0跟OM1都為低電平,則0地址內部bootbuf(一段4k的SRAM)開始。系統上電,arm會自動把NANDflash中的前4K內容考到bootbuf(也就是0地址),然後從0地址運行。這時NANDFlash中的前4K就是啟動代碼(他的功能就是初始化硬體然後在把NANDFlash中的代碼復制到RAM中,再把相應的指針指向該運行的地方)為什麼會有這兩種啟動方式,關鍵還是兩種flash的不同特點造成,NOR FLASH容量小,速度快,穩定性好,輸入地址,然後給出讀寫信號即可從數據口得到數據,適合做程序存儲器。NAND FLASH 總容量大,但是讀寫都需要復雜的時序,更適合做數據存儲器。這種不同就造成了NORflash可以直接連接到arm的匯流排並且可以運行程序,而NANDflash必須搬移到內存(SDRAM)中運行。在實際的開發中,一般可以把bootloader燒入到Norflash,程序運行可以通過串口交互,進行一定的操作,比如下載,調試。這樣就很可以很方便的調試你的一些代碼。Norflash中的Bootloader還可以燒錄內核到Norflash等等功能
關於為什麼NAND Flash不能直接運行程序的說明:
Nand Flash的命令、地址、數據都通過I/O口發送,管腳復用,這樣做做的好處是,可以明顯減少NAND FLASH的管腳數目,將來如果設計者想將NAND FLASH更換為更高密度、更大容量的,也不必改動電路板。
NAND FLASH不能夠執行程序,本人總結其原因如下 :
1. NAND FLASH本身是連接到了控制器上而不是系統匯流排上。CPU啟動後是要取指令執行的,如果是SROM、NOR FLASH 等之類的,CPU 發個地址就可以取得指令並執行,NAND FLASH不行,因為NAND FLASH 是管腳復用,它有自己的一套時序,這樣CPU無法取得可以執行的代碼,也就不能初始化系統了。
2. NAND FLASH是順序存取設備,不能夠被隨機訪問,程序就不能夠分支或跳轉,這樣你如何去設計程序。

⑷ AT89C52引腳的功能

AT89C52有40個引腳,32個外部雙向輸入/輸出(I/O)埠,同時內含2個外中斷口,3個16位可編程定時計數器,2個全雙工串列通信口,2 個讀寫口線,AT89C52可以按照常規方法進行編程,也可以在線編程。其將通用的微處理器和Flash存儲器結合在一起,特別是可反復擦寫的 Flash存儲器可有效地降低開發成本。

AT89C52有PDIP、PQFP/TQFP及PLCC等三種封裝形式,以適應不同產品的需求。

主要管腳有:

XTAL1(19 腳)和XTAL2(18 腳):

為振盪器輸入輸出埠,外接12MHz 晶振。XTAL1(19 腳):振盪器反相放大器及內部時鍾發生器的輸入端。XTAL2(18 腳):振盪器反相放大器的輸出端。

RST/Vpd(9 腳):

為復位輸入埠,外接電阻電容組成的復位電路。當振盪器工作時,RST引腳出現兩個機器周期以上高電平將使單片機復位。

VCC(40 腳)和VSS(20 腳):

為供電埠,分別接+5V電源的正負端。

P0~P3 為可編程通用I/O 腳,其功能用途由軟體定義。

P0 :

口是一組8 位漏極開路型雙向I/O 口, 也即地址/數據匯流排復用口。作為輸出口用時,每位能吸收電流的方式驅動8 個TTL邏輯門電路,對埠P0 寫"1"時,可作為高阻抗輸入端用。

在訪問外部數據存儲器或程序存儲器時,這組口線分時轉換地址(低8 位)和數據匯流排復用,在訪問期間激活內部上拉電阻。在Flash編程時,P0 口接收指令位元組,而在程序校驗時,輸出指令位元組,校驗時,要求外接上拉電阻。

P1:

是一個帶內部上拉電阻的8 位雙向I/O 口, P1 的輸出緩沖級可驅動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏輯門電路。對埠寫"1",通過內部的上拉電阻把埠拉到高電平,此時可作輸入口。作輸入口使用時,因為內部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。

與AT89C51 不同之處是,P1.0 和P1.1 還可分別作為定時/計數器2 的外部計數輸入(P1.0/T2)和輸入(P1.1/T2EX),Flash 編程和程序校驗期間,P1 接收低8 位地址。

P2:

是一個帶有內部上拉電阻的8 位雙向I/O 口,P2 的輸出緩沖級可驅動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏輯門電路。對埠P2 寫"1",通過內部的上拉電阻把埠拉到高電平,此時可作輸入口,作輸入口使用時,因為內部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。

在訪問外部程序存儲器或16 位地數據存儲器(例如執行MOVX @DPTR 指令)時,P2 口送出高8 位地址數據。在訪問8 位地址的外部數據存儲器(如執行MOVX@RI 指令)時,P2 口輸出P2鎖存器的內容。Flash編程或校驗時,P2亦接收高位地址和一些控制信號。

P3:

是一組帶有內部上拉電阻的8 位雙向I/O 口。P3 口輸出緩沖級可驅動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏輯門電路。對P3 口寫入"1"時,它們被內部上拉電阻拉高並可作為輸入埠。此時,被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流(IIL)。P3 口除了作為一般的I/O 口線外,更重要的用途是它的第二功能。P3 口還接收一些用於Flash閃速存儲器編程和程序校驗的控制信號。

ALE/PROG:

當訪問外部程序存儲器或數據存儲器時,ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用於鎖存地址的低8 位字

節。一般情況下,ALE 仍以時鍾振盪頻率的1/6 輸出固定的脈沖信號,因此它可對外輸出時鍾或用於定時目的。要注意的是:每當訪問外部數據存儲器時將跳過一個ALE 脈沖。對Flash存儲器編程期間,該引腳還用於輸入編程脈沖(PROG)。如有必要,可通過對特殊功能寄存器(SFR)區中的8EH 單元的D0 位置位,可禁止ALE 操作。該位置位後,只有一條MOVX 和MOVC指令才能將ALE 激活。此外,該引腳會被微弱拉高,單片機執行外部程序時,應設置ALE 禁止位無效。

PSEN:

程序儲存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲器的讀選通信號,當AT89C52 由外部程序存儲器取指令(或數據)時,每個機器周期兩次PSEN 有效,即輸出兩個脈沖。在此期間,當訪問外部數據存儲器,將跳過兩次PSEN信號。

EA/VPP:

外部訪問允許。欲使CPU 僅訪問外部程序存儲器(地址為0000H-FFFFH),EA 端必須保持低電平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1 被編程,復位時內部會鎖存EA端狀態。如EA端為高電平(接Vcc端),CPU 則執行內部程序存儲器中的指令。Flash存儲器編程時,該引腳加上+12V 的編程允許電源Vpp,當然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。



⑸ is25lp016d+flash應該與單片機的什麼管腳連接

這要看你的單片機是什麼類型,是否支持DSPI或QSPI介面了。
如果只是基本SPI介面,那麼用單片機SPI介面的MISO接SO、單片機的MOSI接SI、單片機的SCK接SCK、共地,就可以了。

⑹ FLASH存儲器是什麼

什麼是flash
memory存儲器
介紹關於閃速存儲器有關知識
近年來,發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(flash
memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言,flash
memory屬於eeprom(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有rom的特點,又有很高的存取速度,而且易於擦除和重寫,
功耗很小。目前其集成度已達4mb,同時價格也有所下降。
由於flash
memory的獨特優點,如在一些較新的主板上採用flash
rom
bios,會使得bios
升級非常方便。
flash
memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點,但它是機電設備,有機械磨損,可靠性及耐用性相對較差,抗沖擊、抗振動能力弱,功耗大。因此,一直希望找到取代硬碟的手段。由於flash
memory集成度不斷提高,價格降低,使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。
目前研製的flash
memory都符合pcmcia標准,可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的pcmcia卡,一種稱為flash存儲器卡,此卡中只有flash
memory晶元組成的存儲體,在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為flash驅動卡,此卡中除flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與ide標准兼容,可在dos下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為flash固態盤。
flash
memory不足之處仍然是容量還不夠大,價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高,重量輕,但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把bios系統駐留在flash存儲器中。