Ⅰ EEPROM是什麼
EEPROM
(Electrically
Erasable
Programmable
Read-Only
Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。
EEPROM
可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高於普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM晶元，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的，EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。EEPROM的一種特殊形式是快閃記憶體，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。
Ⅱ 有關存儲器的問題~
存儲器分為內存儲器(簡稱內存或主存)、外存儲器(簡稱外存或輔存)。外存儲器一般也可作為輸入/輸出設備。計算機把要執行的程序和數據存入內存中，內存一般由半導體器構成。半導體存儲器可分為三大類:隨機存儲器、只讀存儲器、特殊存儲器。
RAM
RAM是隨機存取存儲器(Random
Access
Memory)，其特點是可以讀寫，存取任一單元所需的時間相同，通電是存儲器內的內容可以保持，斷電後，存儲的內容立即消失。RAM可分為動態(Dynamic
RAM)和靜態(Static
RAM)兩大類。所謂動態隨機存儲器DRAM是用MOS電路和電容來作存儲元件的。由於電容會放電，所以需要定時充電以維持存儲內容的正確，例如互隔2ms刷新一次，因此稱這為動態存儲器。所謂靜態隨機存儲器SRAM是用雙極型電路或MOS電路的觸發器來作存儲元件的，它沒有電容放電造成的刷新問題。只要有電源正常供電，觸發器就能穩定地存儲數據。DRAM的特點是集成密度高，主要用於大容量存儲器。SRAM的特點是存取速度快，主要用於調整緩沖存儲器。
ROM
ROM是只讀存儲器(Read
Only
Memory)，它只能讀出原有的內容，不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是由廠家一次性寫放的，並永久保存下來。ROM可分為可編程(Programmable)ROM、可擦除可編程(Erasable
Programmable)ROM、電擦除可編程(Electrically
Erasable
Programmable)ROM。如，EPROM存儲的內容可以通過紫外光照射來擦除，這使它的內可以反復更改。
特殊固態存儲器
包括電荷耦合存儲器、磁泡存儲器、電子束存儲器等，它們多用於特殊領域內的信息存儲。
此外，描述內、外存儲容量的常用單位有:
①位/比特(bit):這是內存中最小的單位，二進制數序列中的一個0或一個1就是一比比特，在電腦中，一個比特對應著一個晶體管。
②位元組(B、Byte):是計算機中最常用、最基本的存在單位。一個位元組等於8個比特，即1
Byte=8bit。
③千位元組(KB、Kilo
Byte):電腦的內存容量都很大，一般都是以千位元組作單位來表示。1KB=1024Byte。
④兆位元組(MB
Mega
Byte):90年代流行微機的硬碟和內存等一般都是以兆位元組(MB)為單位。1
MB=1024KB。
⑤吉位元組(GB、Giga
Byte):目前市場流行的微機的硬碟已經達到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等規格。1GB=1024MB。
⑥太位元組(TB、Tera
byte):1TB=1024GB。
(三)輸入/輸出設備
輸入設備是用來接受用戶輸入的原始數據和程序，並將它們變為計算機能識別的二進制存入到內存中。常用的輸入設備有鍵盤、滑鼠、掃描儀、光筆等。
輸出設備用於將存入在內存中的由計算機處理的結果轉變為人們能接受的形式輸出。常用的輸出設備有顯示器、列印機、繪圖儀等。
(四)匯流排
匯流排是一組為系統部件之間數據傳送的公用信號線。具有匯集與分配數據信號、選擇發送信號的部件與接收信號的部件、匯流排控制權的建立與轉移等功能。典型的微機計算機系統的結構如圖2-3所示，通常多採用單匯流排結構，一般按信號類型將匯流排分為三組，其中AB(Address
Bus)為地址匯流排;DB(Data
Bus)為數據匯流排;CB(Control
Bus)控制匯流排。
(五)微型計算機主要技術指標
①CPU類型:是指微機系統所採用的CPU晶元型號，它決定了微機系統的檔次。
②字長:是指CPU一次最多可同時傳送和處理的二進制位數，安長直接影響到計算機的功能、用途和應用范圍。如Pentium是64位字長的微處理器，即數據位數是64位，而它的定址位數是32位。
③時鍾頻率和機器周期:時鍾頻率又稱主頻，它是指CPU內部晶振的頻率，常用單位為兆(MHz)，它反映了CPU的基本工作節拍。一個機器周期由若干個時鍾周期組成，在機器語言中，使用執行一條指令所需要的機器周期數來說明指令執行的速度。一般使用CPU類型和時鍾頻率來說明計算機的檔次。如Pentium
III
500等。
④運算速度:是指計算機每秒能執行的指令數。單位有MIPS(每秒百萬條指令)、MFLOPS(秒百萬條浮點指令)
⑤存取速度:是指存儲器完成一次讀取或寫存操作所需的時間，稱為存儲器的存取時間或訪問時間。而邊連續兩次或寫所需要的最短時間，稱為存儲周期。對於半導體存儲器來說，存取周期大約為幾十到幾百毫秒之間。它的快慢會影響到計算機的速度。
⑥內、外存儲器容量:是指內存存儲容量，即內容儲存器能夠存儲信息的位元組數。外儲器是可將程序和數據永久保存的存儲介質，可以說其容量是無限的。如硬碟、軟盤已是微機系統中不可缺少的外部設備。迄今為止，所有的計算機系統都是基於馮·諾依曼存儲程序的原理。內、外存容量越大，所能運行的軟體功能就越豐富。CPU的高速度和外存儲器的低速度是微機系統工作過程中的主要瓶頸現象，不過由於硬碟的存取速度不斷提高，目前這種現象已有所改善。
Ⅲ 只讀存儲器ROM。PROM。EPROM有什麼區別
ROM 只讀存儲器：ROM內部的資料是在ROM的製造工序中，在工廠里用特殊的方法被燒錄進去的，其中的內容只能讀不能改。
PROM 可編程ROM：最初從工廠中製作完成的PROM內部並沒有資料，用戶可以用專用的編程器將自己的資料寫入，但是這種機會只有一次，一旦寫入後也無法修改。
EPROM 可擦除可編程ROM：晶元可重復擦除和寫入。
還有EEPROM,FLASH ROM.
Ⅳ 計算機內存中只能讀出，不能寫入的存儲器稱為
只能獨處，不能寫入的存儲器為ROM。
只讀存儲器（ROM）是一種在正常工作時其存儲的數據固定不變，其中的數據只能讀出，不能寫入，即使斷電也能夠保留數據，要想在只讀存儲器中存入或改變數據，必須具備特定的條件。
按存取信息的不同方式，存儲器可以分為隨機存取存儲器（RAM）和非隨機存取存儲器。只讀存儲器就屬於非隨機存取存儲器。主要分為掩膜 ROM、PROM、EPROM、EEROM、flash ROM等幾類。
(4)電可擦寫編程只讀存儲器指的是擴展閱讀：
根據編程方式的不同，只讀存儲器共分為以下5種：
1、掩膜工藝 ROM
這種 ROM 是工藝廠家根據客戶所要存儲的信息，設計專用的掩膜板進行生產的。一旦生產出成品後，ROM 中的信息即可被讀出使用，但不能改變。這類 ROM一般用於批量生產，成本比較低。
2、可一次性編程 ROM（PROM）
PROM 是用熔絲（通常用鎳鉻合金、多晶硅或鈦鎢合金製造）製造的，用戶可以燒斷這些熔絲，以實現存儲器存儲元件之間的互聯，從而寫入信息，一旦寫入之後，信息就會永久的固定下來，只可讀出，不可再改變其內容。
3、紫外線擦除可改寫 ROM（EPROM）
EPROM 中的內容可由用戶寫入，也允許用戶反復擦除重新寫入。EPROM 用電信號編程用紫外線擦除，在晶元外殼上方有一個圓形的窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有信息。由於太陽光中含有紫外線，所以當程序寫好後要使用昂貴的帶有石英窗口的陶瓷封裝，避免陽光射入而破壞程序。而且在擦除過程中不能選擇性地擦除存儲字單元，如果用戶需要改程序，必須擦除整個存儲陣列。
4、電擦除可改寫 ROM（EEROM）
EEROM 是 ROM 發展過程中的一個主要進展，它的寫操作採用了熱載流子隧穿，擦除操作採用了熱電子的量子力學隧穿效應。EEPROM 有相當多的優點，如單一的 5V 電壓編程能力、編程之前無需進行擦除操作、位元組模式和頁模式的寫操作、中等的存取時間、低功耗、全軍用工作溫度范圍，以及在嚴峻的環境條件下的不揮發性。
5、快閃 ROM（flash ROM）
在 20 世紀 80 年代中期，人們發現把熱載流子編程和隧穿擦除結合在一起是一種實現一個單管 EPROM 單元的方法，這種新技術被稱為快閃記憶體（flashROM）。這種技術結合了 EPROM 的編程能力和 EEPROM 的擦除能力，讀寫速度都很快。這種晶元的改寫次數最大能達到 100 萬次。
Ⅳ eprom是指什麼
EPROM指的是「可擦寫可編程只讀存儲器」，即Erasable Programmable Read-Only Memory。它的特點是具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程，但是缺點是擦除需要使用紫外線照射一定的時間。
EPROM是非常有用的硬體或機制，可以在不同的應用程序和領域中使用。EPROM用於計算機BIOS中，以便存儲引導載入程序，該引導載入程序將初始化計算機並載入非常基本的BIOS操作系統，以載入常規操作系統。
eprom工作程序
EPROM的編程需要使用編程器完成。編程器是用於產生EPROM編程所需要的高壓脈沖信號的裝置。編程時將EPROM的數據送到隨機存儲器中，然後啟動編程程序，編程器便將數據逐行地寫入EPROM中。
一片編程後的EPROM，可以保持其數據大約10～20年，並能無限次讀取。擦除窗口必須保持復蓋，以防偶然被陽光擦除。老式電腦的BIOS晶元，一般都是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS發行商名稱、版本和版權聲明的標簽所復蓋。現在EPROM已經被EEPROM取代（電擦除只讀寄存器）。
Ⅵ 請問IC FLASH、SDRAM、DRAM、EEPROM分別是什麼
IC:(integrated circuit)集成電路，通過特殊工藝在單一矽片上集成若干晶體管，實現需若干分立元件才能實現的功能。
EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它譯作電擦電寫只讀存儲器，也有書本譯作「電可擦可編程只讀存儲器」。特點是可掉電存儲數據，缺點是存儲速度較慢，且早期的EEPROM需高壓操作，現在的EEPROM一般片內集成電壓泵，讀寫速度小於250納秒，使用很方便。
FLASH：一般譯為「快閃記憶體」，你可以理解為是EEPROM的一種，但存儲速度較快，製作工藝優良，U盤的核心元件就是它。
SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步動態隨機存取存儲器,網路上這樣描述：「同步是指Memory工作需要同步時鍾，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫
」。
DRAM：（Dynamic Random Access Memory），動態隨機存儲器。
不知道你的模電、數電學得怎樣，以及有沒有實際接觸過電子元器件，你問這些問題好像你對電子一無所知似的，所以我沒法進一步跟你解釋SDRAM和DRAM，以及他們的區別和優缺點，順便問一句，你是做電子元器件銷售的嗎？
Ⅶ 存儲器，什麼叫可光擦除，什麼叫可電擦除
可光擦除存儲器：EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory）是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，斷電後仍能保留數據的計算機儲存晶元。
寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
可電擦除存儲器：EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器，是一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高於普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM晶元，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。
(7)電可擦寫編程只讀存儲器指的是擴展閱讀：
ROM是只讀存儲器（Read-Only Memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。
ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變；其結構較簡單，讀出較方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。
PROM（Programmable read-only memory），又稱FPROM，可編程只讀存儲器，是一種計算機存儲記憶晶元，每個比特都由熔絲或反熔絲的狀態決定數據內容。
這種存儲器用作永久存放程序之用。常用於電子游戲機、電子詞典等預存固定數據或程序的各式電子產品之上。PROM與狹義的ROM（Mask ROM）的差別在於前者可在IC製造完成後才依需要寫入數據，後者的數據需在製造IC時一並製作在裡面。
Ⅷ eeprom什麼意思
eeprom是帶電可擦可編程只讀存儲器。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
(8)電可擦寫編程只讀存儲器指的是擴展閱讀：
EEPROM的寫入過程，是利用了隧道效應，即能量小於能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。量子力學認為物理尺寸與電子自由程相當時，電子將呈現波動性,這里就是表明物體要足夠的小。
就pn結來看，當p和n的雜質濃度達到一定水平時，並且空間電荷極少時，電子就會因隧道效應向導帶遷移。電子的能量處於某個級別允許級別的范圍稱為「帶」，較低的能帶稱為價帶，較高的能帶稱為導帶。電子到達較高的導帶時就可以在原子間自由的運動，這種運動就是電流。
參考資料來源：網路——EEPROM
Ⅸ EPROM和EEPROM有什麼區別
EPROM和EEPROM有3點不同：
一、兩者的含義不同：
1、EPROM的含義：EPROM是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。
通過封裝頂部能看見矽片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對准陽光直射一段時間就可以擦除。
2、EEPROM的含義：EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
二、兩者的特點不同：
1、EPROM的特點：EPROM的編程需要使用編程器完成。編程器是用於產生EPROM編程所需要的高壓脈沖信號的裝置。編程時將EPROM的數據送到隨機存儲器中，然後啟動編程程序，編程器便將數據逐行地寫入EPROM中。
一片編程後的EPROM，可以保持其數據大約10～20年，並能無限次讀取。擦除窗口必須保持覆蓋，以防偶然被陽光擦除。老式電腦的BIOS晶元，一般都是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS發行商名稱、版本和版權聲明的標簽所覆蓋。EPROM已經被EEPROM取代（電擦除只讀寄存器）。
2、EEPROM的特點：EEPROM一般用於即插即用（Plug & Play）；常用在介面卡中，用來存放硬體設置數據；也常用在防止軟體非法拷貝的「硬體鎖」上面。
三、兩者的基本原理不同：
1、EPROM的基本原理：EEPROM的寫入過程，是利用了隧道效應，即能量小於能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。量子力學認為物理尺寸與電子自由程相當時，電子將呈現波動性，這里就是表明物體要足夠的小。
EEPROM寫入過程，如圖3所示，根據隧道效應，包圍浮柵的SiO2，必須極薄以降低勢壘。源漏極接地，處於導通狀態。在控制柵上施加高於閾值電壓的高壓，以減少電場作用，吸引電子穿越。
2、EEPROM的基本原理：由於EPROM操作的不便，後來出的主板上BIOS ROM晶元大部分都採用EEPROM。EEPROM的擦除不需要藉助於其它設備，它是以電子信號來修改其內容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。
藉助於EEPROM晶元的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級時，把跳線開關打至「on」的位置，即給晶元加上相應的編程電壓，就可以方便地升級。
Ⅹ 存儲系統中的EPROM是指什麼
本教程操作環境：windows10系統、Dell G3電腦。
內存按存儲信息的功能可分為只讀存儲器ROM、可改寫的只讀存儲器EPROM和隨機存儲器RAM。EPROM即為可擦寫可編程的只讀存儲器。
EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電後仍能保留數據的計算機儲存晶元——即非易失性的（非揮發性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見矽片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對准陽光直射一段時間就可以擦除。
EPROM是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
特點：
EPROM的編程需要使用編程器完成。編程器是用於產生EPROM編程所需要的高壓脈沖信號的裝置。編程時將EPROM的數據送到隨機存儲器中，然後啟動編程程序，編程器便將數據逐行地寫入EPROM中。
一片編程後的EPROM，可以保持其數據大約10～20年，並能無限次讀取。擦除窗口必須保持覆蓋，以防偶然被陽光擦除。老式電腦的BIOS晶元，一般都是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS發行商名稱、版本和版權聲明的標簽所覆蓋。EPROM已經被EEPROM取代（電擦除只讀寄存器）。
一些在快閃記憶體出現前生產的微控制器，使用EPROM來儲存程序的版本，以利於程式開發；如使用一次性可編程器件，在調試時將造成嚴重浪費
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