Ⅰ 存儲器晶元為什麼要設置片選信號，它與系統匯流排有那些連接方式這些連接方式各有什麼優缺點
1:
a: 因為一個1G晶元，比用8個128M晶元昂貴的多；
b: 假設總定址空間為1G， 8個128M定址可以靈活使用sram，sdram，flash等晶元(類似於給你8個插槽讓你擴展外設)以滿足不同的存儲需求，而你做成一個1G的內存插槽。。。其他東西插在那裡呢？難道你只需要1G的內存而不需要硬碟嗎？
2：
分為並行跟串列，比如接個SDRAM那就是行+列定址，就是並行接入匯流排，但也不是完全32位並行，NANDFLASH則是類似於串列接入匯流排，這跟存儲器設計有關～有興趣可以去查查相關資料，我也只是了解。
3：
優缺點，並行訪問速度要快，接入簡單（32位直接扔過去，一次性收發），但成本高，而且不適合遠距離傳輸。串列的話，就是要順序寫入當然慢，而且需要傳輸規則才能通信（你得告訴人家你的數據怎麼排列的吧），但是成本低
我就知道這么多～歡迎補充！
Ⅱ 存儲器晶元為什麼要設置片選信號，它與系統匯流排有那些連接方式這些連接方式各有什麼優缺點
1 TMS320F2812外部介面的特點
TMS320F2812外部介面(XINTF)採用非同步非復用模式匯流排，與C240x外部介面類似，但也作了改進：
① TMS320LF240x系列，程序空間、數據空間和I／O空間都映射在相同的地址(0000～FFFF)，最大可定址192 KB，對它們的訪問是通過不同的指令來區分的，例如可用IN或OUT指令訪問外部I／O空間；而在TMS320F2812中，外部介面被映射到5個獨立的存儲空間XZCS0、XZCS1、XZCS2、XZCS6、XZCS7，每個存儲空間具有獨立的地址，最多可定址4 MB。
② TMS320F2812中，有的存儲空間共用1個片選信號，如Zone0和Zone1共用XZCS0AND1，Zone6和Zone7共用XZCS6AND7。各空間均可獨立設置讀、寫信號的建立時間、激活時間及保持時間。
對任何外部空間讀／寫操作的時序都可以分成3部分：建立、激活和保持，時序如圖1和圖2所示。在建立(lead)階段，訪問存儲空間的片選信號變為低電平並且地址被送到地址匯流排(XA)上。默認情況下該階段的時間設置為最大，為6個XTIMCLK周期。在激活(active)階段，對外部設備進行讀寫，相應的讀寫信號(XRD和XWD)變為低電平，同時數據被送到數據匯流排(XD)上。默認情況下讀寫該階段的時間均設置為14個XTIMCLK周期。跟蹤(trail)階段是指讀寫信號變為高電平，但片選信號仍保持低電平的一段時間周期，默認情況下該階段時間設置為6個XTIMCLK周期。因此，在編程時要根據外部設備的介面時序來設置XINTF的時序，從而正確地對外設讀寫。
Ⅲ 存儲器存儲的對象並不全是數據,而是包含了必要的檢驗碼,請問為什麼要存這些
存儲器要存校驗碼的原因：
1、存儲系統的校驗機制是將用戶產生的數據進行固化或者網路傳輸時，對原數據計算校驗碼並一同傳輸或固化，在再次使用這部分數據的時候，重新計算校驗碼並與之前的進行對比以驗證數據一致性。
2、一個存儲集群中，硬碟往往以很高的密度堆疊在一起，彼此的磁場干擾更是大大增加了異常出現的可能性。為了避免這種情況的發生，硬碟本身都配有自己的校驗系統。
3、存儲系統有大量的硬碟組成，硬碟由於有了本身的校驗機制，出錯的概率變得很低，但是當基數大大增加後，這個概率也隨之大大增加。
Ⅳ 微機原理 存儲器擴展&解碼器，有一些疑惑！
1:低位址也有進入6264中，那個A0～A12就是
2:memr跟memw是8086系統對外的讀取信號
3:圓圈代表低電平輸出，6264有兩個片選，一個高電平，一個低電平，兩個搭配可以組成很多的組合，在這里高電平就直接接5伏，低電平從A18獲得
Ⅳ 8086CPU訪問存儲器時需利用什麼信道的什麼電平
8086匯流排讀寫時候用到的引腳
包括：要傳送地址信息的地址線A0~A19、要傳送數據信息的數據匯流排D0~D15
還有地址鎖存允許信號ALE 、控制數據傳送方向的讀、寫控制信號 即RD、WR
還有一個決定是訪問I/O介面的 還是訪問存儲器的選擇信號M/IO
2 他們的配合使用
其中要把低16位的地址匯流排和16位的數據匯流排傳送的地址信息和數據信息分開 把低16位的地址信息依靠地址鎖存允許信號ALE 鎖存在地址鎖存器中；
高位地址線作為存儲器和I/O介面晶元的片選信號 可以直接採用線選法或解碼器法
當訪問存儲器時，應使引腳M/IO高電平 選中訪問存儲器
當訪問I/O介面時，應使引腳M/IO低電平 選中訪問I/O介面
RD、WR要分別接到相應的存儲器或I/O介面晶元上的讀寫控制引腳 好依靠指令來控制數據的傳送方向。
可以到教材上 參考存儲器和I/O介面的擴展電路來進行分析！
Ⅵ 8086cpu在最小模式下:當CPU訪問存儲器時要利用哪些信號
M/IO：存儲器，IO選擇信號。
BHE：匯流排高位允許信號
RD：WR：讀寫信號
ALE：地址鎖存信號
DEN：數據允許信號
REDAY：實時准備信號（可用於低速存儲器的速度匹配，一般用於IO口）
DT/R：數據傳送、接收信號
Ⅶ cpu給存儲器靠什麼傳遞讀寫信號
信息傳送是由數據匯流排。信息定址是由地址匯流排，控制是讀還是寫信息是由控制匯流排。
數據匯流排：用於傳送數據信息。數據匯流排是雙向三態形式的匯流排，即它既可以把CPU的數據傳送到存儲器或輸入輸出介面等其它部件，也可以將其它部件的數據傳送到CPU。數據匯流排的位數是微型計算機的一個重要指標，通常與微處理的字長相一致。例如Intel8086微處理器字長16位，其數據匯流排寬度也是16位。
相關如下
地址匯流排 (Address Bus；又稱：位址匯流排) 屬於一種電腦匯流排 （一部份），是由CPU 或有DMA 能力的單元，用來溝通這些單元想要存取（讀取/寫入）電腦內存元件/地方的實體位址。
控制匯流排，簡稱：CB。控制匯流排主要用來傳送控制信號和時序信號。控制信號中，有的是微處理器送往存儲器和輸入輸出設備介面電路的，如讀/寫信號，片選信號、中斷響應信號等；也有是其它部件反饋給CPU的。
比如：中斷申請信號、復位信號、匯流排請求信號、設備就緒信號等。因此，控制匯流排的傳送方向由具體控制信號而定，一般是雙向的，控制匯流排的位數要根據系統的實際控制需要而定。實際上控制匯流排的具體情況主要取決於CPU。
Ⅷ 存儲器的初始值為什麼都是ff
看來你是一個初學者。建議你閱讀一下單片機關於選通地址、傳遞數據方面的敘述。 下面我簡略的說一下大概過程，希望對你有所幫助。 第一，單片機採用三匯流排結構傳遞數據。地址匯流排、數據匯流排、控制匯流排。傳遞數據的過程是先定址，再傳遞數據。即先送一個地址信息(由微處理器向匯流排寫一個地址信息)，由寄存器（也可能是程序存儲器，也可能是數據存儲器）根據這個地址，把微處理器要讀取的數據寫到匯流排上，微處理器再讀取這個數據。整個過程由控制匯流排控制。所以每次讀的數據是針對那個地址對應的寄存器操作的，不會發生混亂。寫數據時一樣，先定址，再寫數據，數據就寫入剛才定址時的地址對應的那個寄存器里去了。 第二、程序存儲器、數據存儲器有不同的選通信號，在一個指令周期里，是不同的時間選通的，所以不會混亂。 第三。選通的引腳不同。拿片外數據存儲器來說，是P3的第6和第7引腳做選通信號，程序存儲器是PSEN做選通信號，他們接在各自器件的選通引腳上，所以不會混亂。 第四，指令不同。拿匯編指令來說。MOV是程序存儲器傳遞數據用，MOVX是數據存儲器傳遞數據用（對片外而言）。 總之，記住三匯流排傳遞的方式，先定址，再傳數，由控制匯流排控制，這個模式，你就容易理解這個了。 單片機的p2和p0分別傳遞地址的高八位和低八位。同時p0還傳遞數據。在時序信號的ALE高電平期間，鎖定地址信息。/PSEN是選通程序存儲器的。在/PSEN低電平期間是向程序存儲器傳遞程序代碼，/WR和/RD是選通數據存儲器的，即在/WR和/RD（p3的六腳和七腳）低電平期間把數據傳遞給數據寄存器。而/PSEN和/WR及/RD是在不同時間變為低電平的，沒有重疊的部分。也就是說，當/WR及/RD變成低電平時，/PSEN已經恢復高電平了，由P0口傳出的數據信息當然只會傳到數據存儲器里，因為程序存儲器已經不再處於選通狀態了！！從表面看，都是從p0口傳出的，但因為選通器件的時間不同而不會發生混亂。當然我說的是片外程序存儲器和數據存儲器的的情況，其實對片內也一樣，還是三匯流排的這種控制方式，使它們在不同的時間被選通，而不至於發生沖突。 看看單片機的一個電路圖。你會發現p0既跟74LS373連，又跟8155或8255或鍵盤或數模轉換器等等連。而8155或8255或鍵盤或數模轉換器等等對單片機而言是當做數據存儲器處理的。74LS373連的多半是程序存儲器。那麼p0送出的信號不是兩者都接受了嗎？注意看ALE接74LS373的G介面，鎖存地址用，PSEN有時用有時不用。WR和RD接數據存儲器的選通介面。因為WR和RD跟ALE的信號在時間上沒有重疊部分，所以p0的信號不會被程序存儲器和數據存儲器同時收到。這是一個舉例說明，具體情況要具體分析。我認為你應該下載一個網路Hi，通過它接受信息。或者建一個博客。