1. U盤是什麼玩意爾
U盤是用來暫時存儲電子信息的移動存儲介質，個體小巧，方便攜帶！通常內存較小，不超過16G。
2. u盤是信息載體嗎
U盤是一種移動存儲設備，就是一種存儲介質
3. U盤的存儲介質是什麼意思哪種比較好啊
優盤由控電路和快閃記憶體記憶體組成
要講解快閃記憶體的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞）如下圖所示，常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。
快閃記憶體的基本單元電路如下圖所示，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。
寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。
4. 如何區分u盤的存儲介質（是磁碟還是晶元）有沒有什麼區分的軟體
存儲介質一般分為光存儲（CD，DVD等）、磁存儲（硬碟，磁帶等）和電存儲（內存條、U盤等）。
快閃記憶體（Flash
ROM），是一種採用集成電路的可多次擦寫的存儲器。廣泛用於U盤、
數碼設備的存儲卡等領域。有體積小便於攜帶，不怕震動，不磨損，保存時間長等優點。和其他存儲設備相比主要缺點是速度慢，容量小。隨著科技的進步，這些缺點也在逐漸被克服，高端的快閃記憶體容量已經達到4GB以上，擦些速度也達到每秒鍾幾十兆。
5. 優盤的存儲原理是什麼是怎麼存儲信息的存儲介質是什麼材料
應該是U盤存儲器。U盤是採用Flash晶元存儲的，Flash晶元屬於電擦寫電門。在通電以後改變狀態，不通電就固定狀態。所以斷電以後資料能夠保存.Flash晶元的擦寫次數在10萬次以上，而且你要是沒有用到後面的空間，後面的就不會通電，所以U盤總是頭上的存儲空間容易壞。但只要重新格式化，後面的就可以再使用下去。所以U盤的壽命是很長的。一般都比它的外殼壽命長。
6. U盤屬於什麼媒體
咨詢記錄 · 回答於2021-11-05
7. U盤是如何存儲數據的
快閃記憶體(Flash Memory)是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲）。是SCM（半導體存儲器）的一種。
早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。
RAM（隨機存取存儲），是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM（動態）和SRAM（靜態）兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM（同步動態RAM），它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電（刷新）以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存（cache）上。
PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。
EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。
EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。
快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的完整性。
Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。
MSM（磁表面存儲）是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息"0"和"1"。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。
ODM（光碟存儲）和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。
8. u盤是靠什麼存儲信息的原理是什麼
u盤的存儲原理是:計算機把二進制數字信號轉為復合二進制數字信號（加入分配、核對、堆棧等指令）讀寫到usb晶元適配介面，通過晶元處理信號分配給eprom2存儲晶元的相應地址存儲二進制數據，實現數據的存儲。
eprom2數據存儲器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值（高低電位），柵晶體管的結電容可長時間保存電壓值，也就是為什麼usb斷電後能保存數據的原因。只能這么通俗簡單的解釋了。
9. U盤是如何存儲信息的
u盤是靠快閃記憶體晶元存儲信息的.快閃記憶體晶元類似內存晶元,但掉電後仍可保存數據(內存晶元掉電後數據自動消失),快閃記憶體晶元通後控制晶元進行地址定址,一個完整的u盤包括存儲晶元和控制晶元