⑴ 三星雙核運行內存512的手機。軟體經常升級，手機會變得越來越慢嗎
尊敬的三星用戶您好：
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2.通過KIES連接電腦來更新固件，以下是三星官網kies軟體升級的方法供您參考：
http://www.samsung.com/cn/support/skp/faq/1034500
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⑵ 64層3D MLC 三星860 PRO 512GB SSD評測
【IT168 評測】三星在3D NAND上算得上先行者，其早在2014年就推出了消費級市場中首款應用3D快閃記憶體的SSD——850 PRO/EVO。時隔近4年之後，三星終於拿出了850 PRO/EVO的升級產品——860 PRO/EVO，快閃記憶體顆粒的堆疊層數也進化到了64層，今天我們就來聊聊512GB的860 PRO。
一、外觀/內部解析
860 PRO在包裝上依然延續了三星SSD一貫的設計風格，正面右側是產品圖，左側下方印有860 PRO的產品型號、SATA 6Gb/s的介面速度以及V-NAND的字樣，右上角標有512GB的容量。
860 PRO的本體，外形是我們非常熟悉的2.5英寸大小，正面只有三星和SSD的全稱字樣，並沒有產品型號，下面有一個紅色的方塊，右側還有一個箭頭用來指明介面方向。
SSD的背面，這里和產品相關的信息就比較多了，型號、容量、生產日期、工作電壓電流等都非常詳細。我們手上的這塊512GB的860 PRO是在2017年11月生產的。
一般來說SSD背面的固定螺絲孔都是和背面一體的（也就是在背面挖個孔），而860 PRO背面的螺絲孔是和側面的螺絲孔一體成型的，並且在表面進行了拋光處理。這種固定方式顯然比在背面直接開孔更加穩固，當然這對SSD正面殼體的強度也有更高的要求。
硬碟介面部分，左側7針的是SATA 3.0介面，理論帶寬6Gb/s，右側15針的是供電介面。
860 PRO的順序讀寫速度最高可達560MB/s和530MB/s，隨機讀寫速度最高可以達到100K IOPS和90K IOPS，這個速度放在SATA硬碟里也並不出眾，畢竟SATA 3.0的介面帶寬擺在那裡。
小心擰下背面的三顆螺絲就可以把背面取下了（有兩顆在銘牌貼紙下面），需要注意的是860 PRO的固定螺絲是不太常見的五角梅花螺絲，如果沒有合適的螺絲頭可以用一字代替。
取下背面之後你會發現860 PRO的PCB居然這么小，大約只有2.5英寸硬碟面積的1/3，說實話筆者在拆開後也被震驚了。
PCB正面由一顆主控+一顆緩存+一顆快閃記憶體顆粒組成，還有許多密密麻麻的電容。
PCB背面只有一顆快閃記憶體顆粒，加上正面的一顆，兩顆一共組成512GB。在這么小的PCB上竟然可以裝下500GB的文件，想想都覺得不可思議。
主控顆粒是三星自家的MJX控制器，關於這顆主控的核心數量、製造工藝等信息目前還不清楚，只知道它增加了對LPDDR4緩存的支持。
緩存顆粒為512MB的LPDDR4。
快閃記憶體顆粒為三星自家64層堆棧的3D MLC V-NAND，這也是三星的第四代3D NAND，單顆容量256GB，寫入壽命600TBW，也就是約1200次全盤寫入。
去年就已經有一些廠商推出了應用64層快閃記憶體顆粒的SSD了，比如西數的藍盤3D NAND SSD、東芝的TR200，860 PRO和他們最大的區別就是使用了MLC的快閃記憶體顆粒。
二、基準性能測試
測試平台如下表：
測試環境、軟體如下表：
測試平台是英特爾的第八代酷睿i7-8700K，搭配微星的Z370主板，兩條金士頓駭客神條內存，主硬碟是英睿達的MX300 750GB，其餘配置請看上表。
測試軟體則是大家非常熟悉的AS SSD、ATTO、CDI、CDM、TxBENCH、PCMark 8以及三星自家的魔術師軟體。
首先用CrystalDiskInfo看一下硬碟信息，確認當前的傳輸模式為SATA 3.0（6Gb/s），另外可以看到硬碟的通電次數只有2次，非常新。
熟悉AS SSD的朋友都知道，在所有硬碟跑分軟體中它的分數是最低的，和官方標稱值差距最大，我們手上的這塊860 PRO 512GB的順序讀寫速度分別能夠達到524MB/s和488MB/s，單線程下的4K隨機讀寫速度為45MB/s和119MB/s。
在切換到IOPS後，64線程下的讀寫速度分別可以達到97K IOPS和87K IOPS，和標稱值有一些差距，但也在合理的范圍內。
在ATTO的測試中，860 PRO 512GB的最高順序讀寫速度分別有559MB/s和524MB/s，和官方值很接近了。
再來看CDM的測試，Q32T1下的順序讀寫速度分別有558 MB/s和518MB/s，讀取速度和ATTO的成績基本一致。Q1T1下的隨機讀寫速度為48MB/s和139MB/s。
在TxBENCH的測試中，554MB/s、510MB/s的順序讀寫速度同樣很接近官方標稱值，單隊列深度下的隨機讀寫速度為47MB/s和122MB/s，這和前幾款測試軟體的成績也是相符的。
再來看PCMark 8的存儲測試，總分4979分，帶寬285.35MB/s，這個成績在SATA SSD中算比較高的了，但是如果你仔細對比過下面的每一個測試項的話，你會發現SATA SSD之間只有在進行重度Photoshop處理的時候才有比較明顯的差距，其餘測試項的差距基本都在一兩秒以內。
最後再來看看三星自家魔術師軟體的測試成績，順序讀寫分別有557MB/s和523MB/s，隨機讀寫分別有96K IOPS和85K IOPS，順序讀寫速度和ATTO的非常接近。
三、評測總結
在西數、東芝相繼推出64層3D快閃記憶體顆粒的SSD之後，三星也終於拿出了同屬64層堆棧的3D NAND SSD——860 PRO/EVO，新品正是基於自家V-NAND技術的第四代3D NAND，兩者之間就是MLC和TLC的區別。
經過我們的測試，860 PRO 512GB的順序讀寫速度基本在550MB/s和510MB/s以上，單線程下的4K隨機讀寫速度基本在45MB/s和120MB/s以上。盡管SATA SSD之間的速度相差不大，但是憑借600TBW的總寫入量（1200次的全盤寫入次數），860 PRO無疑有著更加可靠的品質。
⑶ 求三星的這個內存晶元是多大的 k4B4G1646D-BCMA 有圖
單晶元4Gb DDR3-1866MHz，512MB的
⑷ 512k*8的RAM晶元需要多少條地址線進行定址，需要多少條數據線具體過程
19條地址線，8條數據線，512K為2的19次方，K代表2的10次方，512為2的9次方，後面的8條數據線。
比如：
將8個RAM晶元以並聯方式通過PCB走線連接，可以組成一個8Kx8bit存儲器。要完成所有的定址最少需要13條地址線。完成PBANK片選需要3條地址線。
128根晶元組選擇地址線，其中兩個512*4的RAM晶元共用一根晶元組選擇地址線。晶元組選擇地址線即共用的片選線。
(4)三星512存儲晶元擴展閱讀：
在地址位多處理器協議中（ADDR/IDLEMODE位為1），最後一個數據位後有一個附加位，稱之為地址位。數據塊的第一個幀的地址位設置為1，其他幀的地址位設置為0。地址位多處理器模式的數據傳輸與數據塊之間的空閑周期無關（參看圖在SCICCR寄存器中的位3——ADDR/IDLE MODE位）。一根地址線只能表示1和0。
⑸ 512G固態硬碟哪個品牌的好
固態硬碟的話，不得不承認還是三星的好，
畢竟三星是自己做存儲晶元並自己生產的，
所以在性能和品質方面都是有保障的，
這也是為什麼三星的價格比其他品牌的要貴一些的原因。
512G的可以考慮下三星的（SAMSUNG）970 PRO SSD固態硬碟 M.2介面(NVMe協議) 筆記本台式機硬碟 512GB 五年質保，
如果是SATA介面的固態硬碟可以考慮SATA3.0介面 860 PRO（MZ-76P512B）
⑹ 三星內存卡512g實際內存多少
三星512g內存卡實際有490g左右。原因是產品標稱是按照1MB等於1000KB來計算的，而實際檢測是採用1MB等於1024KB的標准，因此會有些不一樣。例如標稱為512MB，實際容量是512×1000×1000＝512000000B，如果按照1MB＝1024KB來計算。
那麼512000000÷1024÷1024約等於490左右。
三星手機壽命
一般三星手機壽命是三到四年，但是現在很多人用手機一年甚至是兩年就不用了，手機的款式更新換代太快了，因此現在很多人一年換一部手機也是並不奇怪的。對於手機的使用壽命，可能很多人都覺得越貴的手機質量越好，那麼手機使用的時間肯定也越長，其實並不是這樣。
但是盡管現在的人換手機換的這個頻繁，大部分人在選手機的時候還是很注意手機的質量問題，比如認定一個品牌的手機，一般都是信任它的質量。
⑺ 三星galaxys21ultra5G16GB+512手機測評打游戲發熱厲害嗎
1月18日，全新三星Galaxy S21 5G系列智能手機在國內正式發布，這一備受大家期待的系列共包括三星Galaxy S21 5G、三星Galaxy S21+ 5G和三星Galaxy S21 Ultra 5G三款機型。眾所周知，三星手機一直以來都是性能的代名詞，憑借著行業領先的強勁手機性能，獲得了游戲玩家的青睞。而最新的三星Galaxy S21 5G系列更是全系搭載了驍龍888處理器，配合最高16GB內存，至高5000mAh電池，120Hz自適應刷新率，動態AMOLED屏幕，游戲助推器2.0，智能電池管理等等給用戶帶來極致游戲體驗，助力游戲玩家決戰巔峰游戲賽場，一戰成名，且續航持久。
三星Galaxy S21 5G系列搭載了三星Galaxy系列迄今為止最強大的智能手機晶元高通驍龍888，這顆晶元採用了業界最先進的5nm製程工藝，全新的8核設計中包括一個2.84GHz的ARM Cortex-X1超大核、三個2.4GHz的A78中核以及四個1.8GHz的A55小核，CPU性能直接起飛，在GPU方面圖形核心則升級至Adreno 660，性能提升35%。所有的這些升級使得三星Galaxy S21 5G系列在運行速度、計算能力與能效等方面都有了大幅躍升，面對各種游戲都能夠輕松駕馭，搭配游戲助推器2.0，更是將游戲體驗做到了極致，全新推出「沉浸模式」玩家只需要盡情享受暢快的游戲體驗就完事了。
三星Galaxy S21 5G系列中的最大杯三星Galaxy S21 Ultra 5G搭載了16GB+512GB內存組合，進一步保障游戲體驗，16GB的內存讓你完全不用擔心在多任務下游戲會閃退以及被清後台的問題，卡頓和延遲也都通通不存在，享受更加沉浸的體驗，給足了游戲運行空間，512GB的存儲可以讓你將主流游戲全部安裝在手機內，想玩哪個就點哪個。
續航能力也是保障游戲體驗的一個重要因素，三星Galaxy S21 5G系列還內置了更具智能的電池，利用三星的AI技術，將性能與功耗進一步平衡，以實現全天候持久續航。在三星Galaxy S21 Ultra 5G上搭載了一塊5000mAh的大電池，這個容量無論是對重度使用用戶還是游戲玩家都讓人很安心，長時間游戲也能持久發力，續航長久，在這個電池容量基礎上，可以讓驍龍888盡情釋放它的游戲性能。同時三星Galaxy S21 5G系列具有25W的快速充電功能，算是一個還不錯的水平，在電量耗盡時也能夠快速回血。
好的屏幕也在一定程度會提升游戲體驗。三星Galaxy S21 5G系列都採用了第二代動態AMOLED屏幕，三款機型均支持120Hz自適應屏幕刷新率，讓玩家在游戲過程中能享受到絲般順滑、栩栩如生的畫質。其中三星 Galaxy S21 Ultra 5G是三星首款可以同時支持120Hz自適應刷新率和2K高解析度的機型，帶來的極致游戲視覺享受。
三星 Galaxy S21 Ultra 5G憑借著強大的整體游戲性能以及屏幕和續航方面的優秀表現，被中國泰爾實驗室授予了多項五星證書，包括「游戲高性能」五星證書、「手機屏幕」五星證書、「移動智能終端續航性能」五星續航能力證書，當之無愧是一款能夠帶來極致游戲體驗的手機，能夠獲得如此多證書，實至名歸。
總結：
搭載驍龍888+16GB內存+5000mAh電池+120Hz高刷+動態AMOLED屏幕，為用戶提供了旗艦級的游戲平台，帶來了全方位的極致流暢游戲體驗，配合智能電池管理還擁有持久的續航能力，獲得多項五星證書認證的三星 Galaxy S21 Ultra 5G更是代表了絕對的巔峰游戲實力，如果你是一名手機游戲極客玩家，想體驗到高配置、高性能帶來的絕佳沉浸式游戲體驗，那三星Galaxy S21 5G系列智能手機一定是你的不二選擇，擁有它，將助力你決戰巔峰游戲賽場！
⑻ 三星I8000rom是512，ram是256，還有2G，8G，16G的，請問這三者到底有什麼區別
RAM是由英文Random Access Memory的首字母構成的，意為隨機存儲器，即在正常工作狀態下可以往存儲器中隨時讀寫數據。根據存儲單元工作原理的不同，RAM又可分為靜態存儲器（SRAM）和動態存儲器(DRAM)。RAM的特點：可讀可寫；給存儲器斷電後，裡面存儲的數據會丟失。我們經常說的內存，比如計算機的內存，手機的內存，包括CPU里用的高速緩存，都屬於RAM這類存儲器。 ROM是由英文Read only Memory的首字母構成的，意為只讀存儲器。顧名思意，就是這樣的存儲器只能讀，不能像RAM一樣可以隨時讀和寫。它只允許在生產出來之後有一次寫的機會，數據一旦寫入則不可更改。它另外一個特點是存儲器掉電後裡面的數據不丟失，可以存放成百上千年。此類存儲器多用來存放固件，比如計算機啟動的引導程序，手機、MP3、MP4、數碼相機等一些電子產品的相應的程序代碼。 綜上所述，RAM指的是手機的內存，ROM指的是存放手機固件代碼的存儲器，比如手機的操作系統、一些應用程序如游戲等！
rom和刷機rom類似電腦xp，和xp安裝盤！2G是機身容量！有時候有些經銷少也把手機支持內存卡容量也這么寫是誤導人的
⑼ 三星840pro ssd固態硬碟512g 2.5行業版841 mlc晶元mz7pd512 850 怎麼樣
速度快的是採用PCI-E介面採用NVMe協議的SSD，這些產品為家用旗艦版的頂級，例如intel 750、三星的950pro，速度可達到2G/S以上。但這些介面的SSD由於啟動過程中需要載入驅動，實際開機速度並不比高端SATA3.0介面的SSD快，啟動後使用中的數據讀寫速度確實高。
SATA3.0介面的高端產品有intel 730 480G，三星850pro 256G以上，浦科特M6P 256G以上等，，再低一些檔次的有浦科特M6P、閃迪至尊超極速、東芝Q300PRO等。
耐用方面：採用MLC顆粒的盤基本在正常使用條件下很難在保修期內把顆粒壽命寫完。所以除非作為伺服器（在伺服器上使用建議還是選擇企業版的）或單純寫入測試用，否則不用考慮耐用問題。另一耐用指標是意外斷電的掉盤，這個無法避免，哪個品牌都有可能出現，相對來說具有掉電保護功能的SSD能降低掛盤的幾率，如INTEL 730系列，但也有掉盤的。
所以目前家用如果選擇PCI-E NVMe協議的盤，推薦INTEL 750 400G或1.2TB，但需要注意的是要主板支持啟動才可以。選擇SATA3.0介面的盤高端推薦intel 730 480G（240G版本寫入偏低），三星850Pro 256G以上。
普通使用也需要較好性能的可選閃迪至尊超極速和東芝Q300pro，再低一點的有浦科特M6S 、Q200 EX、鎂光MX200、OCZ ARC 100、閃迪加強版，最好選擇240G以上的。