『壹』 存儲晶元的組成
存儲體由哪些組成
存儲體由許多的存儲單元組成，每個存儲單元裡面又包含若干個存儲元件，每個存儲元件可以存儲一位二進制數0/1。
存儲單元：
存儲單元表示存儲二進制代碼的容器，一個存儲單元可以存儲一連串的二進制代碼，這串二進制代碼被稱為一個存儲字，代碼的位數為存儲字長。
在存儲體中，存儲單元是有編號的，這些編號稱為存儲單元的地址號。而存儲單元地址的分配有兩種方式，分別是大端、大尾方式、小端、小尾方式。
存儲單元是按地址尋訪的，這些地址同樣都是二進制的形式。
MAR
MAR叫做存儲地址寄存器，保存的是存儲單元的地址，其位數反映了存儲單元的個數。
用個例子來說明下：
比如有32個存儲單元，而存儲單元的地址是用二進制來表示的，那麼5位二進制數就可以32個存儲單元。那麼，MAR的位數就是5位。
在實際運用中，我們 知道了MAR的位數，存儲單元的個數也可以知道了。
MDR
MDR表示存儲數據寄存器，其位數反映存儲字長。
MDR存放的是從存儲元件讀出，或者要寫入某存儲元件的數據（二進制數）。
如果MDR=16,，每個存儲單元進行訪問的時候，數據是16位，那麼存儲字長就是16位。
主存儲器和CPU的工作原理
在現代計算中，要想完成一個完整的讀取操作，CPU中的控制器要給主存發送一系列的控制信號（讀寫命令、地址解碼或者發送驅動信號等等）。
說明：
1.主存由半導體元件和電容器件組成。
2.驅動器、解碼器、讀寫電路均位於主存儲晶元中。
3.MAR、MDR位於CPU的內部晶元中
4.存儲晶元和CPU晶元通過系統匯流排（數據匯流排、系統匯流排）連接。
『貳』 晶元存儲數據的原理
Flash晶元並不是像光碟那樣把信息刻上去的。為了更加清楚地說明，我首先讓你知道計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制，也就是0與1。在二進制中，0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態，可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電，磁性物質的已被磁化與未被磁化，物質平面的凹與凸，都可以表示0與1。硬碟就是採用磁性物質記錄信息的，磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因為磁性在斷電後不會喪失，所以磁碟斷電後依然能保存數據。而內存的儲存形式則不同，內存不是用磁性物質，而是用RAM晶元。現在請你在一張紙上畫一個「田」，就是畫一個正方形再平均分成四份，這個「田」字就是一個內存，這樣，「田」裡面的四個空格就是內存的儲存空間了，這個儲存空間極小極小，只能儲存電子。。好，內存現在開始工作。內存通電後，如果我要把「1010」這個信息保存在內存（現在畫的「田」字）中，那麼電子就會進入內存的儲存空間里。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子，第二個空格不用畫東西，第三個空格又畫東西表示電子，第四個格不畫東西。這樣，「田」的第一格有電子，表示1，第二格沒有，表示0，第三格有電子，表示1，第四格沒有，表示0，內存就是這樣把「1010」這個數據保存好了。電子是運動沒有規律的物質，必須有一個電源才能規則地運動，內存通電時它很安守地在內存的儲存空間里，一旦內存斷電，電子失去了電源，就會露出它亂雜無章的本分，逃離出內存的空間去，所以，內存斷電就不能保存數據了。再看看U盤，U盤里的儲存晶元是Flash晶元，它與RAM晶元的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字，這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈，這個圓圈不是表示電子，而是表示一種物質。好，Flash晶元工作通電了，這次也是保存「1010」這個數據。電子進入了「田」的第一個空格，也就是晶元的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質，為了表示這個物質改變了性質，你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於數據「1010」的第二位數是0，所以Flash晶元的第二個空間沒有電子，自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1，所以「田」的第三個空格通電，第四個不通電。現在你畫的「田」字，第一個空格的物質塗上了顏色，表示這個物質改變了性質，表示1，第二個沒有塗顏色，表示0，以此類推。當Flash晶元斷電後，物質的性質不會改變了，除非你通電擦除。當Flash晶元通電查看儲存的信息時，電子就會進入儲存空間再反饋信息，電腦就知道晶元裡面的物質有沒有改變。就是這樣，RAM晶元斷電後數據會丟失，Flash晶元斷電後數據不會丟失，但是RAM的讀取數據速度遠遠快於Flash晶元。
『叄』 計算機存儲系統分為哪幾個層次
在計算機系統中存儲層次可分為高速緩沖存儲器、主存儲器、輔助存儲器三級。高速緩沖存儲器用來改善主存儲器與中央處理器的速度匹配問題。輔助存儲器用於擴大存儲空間。
存儲系統的性能在計算機中的地位日趨重要，主要原因是：
1、馮諾伊曼體系結構是建築在存儲程序概念的基礎上，訪存操作約佔中央處理器（CPU）時間的70%左右。
2、存儲管理與組織的好壞影響到整機效率。
3、現代的信息處理，如圖像處理、資料庫、知識庫、語音識別、多媒體等對存儲系統的要求很高。
(3)存儲晶元和演算法技術擴展閱讀：
移動存儲特點：
1、獲國家保密局認證，安全可靠；
2、與加密系統無縫結合，防護能力倍增；
3、 國內首創，將普通U盤變為加密U盤，徹底解決U盤的方便性帶來的風險；
4、 採用雙因子認證技術；
5、專用加密移動存儲與系統無縫結合，管理更流暢；
6、功能多樣，可滿足各種不同需求的保密要求；
7、 完善的審計功能，隨時掌握U盤持有人的行為。
移動存儲功能：
1、集中注冊與授權。可通過注冊信息實現U盤身份識別和介質追蹤；
2、主機身份認證。所有安裝客戶端的計算機都須經管理員分配實名信息後方可使用；
3、加密上鎖。對加密上鎖後的U盤需要用戶進行身份認證；
4、訪問控制。可靈活控制移動存儲介質注冊策略和信息，設定允許使用的計算機或租；
5、外出拷貝。拷入U盤內的數據可與外界的計算機進行數據交互使用，也可實現定向拷貝；
6、用戶審計。移動管理存儲系統提供詳細的審計記錄及審計報告。
主存儲器：
存放指令和數據，並能由中央處理器直接隨機存取的存儲器，有時也稱操作存儲器或初級存儲器。主存儲器的特點是速度比輔助存儲器快，容量比高速緩沖存儲器大。
計算機存儲介質：
計算機存儲介質是計算機存儲器中用於存儲某種不連續物理量的媒體。計算機存儲介質主要有半導體、磁芯、磁鼓、磁帶、激光碟等。
『肆』 SSD 固態硬碟的FLASH 存儲晶元
NAND Flash快閃記憶體晶元又分為SLC（單層單元）和MLC（多層單元）NAND快閃記憶體。
SLC全稱是單層式儲存 (Single Level Cell），因為結構簡單，在寫入數據時電壓變化的區間小，所以壽命較長，傳統的SLC NAND快閃記憶體可以經受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅動，所以其速度表現更好，目前很多高端固態硬碟都是都採用該類型的Flash快閃記憶體晶元。
MLC全稱是多層式儲存（Multi Leveled Cell），它採用較高的電壓驅動，通過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態硬碟中應用最為廣泛的MLC NAND快閃記憶體，其最大的特點就是以更高的存儲密度換取更低的存儲成本，從而可以獲得進入更多終端領域的契機。不過，MLC的缺點也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低，官方給出的可擦寫次數僅為1萬次。
Goldendisk 雲存科技的固態採用循擦寫功能，演算法加密功能，一鍵銷除功能，非法斷電保護功能，防震功能，防寫功能為硬碟數據提供更好的資料保護功能。
Smartcom 睿通的產品採用平均抹寫或稱損耗均衡演算法（wear leaving）可延長FLASH 的使用壽命。 固態硬碟存儲晶元品牌，型號一覽表 三星 S3C49RBX01-YH80、S3C29RBB01-YK40 東芝 TC58NCF602GAT、TC58NCF618GBT、T6UG1XBG Intel JS29F08G08CANB2、JS29F16G08CANC1 Mircon MT29F8G08ABABAWP:B、MT29F16G08ABACAWP
『伍』 存儲位元組和存儲晶元的概念
存儲位元組是以位元組為單位將信息存儲到一個地方。
那存儲晶元就是存儲信息的地方了
換句話說，存儲晶元是容器，它裝的是位元組或者是其他的一些單位的信息
『陸』 晶元是如何存儲程序的
晶元是採用以下工作原理來存儲程序的：
晶元是一種集成電路，由大量的晶體管構成。不同的晶元有不同的集成規模，大到幾億；小到幾十、幾百個晶體管。
晶體管有兩種狀態，開和關，用 1、0 來表示。
多個晶體管產生的多個1與0的信號，這些信號被設定成特定的功能（即指令和數據），來表示或處理字母、數字、顏色和圖形等。
晶元加電以後，首先產生一個啟動指令，來啟動晶元，以後就不斷接受新指令和數據，來完成功能。
『柒』 為什麼說AI專用晶元會挑戰GPU的絕對統治地位
當下數據中心的AI訓練場景下，計算和存儲之間數據搬移已成為瓶頸，新一代的基於3D堆疊存儲技術的AI晶元架構已經成為趨勢。AI晶元中數據帶寬的需求會進一步推動3D堆疊存儲晶元在AI訓練晶元中的普遍應用。而類腦計算晶元也會在尋找更合適的應用中進一步推動其發展。在數據中心的訓練場景，AI專用晶元將挑戰GPU的絕對統治地位。真正能充分體現Domain Specific的AI晶元架構還是會更多地體現在諸多邊緣場景。
不光如此，2019最大的趨勢就在於：單純的深度學習已經成熟，而結合了深度學習的圖神經網路將端到端學習與歸納推理相結合，有望解決深度學習無法處理的關系推理、可解釋性等一系列問題。強大的圖神經網路將會類似於由神經元等節點所形成網路的人的大腦，機器有望成為具備常識，具有理解、認知能力的AI。
『捌』 目前計算機使用的處理器和存儲器晶元主要是什麼電路
目前計算機使用的處理器和存儲器晶元主要是VLSI超大規模集成電路。
超大規模集成電路（ Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）是一種將大量晶體管組合到單一晶元的集成電路，其集成度大於大規模集成電路。
集成的晶體管數在不同的標准中有所不同。從1970年代開始，隨著復雜的半導體以及通信技術的發展，集成電路的研究、發展也逐步展開。
計算機里的控制核心微處理器就是超大規模集成電路的最典型實例，超大規模集成電路設計（ VLSI design），尤其是數字集成電路，通常採用電子設計自動化的方式進行，已經成為計算機工程的重要分支之一。
(8)存儲晶元和演算法技術擴展閱讀：
世界上超大規模集成電路廠（Integrated Circuit， 簡稱IC，台灣稱之為晶圓廠）主要集中分布於美國、日本、西歐、新加坡及台灣等少數發達國家和地區，其中台灣地區佔有舉足輕重的地位。
但由於近年來台灣地區歷經地震、金融危機、政府更迭等一系列事件影響，使得本來就存在資源匱乏、市場狹小、人心浮動的台灣島更加動盪不安，於是就引發了一場晶圓廠外遷的風潮。而具有幅員遼闊、資源充足、巨大潛在市場、充沛的人力資源供給等方面優勢的祖國大陸當然順理成章地成為了其首選的遷往地。