A. 海力士內存條是海外版的嗎
海力士內存條不是海外版的。海力士是韓國品牌，主要生產內存的，原名是大名鼎鼎的，沒聽說過其有SSD產品，不過SSD的核心也是快閃記憶體。
海力士內存條是韓國知名品牌海力士旗下的經典系列產品，它最為突出的優勢就是在於產品自身所具有特性以及質量參數和實際使用評測板塊的內容，並且除此之外，關於更進一步的選購介紹板塊的技巧和知識。
內存條的組成
一個完整的存儲器模塊由PCB板、SPD晶元和存儲器顆粒組成，其中存儲器顆粒是最重要的，存儲器的容量和頻率由存儲器顆粒決定。能生產內存顆粒的主要廠商有韓國的三星、海力士。
美國的美光鎂日本的NEC恩義、日立、ELPIDA由NEC、日立內存部門合並，台灣的南亞南亞、溫邦、PSC力晶，德國的西門子、英飛凌由西門子內存重組、奇夢達由英飛凌內存重組等。
B. 海力士哪個部門輕松
剛入職的新員工，被分配到安全部門，可以暫時先干著，以後再調動
C. 海力士的發展過程
2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中國無錫市後續工程合作社
04月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。
2008年 12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM
11 月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
05月 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
04月 為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證
2007年12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)
11月WTO做出判決海力士進口晶元相關報復性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
10月與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同
09月以24層疊晶元(stacked chips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP
08月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月發表企業中長期總體規劃
05月業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
04月DOC H3開始大量生產在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率
03月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表「生態標記(ECO Mark)」與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鍾甲就任新任 代表理事、社長
01月開發出以「晶圓級封裝(Wafer Level Package)」技術為基礎的超高速存儲器模塊
2006年創下最高業績及利潤
2006年12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網路
09月300mm研究生產線下線
03月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證
01月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 業界最先推出JEDEC標准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前從企業重組完善協議中抽身而出
04月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
03月 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤
01月 與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議
2004年11月 與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議
08月 與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議
07月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
06月 簽訂非內存事業營業權轉讓協議
03月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
02月 成功開發NAND快閃記憶體
2003年12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU
08月 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。
07月 宣布在世界上首次發表DDR500
06月 512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證
05月 採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256Mb SDRAM投入批量生產
04月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND快閃記憶體
03月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門
10月 開發0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶
03月 開發1G DDR DRAM模塊
2001年08月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成與現代集團的最終分離
07月 剝離CDMA移動通信設備製造業務『Hyundai Syscomm』
05月 剝離通信服務業務『Hyundai CuriTel』
剝離網路業務『Hyundai Networks』
03月 公司更名為「Hynix半導體有限公司」
2000年08月 剝離顯示屏銷售業務『Hyundai Image Quest』
04月 剝離電子線路設計業務『Hyundai Autonet』
1999年10月 合並LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社
03月 出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）
1998年09月 開發64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次開發1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 開發4M的DRAM
1988年11月 在歐洲當地設立公司（HEE）
01月 開發1M的DRAM
1986年06月 舉行第一次員工文化展覽會「Ami Carnical」
04月 設立半導體研究院
1985年10月 開始批量生產256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫 理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標志
D. 海力士是做什麼的
當然是做半導體的
E. 無錫海力士最好的部門
你好，你是要問無錫海力士最好的部門是哪個嗎？無錫海力士最好的部門是品質管理部門。海力士是做內存晶元的。品質管理部門還是不錯的，工資很高,和行政部門不在一棟樓,工作很輕松也和做行政工作差不多了都是坐辦公室的，有機會能進去就好好把握哦
F. 海力士什麼部分技術好
海力士半導體存儲器技術好
海力士的成功一方面得益於其對半導體存儲器技術的專注，另外一方面則跟其「逆向發展思維」有比較大的關系。同時在市場發展之中，海力士與三星電子保持了比較好的協同，這才有了其在最近幾年內賺得盆滿缽滿的情況出現。對於眾多的國產科技企業而言，海力士的發展之路、發展思維還是非常值得學習和借鑒的。「師夷之技以制夷」，希望在未來幾年時間之內，國內能出現很多的超越海力士的科技企業。
G. 海力士最毒的部門
製造部。
1、無錫海力士有製造部，製造技術，裝備，良率，四大部門。
2、海力士公司的製造部是製造有毒化學品，廠區周邊氣味刺鼻，所以最毒的部門就是製造部。
H. 海力士內存怎麼樣
海力士內存就是韓國現代內存 Hynix , 目前也屬於全球前五大內存廠商，產品在品質，可靠性等方面在三星，MT,ELPIDA 之下，但還是很不錯的。
I. 無錫海力士都有什麼部門啊 都是搞什麼任務的
位於無錫高新技術開發區內的海力士-意法
半導體有限公司是一家韓國獨資企業,也是目前江蘇省最大的外商投資項目,投資規模20億美元。2005年2月,海力士(無錫)公司獲國務院批准籌建,計劃在2006年建成8英寸、12英寸晶圓生產線各一條,從事記憶晶元製造、封裝和測試。去年4月在新區正式開工建設以來,8英寸晶圓已進入全面試生產階段,今年6月底12英寸生產廠房也將按時完工。目前該公司的新員工正在接受上崗培訓.
J. 海力士半導體DA是什麼部門
摘要 Hynix 海力士晶元生產商，源於韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM製造商，也在整個半導體公司中占第九位。