Ⅰ 隨機存取存儲器的存儲單元
靜態存儲單元（SRAM）
●存儲原理：由觸發器存儲數據
●單元結構：六管NMOS或OS構成
●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache
●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大
●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
動態存儲單元（DRAM）
●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之後：單管基本單元）
●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。
●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低
●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用於作主存儲器。
盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產品。
Ⅱ 存儲器晶元6116、6264的地址線和數據線分別有幾根
存儲器晶元6116、6264的地址線和數據線分別有8根和16根。
存儲容量為16kb，沒有說明幾位。如果是8位，就是14條地址線，8條數據線。rom晶元的容量為8k×8位，這個地址線13位，數據線8位。SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線是16根，數據線是16根。
主存的工作方式
是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。
Ⅲ 用2114、6116、6264分別組成容量為64K*8位的存儲器，各需多少晶元
2114是1K×4的SRAM晶元，需要64×2＝128個晶元，地址需要10位作為片內地址選擇線，6位作為晶元選擇線。
6116是2K×8的SRAM晶元，需要32個晶元，地址需要11位作為片內地址選擇線，5位作為晶元選擇線。
6264是8K×8的SRAM晶元，需要8個晶元，地址需要13位作為片內地址選擇線，3位作為晶元選擇線。
Ⅳ 用2114，6116，6264組成容量為 64Kx8的存儲器，求邏輯圖
這是個6264組成容量為64Kx8的存儲器，根據這個圖，其他就都會了
Ⅳ 計算機的dram和sram是什麼 有什麼區別
按照存儲信息的不同，隨機存儲器分為靜態隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。
靜態存儲單元（SRAM）
●存儲原理：由觸發器存儲數據
●單元結構：六管NMOS或OS構成
●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache
●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大
●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
動態存儲單元（DRAM）
●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現在：單管基本單元）
●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。
●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低
●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用於作主存儲器。
盡管如此，由於DRAM[1]存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。
Ⅵ Intel存儲器RAM是怎麼命名的,比如2116、2114、6164、6116、6264、62256、628128等，
16就是2k*8位
64就是8k*8位
前兩位數表示是62系列的。後面兩位數表示存儲器的容量。
16表示為16Kbit ，一個位元組是8 bit ，所以是2KByte，即容量是2KB的。
同理，64/8=8KB。
Ⅶ 計算機的「dram」和「sram」分別是什麼意思，有什麼區別
按照存儲信息的不同，隨機存儲器分為靜態隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。
靜態存儲單元（SRAM）
●存儲原理：由觸發器存儲數據
●單元結構：六管NMOS或OS構成
●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache
●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大
●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
動態存儲單元（DRAM）
●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現在：單管基本單元）
●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。
●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低
●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用於作主存儲器。
盡管如此，由於DRAM[1]存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。
Ⅷ 6116存儲器的存儲空間有多大,可不可以讓存儲空間增大,最多增大幾倍,如何實現
6116是2k×8bit的靜態RAM晶元。
如果想獲得更大的存儲空間，就需要增加更多的6116，並且通過合理的片選設計（需要增加邏輯電路或者解碼電路）使得它們的空間不發生重疊。
Ⅸ 用6116和6264分別組成容量為64kb的存儲器，各需要多少晶元
6116是2K*8位的靜態隨機存儲器晶元。
6264是高速超低功耗靜態隨機存儲器，容量為8KB。
如果全用6264，需要8塊，如果全用6116，需要32塊，如果是組合，可以自行選擇組合。