1. 存儲的高密度性是什麼意思
一動態隨機存取存儲器（DRAM）集成電路，包含一確定在一半導體基板內的凹陷區域。此凹陷區域具有自一底面延伸的基本上垂直的邊側。一場效三極體經確定以鄰接於該凹陷區域。一包含有下電容器板、電容介電體及上電容器板的電容器結構，確定在該凹陷區域中、該場效三極體上方，藉此提供較大的電容器表面。
2. 快閃記憶體卡的存儲原理是什麼
快閃記憶體卡存儲原理是什麼？快閃記憶體(Flash Memory)是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲）。是SCM（半導體存儲器）的一種。早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。RAM（隨機存取存儲），是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM（動態）和SRAM（靜態）兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM（同步動態RAM），它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電（刷新）以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存（cache）上。PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的完整性。 Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。 MSM（磁表面存儲）是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息"0"和"1"。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。ODM（光碟存儲）和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。
3. ROM和RAM有啥區別
ROM和RAM指的都是半導體存儲器。本來的含義是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是說這種存儲器只能讀，不能寫。而RAM是Random Access Memory的縮寫。這個詞的由來是因為早期的計算機曾經使用磁鼓作為內存，而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫設備。RAM則可以隨機讀寫，因此得名。
不過這是30年前的概念了。在半導體和計算技術突飛猛進的30年中，它們的含義都發生了一些變化。
現在ROM通常指非揮發的存儲器，或者說，不掉電。系統停止供電的時候它們仍然可以保持數據。所以光碟也有CD-ROM或者DVD-ROM的說法。而RAM通常都是沒電之後就沒有數據的，典型的就象計算機的內存，需要系統重新啟動的時候從硬碟重新載入數據。有的時候，如果數據可以擦寫，也會借用RAM這個概念，譬如DVD-RAM，其實只是可以擦寫的DVD光碟而已，並非真正的半導體存儲器。
4. 存儲器分類及各自特點有哪些
存儲器分類依據不同的特性有多種分類方法。
（1）按工作性質/存取方式分類
•隨機存取存儲器 (RAM) -每個單元讀寫時間一樣，且與各單元所在位置無關。如：內存。
•順序存取存儲器 (SAM) -數據按順序從存儲載體的始端讀出或寫入，因而存取時間的長短與信息所在位置有關。例如：磁帶。
•直接存取存儲器 (DAM) -直接定位到讀寫數據塊，在讀寫數據塊時按順序進行。如磁碟。
•相聯存儲器 -按內容檢索到存儲位置進行讀寫。例如：快表。
（2）按存儲介質分類
半導體存儲器：雙極型，靜態MOS型，動態MOS型
磁表面存儲器：磁碟、磁帶
光存儲器：CD，CD-ROM，DVD
（3）按信息的可更改性分類
讀寫存儲器：可讀可寫
只讀存儲器：只能讀不能寫
（4）按斷電後信息的可保存性分類
非易失（不揮發）性存儲器：信息可一直保留， 不需電源維持。
易失（揮發）性存儲器
（5）按功能/容量/速度/所在位置分類
•寄存器 -封裝在CPU內，用於存放當前正在執行的指令和使用的數據 -用觸發器實現，速度快，容量小（幾~幾十個）
•高速緩存-位於CPU內部或附近，用來存放當前要執行的局部程序段和數據 -用SRAM實現，速度可與CPU匹配，容量小（幾MB）
•內存儲器 -位於CPU之外，用來存放已被啟動的程序及所用的數據 -用DRAM實現，速度較快，容量較大（幾GB）
•外存儲器-位於主機之外，用來存放暫不運行的程序、數據或存檔文件 -用磁表面或光存儲器實現，容量大而速度慢
5. 什麼叫"非揮發"存儲器
化肥會揮發
非化肥會非揮發
6. 存儲晶元的組成
存儲體由哪些組成
存儲體由許多的存儲單元組成，每個存儲單元裡面又包含若干個存儲元件，每個存儲元件可以存儲一位二進制數0/1。
存儲單元：
存儲單元表示存儲二進制代碼的容器，一個存儲單元可以存儲一連串的二進制代碼，這串二進制代碼被稱為一個存儲字，代碼的位數為存儲字長。
在存儲體中，存儲單元是有編號的，這些編號稱為存儲單元的地址號。而存儲單元地址的分配有兩種方式，分別是大端、大尾方式、小端、小尾方式。
存儲單元是按地址尋訪的，這些地址同樣都是二進制的形式。
MAR
MAR叫做存儲地址寄存器，保存的是存儲單元的地址，其位數反映了存儲單元的個數。
用個例子來說明下：
比如有32個存儲單元，而存儲單元的地址是用二進制來表示的，那麼5位二進制數就可以32個存儲單元。那麼，MAR的位數就是5位。
在實際運用中，我們 知道了MAR的位數，存儲單元的個數也可以知道了。
MDR
MDR表示存儲數據寄存器，其位數反映存儲字長。
MDR存放的是從存儲元件讀出，或者要寫入某存儲元件的數據（二進制數）。
如果MDR=16,，每個存儲單元進行訪問的時候，數據是16位，那麼存儲字長就是16位。
主存儲器和CPU的工作原理
在現代計算中，要想完成一個完整的讀取操作，CPU中的控制器要給主存發送一系列的控制信號（讀寫命令、地址解碼或者發送驅動信號等等）。
說明：
1.主存由半導體元件和電容器件組成。
2.驅動器、解碼器、讀寫電路均位於主存儲晶元中。
3.MAR、MDR位於CPU的內部晶元中
4.存儲晶元和CPU晶元通過系統匯流排（數據匯流排、系統匯流排）連接。
7. 試比較RAM和ROM各自具有什麼特點
先說說什麼是ram、rom。
他們都是存儲器，屬於半導體存儲器，只是從讀、寫數據（或者說存、取數據）功能上分為ram和rom。
ram是由英文random
access
memory的首字母構成的，意為隨機存儲器，即在正常工作狀態下可以往存儲器中隨時讀寫數據。根據存儲單元工作原理的不同，ram又可分為靜態存儲器（sram）和動態存儲器(dram)。ram的特點：可讀可寫；給存儲器斷電後，裡面存儲的數據會丟失。我們經常說的內存，比如計算機的內存，手機的內存，包括cpu里用的高速緩存，都屬於ram這類存儲器。
rom是由英文read
only
memory的首字母構成的，意為只讀存儲器。顧名思意，就是這樣的存儲器只能讀，不能像ram一樣可以隨時讀和寫。它只允許在生產出來之後有一次寫的機會，數據一旦寫入則不可更改。它另外一個特點是存儲器掉電後裡面的數據不丟失，可以存放成百上千年。此類存儲器多用來存放固件，比如計算機啟動的引導程序，手機、mp3、mp4、數碼相機等一些電子產品的相應的程序代碼。
在微機系統里，ram一般用作內存，rom用來存放一些硬體的驅動程序，也就是固件。
8. 什麼是揮發性存儲器非揮發性存儲器呢
揮發性和非揮發性存儲器跟掉電丟失與否有關。前者為掉電數據丟失。
RAM為隨機存取存儲器，理論上斷電後數據全丟失，但是非揮發性RAM內置了一個電源，有個檢測系統是否掉電的電路，當監測到掉電時，即接通內部電源以確保時間保持和內存數據不受破壞。這相當於沒有掉電，即RAM的數據也沒丟失。
9. 介紹存儲器
內存(memory)，亦稱為存儲器，是一種利用半導體技術做成的電子裝置，用來儲存資料。電子電路的資料是以二進制的方式儲存，內存的每一個儲存單元稱做記憶元或記憶胞(Cell)。
分類
根據儲存能力與電源的關系可以分為兩類：
揮發性(Volatile)內存：指的是當電源供應中斷後，內存所儲存的資料便會消失，一般稱之為RAM。有兩種主要的類型
DRAM：動態隨機存取內存
SRAM：靜態隨機存取內存
非揮發性(Non-Volatile)內存：即使電源供應中斷，內存所儲存的資料並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料
ROM(Read-Only Memory，唯讀內存)
一種只能讀取資料的內存。在製造過程中，將資料以一特製光罩(mask)燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為光罩式唯讀內存(mask ROM)。此內存的製造成本較低，常用於計算機中的開機啟動。
PROM (Programmable ROM，可編程唯讀內存)
內部有行列式的鎔絲，視需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但僅能寫錄一次。
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory，可抹除可編程唯讀內存)
利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復編程使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
OTPROM(One Time Programmable Read Only Memory，OTP，一次編程唯讀內存)
寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，電子式可抹除可編程唯讀內存)
類似EPROM 但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
Flash memory (快閃記憶體)
此內存每一個記憶胞都具有一個控制閘與浮動閘，利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進行編程動作。
10. 半導體存儲器分哪兩類，區別是什麼
半導體存儲器可區分為揮發性和非揮發性存儲器兩大類。揮發性的如DRAM和SRAM，若其供應電源關閉，將會喪失所儲存的信息。相比之下，非揮發性存儲器卻能在電源供應關閉時保留所儲存的信息。