A. FRAM存儲器/MB85RC16PNF-G-JNERE1元器件有什麼用途，在立創商城中的MB85RC16PNF-G-JNERE1好不好
品牌： FUJITSU(富士通）
廠家型號： MB85RC16PNF-G-JNERE1
供應商：拍明芯城
封裝規格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.000314 KG
屬性： 參數值
商品目錄： FRAM存儲器
存儲器構架(格式)： FRAM
存儲器介面類型： I2C
存儲器容量： 16Kb (2K x 8)
工作電壓 ：2.7V ~ 3.6V
存儲器類型： Non-Volatile
B. 在立創商城中的FRAM存儲器有哪些品牌
FUJITSU(富士通)；
RAMTRON；
CYPRESS(賽普拉斯)；
他們的FRAM存儲器就這3個品牌
C. 鐵電存儲器FRAM的鐵電應用
存儲器（FRAM）可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器，而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分，系統所採集的數據（(除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存，這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下，一些歷史記錄是很重要的。
典型應用：儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。 FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變，它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說，數據採集是系統或子系統的功能，不論何種系統類型，設置參數存儲都是一種底層的系統功能。
典型應用： 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備（網路數據機）和大型家用電器。 鐵電存貯器（FRAM）可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下，信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.，在某些情況下，目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。
典型應用：工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機，未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。
D. FRAM和RERAM
FRAM就是鐵電存儲器，一種隨機存取存儲器，關機後數據丟失。ReRAM代表電阻式存儲器，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合於一身，關閉電源後存儲器仍能記住數據。
E. 鐵電存儲器FRAM的SRAM的取代和擴展
鐵電存貯器（FRAM） 快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。
在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗, 成本, 空間，同時增加了整個系統的可靠性。最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。
典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。
F. 鐵電存儲器FRAM的FRAM優勢
FRAM有三種不同的特性使其優於浮柵技術器件：
1. 快速寫入
2. 高耐久性
3. 低功耗
以下列舉了FRAM在一些行業應用領域中與其他存儲器相比較的主要優勢：
頻繁掉電環境
任何非易失性存儲器可以保留配置。可是，配置更改或電源失效情況隨時可能發生，因此，更高寫入耐性的FRAM允許無任何限制的變更記錄。任何時間系統狀態改變，都將寫入新的狀態。這樣可以在電源關閉可用的時間很短或立即失效時狀態被寫入存儲器。
高雜訊環境
在嘈雜的環境下向EEPROM寫數據是很困難的。在劇烈的噪音或功率波動情況下，EEPROM的寫入時間過長會出現漏洞（以毫秒衡量），在此期間寫入可能被中斷。錯誤的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的寫入執行窗口少於200ns。
RFID系統
在非接觸式存儲器領域里，FRAM提供一個理想的解決方案。低功耗訪問在RFID系統中至關重要，因為，能源消耗是以距離成指數下降的。想要以最小的能耗讀寫標簽數據就必須保持標簽有足夠近的距離。通過對射頻發射機和接收機改進寫入距離，降低運動的靈敏性（區域內的時間）以及降低射頻（RF）功率需求，使需要寫入的應用（i.e.借記卡，在生產工序中使用的標簽）獲得優勢。
診斷和維護系統
在一個復雜的系統里，記錄系統失效時的操作歷史和系統狀態是非常寶貴的。如果沒有這些數據，能夠准確的解決或執行需求指令是很困難的。由於FRAM具備高耐久性的特點，可以生成一個理想的系統日誌。從計算機工作站到工業過程式控制制不同的系統，都能從FRAM中獲益。
G. 誰能給我講講FRAM產品是容量越大越好嗎最好能舉個例子對照著給我講！
FRAM就是鐵電存儲器，運用了鐵電效應，是一種高性能的非易失性存儲器，結合了傳統非易失性存儲器（快閃記憶體和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的優點, 在高速寫入、高耐受力、低功耗和防竄改方面具有優勢。
以富士通的V系列的FRAM產品MB85RC256V為例:
256Kb存儲容量基本能滿足很多領域的要求,不過具體選用多大容量的FRAM要看每種領域的具體要求；1012次的讀寫次數，這個是凸顯它的卓越的讀寫能力的，比較適合需要頻繁更新數據的領域, 1012 次讀寫次數基本上已經能滿足當今所有領域的要求；+85度數據能保存10年，這個應該說是FRAM的一個亮點，比較適合需要長期存儲數據的領域；每一個FRAM都會有電壓范圍，不同電壓范圍適合不同領域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作電壓范圍就比較適合工業控制領域。
當然在這里不能給你一一舉例子，相信隨著你的學習，你會發現FRAM其實是個很簡單的東西，知道原理後，做應用就會變得很容易。
H. FRAM鐵電存儲器較EEPROM有什麼優勢
FRAM與工業標准EEPROM完全兼容；性能比EEPROM更加突出；讀寫次數超過1萬億次（5V）、無限次（3.3V），寫速度快，沒有寫等待，按位元組操作；操作更省電，寫入功耗僅為EEPROM的1/20