㈠ 計算機的常用外存有哪些
PC機常見的外存儲器有軟盤存儲器、硬碟存儲器、光碟存儲器等。磁碟有軟磁碟和硬磁碟兩種。光碟有隻讀型光碟CD-ROM、一次寫入型光碟WORM和可重寫型光碟MO三種。
1、軟盤：軟磁碟使用柔軟的聚酯材料製成原型底片，在兩個表面塗有磁性材料。常用軟盤直徑為3.5英寸，存儲容量為1.44MB.軟盤通過軟盤驅動器來讀取數據。
2、U盤：U盤也被稱為「閃盤」，可以通過計算機的USB口存儲數據。與軟盤相比，由於U盤的體積小、存儲量大及攜帶方便等諸多優點，U盤已經取代軟盤的地位。
3、硬碟：硬磁碟是由塗有磁性材料額鋁合金原盤組成的，每個硬碟都由若干個磁性圓盤組成。
4、磁帶存儲器：磁帶也被稱為順序存取存儲器SAM。它存儲容量很大，但查找速度很慢，一般僅用作數據後備存儲。計算機系統使用的磁帶機有3中類型：盤式磁帶機、數據流磁帶機及螺旋掃描磁帶機。
5、光碟存儲器：光碟指的是利用光學方式進行信息存儲的圓盤。它應用了光存儲技術，即使用激光在某種介質上寫入信息，然後再利用激光讀出信息。光碟存儲器可分為:CD-ROM、CD-R、CD-RW、和DVD-ROM等。
(1)外存儲器類型及指標擴展閱讀：
存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。內存儲器最突出的特點是存取速度快，但是容量小、價格貴；外存儲器的特點是容量大、價格低，但是存取速度慢。
內存儲器用於存放那些立即要用的程序和數據；外存儲器用於存放暫時不用的程序和數據。內存儲器和外存儲器之間常常頻繁地交換信息。
㈡ 外存儲器包括什麼
外存儲器包括：
軟磁碟存儲器
硬磁碟存儲器
只讀光碟(CD-ROM)存儲器
大白話說就是硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
㈢ 外存儲器的性能指標
●容量——通常所說的容量是指硬碟的總容量，一般硬碟廠商定義的單位1GB=1000MB,而系統定義的1GB=1024MB,所以會出現硬碟上的標稱值大於格式化容量的情況,這算業界慣例,屬於正常情況.
●單碟容量就是指一張碟片所能存儲的位元組數,硬碟的單碟容量一般都在20GB以上.而隨著硬碟單碟容量的增大,硬碟的總容量已經可以實現上百G甚至幾TB了(商業購買的硬碟容量為1TB的，可能實際只有1000GB，而不是1024GB，真正意義上的1TB=1024GB。)。
●轉速——轉速是指硬碟內電機主軸的轉動速度,單位是RPM(每分鍾旋轉次數).轉速是決定硬碟內部傳輸率的決定因素之一,它的快慢在很大程度上決定了硬碟的速度,同時也是區別硬碟檔次的重要標目前一般的硬碟轉速為5400 轉和7200轉 最高的轉速則可達到10000轉每分以上.
●最高內部傳輸速率——這是硬碟的外圈的傳輸速率,它是指磁頭和高速數據緩存之間的最高數據傳輸速率,單位為MB/s.最高內部傳輸速率的性能與硬碟轉速以及碟片存儲密度(單碟容量)有直接的關系.
●平均尋道時間平均尋道時間是指硬碟磁頭移動到數據所在磁軌時所用的時間,單位為毫秒(ms),硬碟的平均尋道時間一般低於9毫秒.平均尋道時間越短,硬碟的讀取數據能力就越高. ● 理論數據讀取速度：18MB/s
● 理論數據寫入速度： 17MB/s
● 無需安裝驅動程序(windows 98除外)
● 無需額外電源，只從usb匯流排取電
●容量大、品種多
● 帶防寫開關，防止文件被抹掉，防病毒
● led指示燈指示工作狀態
● 體積小， 重量輕：大約20g
㈣ 存儲器有哪些主要技術指標
主存儲器的主要有以下技術指標：
1、存儲容量：在一個存儲器中可以容納的存儲單元總數、存儲空間的大小、字數、位元組數。
2、存取時間：啟動到完成一次存儲器操作所經歷的時間、主存的速度。
3、存儲周期：連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間、主存的速度。
4、存儲器帶寬：單位時間里存儲器所存取的信息量，、數據傳輸速率技術指標。
主存儲器的性能指標主要是存儲容量、存取時間、存儲周期和存儲器帶寬。
字存儲單元即存放一個機器字的存儲單元，相應的地址稱為字地址。一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可包含數個能夠單獨編址的位元組地址。
下面列出主存儲器的主要幾項技術指標：
主存儲器的主要幾項技術指標指標 含義 表現 單位 存儲容量 在一個存儲器中可以容納的存儲單元總數 存儲空間的大小 字數，位元組數 存取時間 啟動到完成一次存儲器操作所經歷的時間 主存的速度 ns 存儲周期 連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間 主存的速度 ns 存儲器帶寬 單位時間里存儲器所存取的信息量， 數據傳輸速率技術指標 位/秒，位元組/秒 主存儲器的性能指標主要是存儲容量、存取時間和存儲周期。
存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應的單元地址叫字地址。而存放一個位元組的單元，稱為位元組存儲單元，相應的地址稱為位元組地址。如果計算機中可編址的最小單位是字存儲單元，則該計算機稱為按字編址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是位元組，則該計算機稱為按位元組編址的計算機。一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的位元組地址。例如，PDP-11系列計算機，一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個位元組，可以按字地址定址，也可以按位元組地址定址。當用位元組地址定址時，16位的存儲單元占兩個位元組地址。
在一個存儲器中容納的存儲單元總數通常稱為該存儲器的存儲容量。存儲容量用字數或位元組數(B)來表示，如64K字，512KB，10MB。外存中為了表示更大的存儲容量，採用MB，GB，TB等單位。其中1KB=2B，1MB=2B，1GB=2B，1TB=2B。B表示位元組，一個位元組定義為8個二進制位，所以計算機中一個字的字長通常為8的倍數。存儲容量這一概念反映了存儲空間的大小。
存儲時間有稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。具體講，從一次讀操作命令發出到該操作完成，將數據讀入數據緩沖寄存器為止所經歷的時間，即為存儲器存取時間。
存儲周期是指連續啟動兩次獨立的存儲器操作(如連續兩次讀操作)所需間隔的最小時間。通常，存儲周期略大於存儲時間，其時間單位為ns
㈤ 常見的外存儲器有哪些各有什麼特點
磁碟，已淘汰。
光碟，容易存放，價格低，易刮花，容量一般，CD碟600M左右，DVD碟單層4.7G，雙層8.5，BRD是新產品，容量更大，價格不菲。光碟有可刻錄和只讀之分，有一次性刻錄和反復刻錄之別。必需配置光碟機、碟機、刻錄機等其中一樣設備才能使用。
硬碟，存儲、讀寫比較容易，存儲量也較大，價格高，現在市場上幾百元元就能買到1T的產品，但是便攜性比較差，再就是由於硬碟內部是物理結構器件，有磁碟，磁頭，集成電路，電機等器件，也就決定了它的防震性能較差，受到摔打或撞擊後容易形成硬傷。
U盤，又稱快閃記憶體檔，擁有讀寫速度較快，攜帶方便，體積小等優點，容量一般，價格一般，現在普遍使用的是2G，4G，8G等產品，當然還有容量更高的16G，32G，64G等產品，但是價格也就不菲了。
快閃記憶體卡，又稱內存卡，體積小巧，攜帶方便，存儲快，與U盤相似，擔體積更小，容量一般，目前常見的1G，2G，4G，價格一般。按材質分為TF卡、MMS卡（又稱記憶棒）、SD卡、XD卡、MMC卡等。必須配置讀卡器才能使用，現在手機、數碼相機等電子設備都內置有讀卡器。
㈥ 存儲器技術指標有哪四種
存儲器是具有「記憶」功能的設備，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進制數碼 「0」和「1」，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、 MOS電路或電容器等。 位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一 個位元組(Byte)，可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體(MemoryBank)。為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩 回事。 根據存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數據掉電後就會丟失，而掉電後ROM中 的數據可保持不變。因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等.存儲器的特性由它的技術參數來描述。 存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾十M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。 存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。 存儲器的可*性：存儲器的可*性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可*性越高，即保持正確工作能力越強。 性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可*性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的 指標。
㈦ 外存儲器包括什麼
外存儲器包括：
軟磁碟存儲器
硬磁碟存儲器
只讀光碟(CD-ROM)存儲器
大白話說就是硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
㈧ 磁碟存儲器的技術指標有哪些
存儲器的主要技術指標有：
1、存儲器容量：存儲器容量是指存儲器存放信息的總量。以Byte為單位，讀作「位元組」。習慣上使用KB(1KB=1024B)、MB(1MB=1024KB)和GB(1GB=1024MB)。
2、存儲密度：外存儲器軟磁碟按存儲密度不同分為低密度盤(48TPI)和高密度盤(96TPI)。尺寸為5.25英寸的軟盤：低密度盤容量為360KB，高密度盤容量為1.2MB；尺寸為3.5英寸的軟盤：低密度盤容量為720KB，高密度盤容量為1.44MB。
3、存取周期：存取周期是指從存儲器中取出(或存入)一個字到再能取出(或存入)下一個字所需要的時間。以毫微秒(ns)為單位。
㈨ 微機系統的主要性能指標是什麼
微機系統的主要性能指標是：
1、運算速度：
運算速度是衡量計算機性能的一項重要指標；
2、字長：
計算機在同一時間內處理的二進制位數；
3、內存儲器的容量：
內存儲器，也簡稱主存，是CPU可以直接訪問的存儲器，內存儲器容量的大小反映了計算機即時存儲信息的能力；
4、外存儲器的容量：
外存儲器容量通常是指硬碟容量（包括內置硬碟和移動硬碟）。外存儲器容量越大，可存儲的信息就越多；
5、外部設備的配置及擴展能力：
主要指計算機系統配接各種外部設備的可能性、靈活性和適應性。
(9)外存儲器類型及指標擴展閱讀：
微機保護裝置：
微機保護裝置採用了國際先進的DSP和表面貼裝技術及靈活的現場匯流排（CAN）技術，滿足變電站不同電壓等級的要求，實現了變電站的協調化、數字式及智能化。
此系列產品可完成變電站的保護、測量、控制、調節、信號、故障錄波、電度採集、小電流接地選線、低周減載等功能，使產品的技術要求、功能、內部接線更加規范化。
產品採用分布式保護測控裝置，可集中組屏或分散安裝，也可根據用戶需要任意改變配置，以滿足不同方案要求。
微機保護裝置適用於110KV及以下電壓等級的保護、監控及測量，可用於線路、變壓器、電容器、電動機、母線PT檢測、備用電源自投迴路及主設備的保護、控制與監視。
單元化的設計使其不但能方便地配備於一次設備，也可以集中組屏、集中控制。規范的現場匯流排介面支持多個節點協調工作，實現系統級管理和綜合信息共適用范圍。
網路-微機系統
㈩ 存儲器的類型
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。
1 RAM
易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。
DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。
FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。
目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。