A. python程序中用來標識內存單元的符號稱為
變數
標識符命名的存儲單元的地址稱為變數，變數是用來存儲數據的，通過標識符可以獲取變數的值，也可以對變數進行賦值。. 對變數賦值的意思是將值賦給變數，賦值完成後，變數所指向的存儲單元存儲了被賦的值，在Pyhton語言中賦值操作符為「=、+=、-=、*=、/=、%=、**=、//=」。
當程序使用變數存儲數據時，必須要先聲明變數，然後才能使用。. 聲明變數的語法如下：. 其中identifier是標識符，也是變數名稱。. value為變數的值，該項為可選項，可以在變數聲明時給變數賦值，也可以不賦值。. 聲明變數時，不需要聲明數據類型，Python會自動選擇數據類型進行匹配。
B. 內存卡的基本構造原理
存也叫主存，是PC系統存放數據與指令的半導體存儲器單元，也叫主存儲器（Main Memory），通常分為只讀存儲器（ROM-Read Only Memory）、隨機存儲器（RAM-Red Access Memory）和高速緩存存儲器（Cache）。我們平常所指的內存條其實就是RAM，其主要的作用是存放各種輸入、輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時做緩沖之用。
下面是結構：
1、PCB板 內存條的PCB板多數都是綠色的。如今的電路板設計都很精密，所以都採用了多層設計，例如4層或6層等，所以PCB板實際上是分層的，其內部也有金屬的布線。理論上6層PCB板比4層PCB板的電氣性能要好，性能也較穩定，所以名牌內存多採用6層PCB板製造。因為PCB板製造嚴密，所以從肉眼上較難分辯PCB板是4層或6層，只能藉助一些印在PCB板上的符號或標識來斷定。
2、金手指 黃色的接觸點是內存與主板內存槽接觸的部分，數據就是靠它們來傳輸的，通常稱為金手指。金手指是銅質導線，使用時間長就可能有氧化的現象，會影響內存的正常工作，易發生無法開機的故障，所以可以隔一年左右時間用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。
3、內存晶元 內存的晶元就是內存的靈魂所在，內存的性能、速度、容量都是由內存晶元組成的。
4、內存顆粒空位
5、電容 PCB板上必不可少的電子元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。電容採用貼片式電容，因為內存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點不差，它為提高內存條的穩定性起了很大作用。
6、電阻 電阻也是採用貼片式設計，一般好的內存條電阻的分布規劃也很整齊合理。
7、內存固定卡缺口：內存插到主板上後，主板上的內存插槽會有兩個夾子牢固的扣住內存，這個缺口便是用於固定內存用的。
8、內存腳缺口 內存的腳上的缺口一是用來防止內存插反的（只有一側有），二是用來區分不同的內存，以前的SDRAM內存條是有兩個缺口的，而DDR則只有一個缺口，不能混插。
9、SPD SPD是一個八腳的小晶元，它實際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256位元組，可以寫入一點信息，這信息中就可以包括內存的標准工作狀態、速度、響應時間等，以協調計算機系統更好的工作。從PC100時代開始，PC100規准中就規定符合PC100標準的內存條必須安裝SPD，而且主板也可以從SPD中讀取到內存的信息，並按SPD的規定來使內存獲得最佳的工作環境。
內存工作原理
1.內存定址 首先，內存從CPU獲得查找某個數據的指令，然後再找出存取資料的位置時（這個動作稱為「定址」），它先定出橫坐標（也就是「列地址」）再定出縱坐標（也就是「行地址」），這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常准確地定出這個地方。對於電腦系統而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的信號，橫坐標有橫坐標的信號（也就是RAS信號，Row Address Strobe）縱坐標有縱坐標的信號（也就是CAS信號，Column Address Strobe），最後再進行讀或寫的動作。
2.內存傳輸 為了儲存資料，或者是從內存內部讀取資料，CPU都會為這些讀取或寫入的資料編上地址（也就是我們所說的十字定址方式），這個時候，CPU會通過地址匯流排（Address Bus）將地址送到內存，然後數據匯流排（Data Bus）就會把對應的正確數據送往微處理器，傳回去給CPU使用。
3.存取時間 存取時間，指的是CPU讀或寫內存內資料的過程時間，也稱為匯流排循環（bus cycle）。以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的特定資料，內存響應CPU後便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，內存回復指令，並丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數來表示速度，比如6ns的內存實際頻率為1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2 667）。
C. 電腦內存條分幾種 如何分辨
根據存儲單元的工作原理不同，電腦內存條RAM分為靜態RAM和動態RAM。
1、靜態隨機存儲器（SRAM）
靜態存儲單元為在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。SRAM存放的信息在不停電的情況下能長時間保留，狀態穩定，不需外加刷新電路，從而簡化了外部電路設計。但由於SRAM的基本存儲電路中所含晶體管較多，故集成度較低，且功耗較大。
2、動態隨機存儲器（DRAM）
DRAM利用電容存儲電荷的原理保存信息，電路簡單，集成度高。由於任何電容都存在漏電，因此，當電容存儲有電荷時，過一段時間由於電容放電會導致電荷流失，使保存信息丟失。
解決的辦法是每隔一定時間（為2ms）須對DRAM進行讀出和再寫入，使原處於邏輯電平「l」的電容上所泄放的電荷又得到補充，原處於電平「0」的電容仍保持「0」，這個過程叫DRAM的刷新。
分辨方法：SRAM存儲原理：由觸發器存儲數據。單元結構：六管NMOS或OS構成。優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache。缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大。
DRAM存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之後：單管基本單元）。刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作。
(3)內存晶元存儲單元靠什麼標識擴展閱讀
內存採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。
（synchronous）SDRAM同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。
SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。
DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
D. 內存標簽怎麼看，分別代表什麼
左上角 Kingston 是廠商（金士頓的產品）
99P5474-013-AD0LF
0000006167203
是出廠編號和生產編號。
KVR是金士頓的標識
KVR16N11S8/4-SP
kvr表示是金士頓經濟型內存，16代表頻率1600MHZ，n表示是普通型，11表示CL值為11，S8表示單面8顆粒，4是4G，SP表示窄版節能型
ASSY IN CHINA (2）表明在深圳生產（1是上海，2是深圳，3是中國）
最後一行Warranty void if remove 表示摘掉標簽無法保修
如果滿意請採納
E. 內存條編號和具體意思！
3D RAM(3 DIMESION RAM)： 三維視頻處理器專用存儲器
CDRAM(Cached DRAM)：高速緩存存儲器
CVRAM(Cached VRAM)：高速緩存視頻存儲器
DRAM(Dynamic RAM)：動態存儲器 一種隨機存取記憶體 (RAM)，記憶體不會一直保存記憶內容，會隨著時間而將內容流失，技術上來說就是，記憶體必須不斷的重新的加強 (REFRESHED) 電位差量，否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現每一個記憶單位處於何種狀態。價格較靜態記憶體 (SRAM) 便宜，但存取速度較慢，耗電量較大。
EDRAM (Enhanced DRAM)： 增強型動態存儲器
EDO RAM(Extended Date Out RAM)：擴展數據模式存儲器
EDO SRAM(Extended Date Out SRAM)：擴展數據模式靜態存儲器
EDO VRAM(Extended Date Out VRAM)：擴展數據模式視頻存儲器
FPM RAM(Fast Page Mode)：快速頁模式DRAM，當一個存取與前一次存取為同一記憶體頁 (PAGE) 時，不用傳輸 ROW 地址以加快存取速度。 由於以頁為單位加速，又稱為 PAGE MODE MEMORY，存取速度從 120 NS 到 60 NS。 FPM 技術在 EDO DRAM 技術出現之前是最常見的 DRAM 種類。
FRAM(Ferro electric RAM)： 鐵電體存儲器
MDRAM(Multi Bank DRAM)：多槽動態存儲器由 MOSYS 公司所發展的記憶體 (MEMORY) 架構，與傳統架構不同的是 MDRAM 將 BANK 的容量縮小，並使每一個 BANK 使用獨立的匯流排 (BUS) 輸出入埠 (I/O PORT)，這樣的結果是 MDRAM 能同時存取數個 BANK，使資料的讀寫速度加快，並且能夠用較小的數量增加記憶體。
NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)：中斷電源時仍能保存資料的隨機存取記憶體 (RAM)。
SDRAM(Synchronous DRAM)：同步動態存儲器:一種能夠與處理器 (CPU) 匯流排 (BUS) 同步運作，時脈可達 66,100,133 MHZ 的 DRAM，並能夠同時開啟兩個記憶體頁 (PAGE)。
SGRAM(Signal RAM)：單口存儲器
SRAM(Static RAM)： 靜態存儲器:一種隨機存取記憶體 (RAM)，存取速度比 PB SRRAM(Pipeline Burst SRAM):一種支援 PIPELINED 與沖刺模式 (BURST) 的DRAM 快，不像 DRAM 需要不停的 REFRESH，但製造成本較高，通常用來作為快取 (CACHE) 記憶體使用
SVRAM(Synchronous VRAM)： 同步視頻存儲器
VRAM(Video RAM)：視頻存儲器:專為繪圖影像卡 (VIDEO ADAPTER) 所設計的隨機存取記憶體 (RAM)，與一般 RAM 不同的是，VRAM 能夠使 RAMDAC 能夠與影像處理器 (PROCESSOR) 同時存取資料，加速圖像的顯示。
WRAM(Windows RAM)：視頻存儲器(圖形處理能力優於VRAM)有與 VRAM 類似的特性，但速度表現比 VRAM 更佳。
PC100 PC100內存條
按照Intel的定義
PC100 SDRAM規范包含：內存條上電路的各部分線長最大值與最小值；電路線寬與間距的精確規格；保證6層PCB板製作（分別為：信號層、電源層、信號層、基層、信號層），具備完整的電源層與地線層；具備每層電路板間距離的詳細規格；精確符合發送、載入、終止等請求的時間；詳細的EEPROM編程規格；詳細的SDRAM組成規格；特殊的標記要求；電磁干擾抑制；可選鍍金印刷電路板。
凡是時鍾周期TCK≤10ns,存取時間TAC≤6ns，主板時鍾頻率設置在100MHz下，並且在BIOS中Chipset Features Setup選項里SDRAM CASLatency Time（CAS延遲時間）中，CAS可設為2或3並帶SPD的SDRAM內存條都是PC100內存條。
從外觀上來看，PC100內存條最典型的特徵是正面右上角的8腳SOIC封裝的小晶元，這就是SPD晶元，如果你沒看到這個SPD晶元，板上只留了8個焊點，那麼這就不是PC100，但並不是說此內存條無法穩定工作在100MHz.
PC100內存條編號
表示為：PCX-ABC-DEF的形式。
1、X代表工作頻率，66MHz或100MHz等
2、A代表最小的CAS Latency數，時鍾數一般為2或3
3、B代表最小的tRCD（RAS相對CAS的延時）時間，時鍾數一般是2
4、C代表最小tRP（RAS預充電時間），時鍾數一般是2
5、D代表最大tAC（Access time from CLK）時間，多為6ns、7ns等數值
6、E代表SPD的版本號V1.2
7、F是一個保留值為0。
PC133 PC133 SDRAM
由台灣VIA威盛公司制定的。133MHz的工作環境下正常工作，在其系統時鍾周期tCK(System clock cycle time)的數值的規格部分必須至少為7.5ns，tAC不超過5.4ns,工作頻率為133MHz。對於PC133 SDRAM來說，在CAS Latency=3，能正常工作，但在CL=2，外頻為133MHz的時並不能保證能正常工作。
PC133 SDRAM 的數據帶寬 1.06 GB/s(64 bit/8 x 133 MHz)，比 Direct RAMBUS DRAM 的 1.6 GB/s 低，但PC133 SDRAM是PC100 SDRAM 的延伸。
SPD（串列存在檢測）
SPD（串列存在檢測）是許多SDRAM DIMM模塊所具有的新功能，它使BIOS能夠更容易地配置系統以適應SDRAM的性能參數。
，通常是1個8針的SOIC封裝（3mm*4mm）型號多為24LC01B，位置一般處在內存條正面的右側，裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址寬等信息。
SPD(Serial Presence Detect串列存在檢測)設備是一個8腳的串列EEPROM晶元（Electrically Erasable Programmable ROM電可擦寫存儲器），其中存儲著DIMM模塊的容量、速度、電壓以及行、列地址帶寬等參數信息。BIOS在上電檢測階段讀取這些參數，然後自動地調整CMOS有關選項，從而獲得最高的性能和可靠性。
沒有SPD，在使用EDO DIMM時不會有問題，由於SDRAM以EDO RAM兩倍的速度工作,使用沒有SPD的SDRAM DIMM時系統無法啟動。
帶有SPD的DIMM的正面靠右邊的地方有一個8腳3mm*4mm的SOIC封裝的256位元組的EEPROM小晶元。型號以24LC01B居多。帶有SPD的DIMM能夠用於所有支持SDRAM的主板，有些主板要求SDRAM必須帶有SPD。
內存晶元的標識
內存晶元的標識中通常包括：廠商代號、單片容量、晶元類型、工作速度、生產日期等，以及電壓、容量系數和特殊標識。
以「??XXX64160AT-10」為例，「??」是廠商的標志代號。
1、廠商代號：
AAA NMB
BM IBM
HM Hitachi日立
HY Hyundai 現代電子
HYB Siemens 西門子
GM LG-Semicon
KM或M Samsung 三星
LH SHARP 夏普
M5M Hitsubishi
MB Fujitsu 富士通
MCM Motorola
MN Matsushita
MSM OKI
MT Micron 美凱龍
NN NPNX
TC或TD Toshiba東芝
TI TMS德州儀器
uPD NEC日電
2、xxx 廠商內部標識
3、64是指64Mbit的容量 注意是bit[位]，而不是Byte[位元組]
4、16表示每塊小晶元的位數是16位，對於現在64位的匯流排系統，需4片這樣的晶元才能構成可用的SIMM內存條:64Mbit/8*(64/16)=32MB，它就是32MB的內存。如果SIMM內存條上有8片這樣的小晶元，當然就是8/4*32=128MB一條的內存。
5、0表示這是一條SDRAM；
6、「-」後的數字表示晶元的系統時鍾周期或存取時間。通常在「-」前的第一個數字標示的是內存的類型標識，單數是EDO RAM，雙數則是SDRAM。
位組(Byte):，一組二進位 (BINARY) 的位 (BIT) 集合。
通常稱 8 個位為一個位組，但是這只是習慣，而大部分的系統也都定義 8 個位為一個位組，其它數目的位組定義也可以使用，只是可能會產生誤解。
位組的計量單位有:
1。 KILOBYTE，KB，2 的 10 次方 : 1024 BYTE。
2。 MEGABYTE，MB，2 的 20 次方 : 1048576 BYTE，或 1024 KBYTE。
3。 GIGABYTE，GB，2 的 30 次方 : 1073741824 BYTE，或 1024 MEGABYTE。
4。 TERABYTE，TB，2 的 40 次方 : 1099511627776 BYTE，或 1024 GIGABYTE。
5。 PETABYTE，2 的 50 次方 : 1125899906842624 BYTE，或 1024 TERABYTE。
6。 EXABYTE，2 的 60 次方 : 1152921504606846976 BYTE，或 1024 PETABYTE。
7。 ZETTABYTE，2 的 70 次方 : 1024 EXABYTE。
8。 YOTTABYTE，2 的 80 次方 : 1024 ZETTABYTE。
內存(Memory):記憶體，儲存資料的裝置，主要分為為 RAM 或 ROM。
SIMM(Single In_Line Memory Mole):一種將記憶體 (MEMORY) 晶元 (CHIP) 焊在表面的電路板模組，使記憶體的安裝與拆除較直接安裝晶元為容易。SIMM 的資料寬度為 32 位 (BIT)，而一種新技術稱為 DIMM 的記憶體模組，資料寬度為 64 位
DIMM (Dual In-Line Memory Mole):將數個記憶體 (MEMORY) 晶元 (CHIP) 裝於一塊電路板上的記憶體模組，DIMM 的資料信道寬度是 SIMM 的兩倍，為 64 位 (BIT)。
ECC (Error-Correcting Code):一種含有特殊電路，能夠自我檢查錯誤及更正的記憶體 (MEMORY)。
時鍾周期：它代表RAM所能運行的最大頻率，這個數字越小說明所能運行的頻率就越高。對於一片普通的PC-100 SDRAM來說，它晶元上的標識-10代表了它的運行時鍾周期為10ns，即可以在100MHZ的外頻下正常工作。
存取時間：代表讀取數據所延遲的時間。目前大多數SDRAM晶元的存取時間為7、8或10ns。
CAS的延遲時間。這是縱向地址脈沖的反應時間,也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。如PC133的SDRAM在外頻為133MHz時，能運行在CAS Latency = 3，也就是說這時它們讀取數據的延遲時間可以是三個時鍾周期。
F. 存儲器通過什麼來標識不同的存儲單元
你說的不就是地址嗎，存儲單元都是由地址（位元組單位）來區分各自存儲的內容的
G. 如何看懂內存條的編碼
例：SAMSUNGK4H280838B－TCB0
數字1－晶元函數K代表內存晶元。
數字2－晶元類型4，代表DRAM。
晶元類型的進一步規范，S為SDRAM，H為DDR，G為SGRAM。
比特4和5——容量和刷新率。相同容量的存儲器使用不同的刷新率和不同的數字，64、62、63、65、66、67、6A表示容量為64Mbit；28、27、2A表示容量為128Mbit；56、55、57、5A為256Mbit容量；51表示512Mbit的容量。
位6和位7——數據線的引腳數；08代表8位數據；16表示16位數據；32表示32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「－」。
位14和15——晶元速度，如60是6ns；70代表7ns；7B是7．5納秒（CL＝3）；7C＝7．5ns（CL＝2）；80代表8ns；10是10ns（66MHz）。
知道了存儲器粒子碼的主位的含義，就很容易計算出存儲器條的容量。例如，三星DDR內存包裝有18顆samsungK4H280838B－TCB0顆粒。
粒子數的第4位和第5位「28」表示128Mbits，第6位和第7位「08」表示8位數據帶寬。這樣，我們可以計算出存儲帶的容量為128Mbits（megabytes）×16pieces／8bits＝256MB（megabytes）。
(7)內存晶元存儲單元靠什麼標識擴展閱讀：
內存條的作用：
1、內存條是計算機最重要的部件之一，是與CPU通信的橋梁。計算機中的所有軟體都運行在內存欄中。內存主要用於臨時存儲數據，如計算機中調用的數據，需要從硬碟中讀出，發送到內存，然後發送到CPU內存工作。
2、 內存有兩部分
隨機存取內存（RAM）是用來臨時存儲數據的，斷電時文件會丟失，所以復制一些東西，但如果重新啟動計算機，不能粘貼復制的文件。
只讀存儲器（ROM）是不可擦除的，不能包括主要用於存儲存儲器製造商／型號等的其他數據。
例如，在玩游戲的時候，感覺電腦的速度在剛玩完游戲後就下降了。這是因為游戲數據佔用了內存。電腦重啟後，速度恢復正常。
3、存儲器是計算機的一個獨特的部分，中央處理器可以通過數據匯流排地址存儲器。舊的機器計算機主板有主存儲器，內存條帶是主存儲器的擴展。在將來，新機器的主板上沒有主存，CPU開始依賴於內存。通常稱計算機內存（RAM）的大小，為存儲器的總容量。
H. 內存晶元上的字母和數字都是什麼意思
一般最上面的英文字母是出廠商，如SAM（三星） HY（現代） INF（英飛凌），再旁邊一般是日期用這個數除以4就可以得出幾月幾日生產的，再下面的一排長的帶英文帶數字的是他的每一顆晶元的容量和組數，比如同樣是128M的內存，有4＊32和6＊16兩種晶元組。