A. 什麼是寄存器的容量衡量存儲器容量的單位是什麼
介紹一些最新的RAM技術詞彙
CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器
CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器
DRAM-Dynamic RAM——動態存儲器
EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態存儲器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數據模式靜態存儲器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數據模式視頻存儲器
FPM-Fast Page Mode——快速頁模式
FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態存儲器
SRAM-Static RAM——靜態存儲器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器
VRAM-Video RAM——視頻存儲器
WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優於VRAM)
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態存儲器
SGRAM-Signal RAM——單口存儲器
2.存儲器有哪些主要技術指標
存儲器是具有「記憶」功能的設備，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進制數碼「0」和「1」，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、MOS電路或電容器等。位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一個位元組(Byte)，可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。
根據存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數據掉電後就會丟失，而掉電後ROM中的數據可保持不變。因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等。存儲器的特性由它的技術參數來描述。
存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾十M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。
存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。
存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。
性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標。
SDARM能成為下一代內存的主流嗎
快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經過去。隨著高效內存集成電路的出現和為優化Pentium晶元運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯晶元組的支持，人們越來越傾向於採用擴展數據輸出(EDO)DRAM。EDO DRAM採用一種特殊的內存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一個連續地址單元的讀寫周期。從而節省了重選地址的時間，使存儲匯流排的速率提高到40MHz。也就是說，與快頁內存相比，內存性能提高了將近15%～30%，而其製造成本與快頁內存相近。但是EDO內存也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以後市場上主流CPU的主頻將高達200MHz以上。為優化處理器運行效能，匯流排時鍾頻率至少要達到66MHz以上。多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統對內存的要求也越來越高，為緩解瓶頸，只有採用新的內存結構，以支持高速匯流排時鍾頻率，而不至於插入指令等待周期。這樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鍾周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區別，SRAM的全寫是Static RAM即靜態RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存)應運而生，與其它內存結構相比，性能價格比最高，勢必將成為內存發展的主流。
SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據的同時，另一個已准備好讀寫數據。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～8ns，可將Pentium系統性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。在去年初許多DRAM生產廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內存條，但其成本較高。現在每一個內存生產廠家都在擴建SDRAM生產線。預計到今年底和1998年初，隨著64M SDRAM內存條的大量上市，SDRAM將占據主導地位。其價格也將大幅下降。
但是SDRAM的發展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯晶元組的限制。VX晶元組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線內存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板晶元組TX將更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板晶元組TX將更好的支持SDRAM。
SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數據帶寬越寬，同時處理的數據就越多，顯示的信息就越多，顯示質量也就越高。以前用一種可同時進行讀寫的雙埠視頻內存(VRAM)來提高帶寬，但這種內存成本高，應用受很大限制。因此在一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的解析度，而又盡量降低成本，就只能採用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。SDRAM也將應用於共享內存結構(UMA)——一種集成主存和顯示內存的結構。這種結構在很大程度上降低了系統成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內存成本極高，而UMA技術將利用主存作顯示內存，不再需要增加專門顯示內存，因而降低了成本。
什麼是Flash Memory存儲器
介紹關於閃速存儲器有關知識近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫，功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS升級非常方便。Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡，此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。(文章來源：硬體時空)
B. 求晶元儲存發展歷史
也許是「飛芯」機器的金字招牌越打越響，再加上MD機器在競爭中逐漸沒落，MP3市場日漸興旺，人們紛紛把選擇MP3的目光投到「高音質」的節骨眼上，而方案廠商也在此時大力研發和推出性能更強的產品。其中以SIGMATEL3520和飛利浦PNX0102晶元最為突出。
如果說Sigmatel 3420隻是Sigmatel 3410的升級版，那麼Sigmatel 3520就可以說是讓Sigmatel家族的發展邁出了歷史性的一大步。Sigmatel 3520不僅繼承了3420的MP3硬體解碼，而且更改進了以往Sigmatel 3410/1342中音表現一般、高音生硬的缺點，音質清澈，信噪比據說可以達到95dB；增加了對MP3硬體編碼、FM收音和USB2。0等功能的支持；Sigmatel 3520比前代產品在處理速度上也有所提升，達到了75MHz(34xx系列為65MHz)。當年國內MP3廠商魅族推出了性價比極高的E2就使用了Sigmatel3520方案，並最終憑借不俗的音質表現、極高的實用性和性價比而大受歡迎。
與此同時，飛利浦也並沒有放慢腳步，將主要應用於數字電視、Hi-Fi音響等專業領域PNX系列晶元引入便攜隨聲聽的世界。PNX010x系列解碼晶元包括PNX0101、PNX0102和PNX0105。PNX0101和PNX0102主要應用於快閃記憶體MP3隨身聽，PNX0105則是針對採用微硬碟為存儲介質的多媒體播放器。PNX0101內嵌4Mbit的可編程FLASH，只支持USB1.1。因而所有採用PNX0101晶元MP3所配備的USB2.0介面，都是通過另外增加USB2.0控制晶元來實現的。而PNX0102則內嵌有8Mbit的可編程 FLASH，自身提供了對USB2.0的支持。PNX0105同樣支持USB2.0，而且還支持GDMA和IDE(ATA/ATAPI/PC Card)等介面，但它沒有內置可編程FLASH。
性能上，PNX系列都內含速度高達80-100MIPS的24位EPICS7B音頻DSP，內置了一個16位立體聲音頻ADC和DAC。PNX0101和 PNX0102晶元採用了32位的主頻為60MHzARM7核心的RISC處理器，支持圖瀏覽。PNX0105則是主頻高達140MHzARM9核心的RISC處理器，支持視頻播放。
雖然PNX0101/0102晶元在性能和功能上都有不錯的提高，但在音質上的進步卻並不明顯。總體而言，0101/0102晶元的音質與SAA7750晶元不分伯仲，甚至更有的用戶認為0101/0102晶元的聲音還不如7750。這樣與其他在音質上有長足進步的晶元比較起來，「飛芯」和其他晶元的差距顯得大大縮小。
在這個時期，魅族完全看準了MP3市場逐步壯大的第一步。不僅在中低端市場發布了ME、E2等一系列Sigmatel晶元的產品，打響了國產MP3普及的第一槍，更加在中端市場推出了與進口產品相抗衡的「飛芯」產品E3。這款使用PNX0102晶元的E3配合LifeVibes頂級專業音效，其聲音表現在當時算是比較優秀的，再加上了16Mbit 高速RAM和8層PCB版，保證了機器整體的性能和品質。這一切，不僅最終使魅族E3成為了國產機器發展歷程中不可或缺的一款經典，更為魅族帶來了國產機器中史無前例的關注。
採用炬力ATJ2085的昂達VX909
正當Sigmatel和Philips各自的新方案在MP3全球市場上你爭我奪，我國珠海的一家較有實力的集成電路公司炬力也在此時漸漸進入人們的視野。炬力當年採用LQFP64pin封裝的ATJ2085晶元，由於集成度高，周邊元器件極少，非常利於生產。而且這款支持USB2.0(FS)傳輸，MP3/WMA/WAV/WMV/ASF等格式媒體播放，支持MTV電影播放，支持JPG、GIF、BMP圖片瀏覽功能的晶元盡管音質一般，FM效果也有待的提高，但其平易近人的價格，也足以使它十分受國內一些MP3廠商支持。
盡管炬力當年准備以ATJ2085、2087、2089三款方案分別從低中高端打入市場，但令它受到業界矚目的並非由於其產品，而是由於它和Sigmatel之間的官司。2005年3月16日，SigmaTel於當地時間周二向美國國際貿易委員會(ITC)提起訴訟，要求禁止採用珠海炬力產品的商品出口到美國。兩個月前，SigmaTel向美國德克薩斯州聯邦法院提出訴訟，指控珠海炬力侵犯了該公司用於攜帶型MP3播放器的多項電源管理專利。而在後來ITC(美國聯邦國際貿易委員會)法院珠海炬力不侵犯Sigmatel的專利的一個月後，珠海炬力又向深圳中級人民法院提起訴訟，指控SigmaTel公司的產品，包括STMP 3502、3503、3505、3506、3510和3520等等，侵犯了該公司擁有的一項數字音頻處理技術專利。珠海炬力希望法院禁止設計、生產、銷售和使用侵權集成電路以及包含SigmaTel侵權集成電路的設備，以終止SigmaTel在中國的侵權行為。一直到了2007年，這場歷時長達兩年的互告和口水戰在長時間的討價還價後，最終才以雙方達成全面和解協議的戲劇性結局而告終。
在一輪純音播放器的火拚過後，人們在MP3播放器身上投注了更多的期望。於是乎，我們迎來了彩屏，迎來了視頻播放。
Telechips是韓國一家著名的MP3晶元廠家，其解碼晶元基於ARM架構，無論是性能還是音質都比較優秀，一經面世便獲得一致好評，並且在韓國眾多廠商的大力支持下成長迅速，是比較有潛力的解碼晶元。但由於Telechip對外圍電路設計要求比較高，因此在中國市場內的發展得比較低調。而隨著彩屏和視頻時代的來臨，Telechip晶元也伴隨著很多優秀的機器的推出而漸漸被人們所認識。其中除了使用了TCC770晶元的iAudio U3、三星K5，還有使用了TCC7801的iAudio D2和使用TCC8200的iRiver Clix2等。
既然提到了擴展能力強大的Telechip主控晶元，就不得不提「雙核心架構」了。在與Telechip搭配當中最為人熟悉的就是英國的Wolfman音頻晶元了。憑借著採用了TCC770+WM8750S的台電T29和採用了TCC8200+WM8978G的台電T39獲得了巨大成功，使得國內眾多玩家了解到了T芯的強勁性能，讓眾多的隨身聽愛好者感受到了歐勝Wolfman的純凈聲音。這不僅為T39奠定了國產MP3音質王者的地位並延續至今，更讓Wolfman音頻晶元獲得了更廣闊的市場。
三星電子經過多年發展，已經成為了電子行業中少數掌握了多項基礎元件研發及生產技術的龍頭企業之一，而且三星也間接的成為了開創MP3產業的始作俑者，然而三星的晶元卻一直並沒有像它的名字一樣來得強勢。不過，隨著魅族Miniplayer的推出，讓人們親自感受到了三星主控晶元的能耐。而為了延續「飛芯」傳統，魅族在Miniplayer身上除了採用了三星基於ARM9TDMI內核主頻達到200MHZ的SA58700X07，還進一步去掉了主控自帶的Wolfson 8731音頻處理器，而採用了飛利浦從UDA1380改進而來的380HN音頻編碼解碼器。事實上，隨著視頻播放等多功能擴展，「飛芯」的優勢早已日益淡化，Miniplayer也在後來改版的SL版本中，迎來了較受歡迎的歐勝WM8987音頻晶元。不管如何，綜合而言，Miniplayer的各方面設計也都依然是國產MP3的一座里程碑。
使用ADI BF533方案的歌美X750
隨著視頻需求在隨身機器上的日益增長以及快閃記憶體晶元的日益普及，體積較大的AVI格式並不能於國內消費者的訴求，由此支持RMVB格式的呼聲也日漸增長起來。就在這個時候，美國模擬器件公司(簡稱ADI)推出的BF533晶元使得RMVB直播取得革命性成果。時至今日，這款晶元依舊是很多廠商RMVB機型的主控晶元。基於Blackfin架構的BF533有主頻500MHz和600MHz兩種規格兼具了DSP的高速數據處理運算能力和CPU的系統管理能力，因此能夠在信號處理和控制處理的過程中都能保證不俗的表現。
性能強大的愛可視605 wifi
與此同時，著名PMP廠商愛可視推出了愛可視605，並採用一向以高性能高規格著稱的德州儀器(簡稱TI)方案，其主控晶元是TI的一款高端晶元——T1320。盡管TI方面一直沒有公開晶元的相關參數，但從605的強勁表現看來，這款晶元的性能估計是目前PMP產品中無出其右的。當然，強悍的性能自然也就帶來高昂的價格了。
首款RK27晶元播放器藍魔RM970
不僅國外技術領先的廠商不斷進行技術創新，而且國內較有實力的廠商也在技術上不斷地作出努力。總部位於福建省福州市的瑞芯微是一家國內專注於數字音視頻、移動多媒體晶元研究和開發的晶元設計企業。早在2006年，瑞芯微推出的RK2606A晶元就憑借著自身的低成本優勢，讓瑞芯微迅速成為國內MP3晶元市場上第一品牌。如今，瑞芯微的支持RMVB的解決方案是它最新的RK27方案，這一採用了DSP內核＋ARM內核「雙核聯合」的方式，主控晶元頻率為400MHz。它除了能夠 支持包括RMVB在內的多種視頻格式，它還提供了對於APE、FLAC等無損壓縮音頻格式以及MP3（8Kbps～384Kbps位速范圍）、 WMA（32Kbps-320Kbps位速范圍）的支持，另外，它可以搭載微軟PlayFX音效。相比於之前的TI和ADI的解決方案，由於瑞芯微晶元的成本較低，一個瑞芯微的晶元成本一般只有ADI晶元的一半，因此，瑞芯微的終端產品價格要低廉很多,更加接近大眾的消費能力。
在推出了一款ADI晶元的V2000之後，艾諾又推出了一款價格更實惠但功能不變的V2000SE
除了瑞芯微，君正華芯飛也可以說是國內微電子行業的另一匹黑馬。華芯飛的RMVB解決方案與其他公司的解決方案略有不同。實際上，這一解決方案是由兩家公司完成的，其主控晶元是由北京君正提供，而方案設計則是由華芯飛來完成。而這一解決方案也是目前解決方案中成本最低的方案。華芯飛的RMVB解決方案上，主要採用的主控晶元是由北京君正提供的JZ4740晶元。這一晶元是一款通用型32bit CPU，可以在WINCE或LINUX 操作系統上運行，而且功耗很低，在同等的資源下JZ4740功耗是其他主控晶元的50-70%。成本低、耗能低、性能較好，使得華芯飛在RMVB市場上佔取到了一片屬於自己的天空。
後話
芸芸十年間，我們從MPman F10走到如今的隨身多媒體設備與掌上電腦的結合(COWON Q5W)，在眼花繚亂的產品背後起著支撐作用的，正是微電子技術的蓬勃發展。國產廠商的進步我們有目共睹，但我們思維和技術與世界水平的差距同樣不可忽視。十年歲月，機器之多難以概全，方案之繁更難以盡訴。希望，往後的日子裡，科技的發展和市場的競爭，能為我們帶來更大的驚喜，讓我們的生活變得更加多姿多彩。
C. 晶元級存儲能給業界帶來哪些變化
SOC的核心思想，就是要把整個應用電子系統全部集成在一個晶元中。 對於眾志和達科技有限公司(SOUL)來說，他們的SOC是Storage-on-Chip，亦即晶元級存儲，就是沿用System-on-Chip的概念，將存儲系統的多個功能模塊集成到一個晶元中完成。這一技術的核心思想，也是要在單一晶元中嵌入軟體來實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持，同時保證優化後系統的高性能。 一些客戶對於存儲領域的SOC或許並不熟悉，據北京眾志和達信息技術有限公司CTO兼副總經理張衡介紹，存儲晶元技術(Storage-on-Chip) 通過帶有處理器內核和集成更多存儲功能的晶元，大幅提升了系統性能，設計靈活性，降低研發和更新換代的設計成本。這種速度，靈活性和成本優勢，為SOUL提供了堅實的技術實現平台，可為不同行業量身定製。此外，由於晶元級存儲通過晶元邏輯實現功能優化，不再依賴CPU和內存，是一次架構的革命，使功能優化和高性能一舉兩得。 北京眾志和達信息技術有限公司CTO兼副總經理張衡 變化一，性能與功能的跨越 「芯」架構具有四大優勢，這四種優勢可以為存儲產品帶來性能、可靠性以及功能方面的飛躍。 首先，性能的飛躍。晶元級訪問速度將單一存儲的性能從「百MB/s」提升至「GB/s」，其存儲功能由晶元邏輯實現，不會影響性能。其優化的控制器架構，能夠提升匯流排帶寬，改善內存交換，並且釋放更多的CPU資源，從而使得磁碟組可提供 GB/s 級的吞吐率。 第二，可靠性高。傳統的存儲系統結構復雜，各子系統繁多，因此出現故障的幾率也非常大，故障點多。而存儲晶元技術採用一體化硬體集成，結構簡單，使得故障點可以大大減少。 第三，靈活敏捷。傳統存儲系統只能做到軟體可定製，而存儲晶元技術則採用可編程晶元，實現硬體可定製，帶有各種處理器內核和集成更多處理能力的晶元，藉助通常被稱為「軟核處理器—硬體加速器」的FPGA技術，大幅提升系統性能，同時具有最高的設計靈活性，特別適於個性化產品開發。 第四，綠色節能及成本優勢。由於SOC靈活的架構，使得其擴展方便，較少受到局限，節省空間，減少電力消耗，從而帶來更好的性價比。 變化二，雲存儲更加集約化 雲計算作為一種服務的方式，成本是最具吸引力的因素之一。晶元級存儲技術通過一個晶元，經濟地實現高性能、多功能、跨平台和高智能，有效地降低了存儲的成本。 Storage-on-Chip支持多種硬體、多協議，具有可編程I/O和多處理器芯核設備, 從技術層面上，這就決定了晶元級存儲可以使存儲功能刀片化,並實現更加智能的存儲管理。例如，新一代Storage-on-Chip(晶元級存儲)可以同時給NAS(通常用於非結構化、文件級數據)和SAN(通常用於結構化、數據塊級數據)提供高性能，同時具有快速(IOPS)和大吞吐量的優勢，更為實現統一存儲提供了堅實的技術平台。
D. 選用2764 EPROM 存儲晶元，設計一個64KB的程序存儲器，寫出設計步驟…
4.2參見p.106-107
匯流排操作指的是發生在匯流排上的某些特定操作，匯流排周期指的是完成一次特定匯流排操作所需的時間。對8088而言其典型的匯流排周期由 4個T狀態組成。PC/XT所採用的時鍾頻率為4.77MHz，每個T狀態的持續時間為210ns。如果CLK引腳接5MHz的時鍾信號，那麼每個T狀態的持續時間為200ns。
4.4解答：
當8088進行讀寫存儲器或I/O介面時，如果存儲器或I/O介面無法滿足CPU的讀寫時序（來不及提供或讀取數據時），需要CPU插入等待狀態TW。（在T3前沿檢測Ready信號，若無效則插入TW 。）
具體在讀寫匯流排周期的T3和T4之間插入TW。
4.6參見p.99，p.110
8088的某些輸出線有三種狀態：高電平、低電平、懸空(高阻態)，稱為三態能力。在高阻狀態，CPU放棄其了對該引腳的控制權，由連接它的設備接管。
具有三態能力的引腳有：AD7~AD0，A15~A8，A19/S6~A16/S3，ALE，IO/M*，WR*，RD*，DEN*，DT/R*。
4.11
匯流排周期 IO/M* WR* RD*
存儲器讀 低 高 低
存儲器寫 低 低 高
I/O讀 高 高 低
I/O寫 高 低 高
4.12 答：
取該指令時引發存儲器讀匯流排操作。執行該指令時引發I/O讀匯流排操作。（時序圖略）
4.13 8088系統最小組態下，對指令ADD [2000H]，AX （長度3B）。
答：取該指令時需要3個匯流排周期，均為存儲器讀周期。
執行該指令時需要4個匯流排周期，2個為存儲器讀匯流排周期（讀出字操作數參與運算），2個為存儲器寫匯流排周期（保存16位運算結果）。
4.15 參見p.106圖
74LS373 的G為電平鎖存引腳，控制選通且轉為無效時鎖存數據。
OE* 輸出允許引腳，信號來自ALE。
4.16 參見p.106圖
數據收發器74LS245 是8位雙向緩沖器，G*控制端為低電平有效，可傳輸數據；DIR控制導通方向：DIR＝1，A→B；DIR＝0，A←B。
4.17 參見p.111-112
歸納為：1、8086數據匯流排變為16位，數據地址線復用為AD15~AD0。
2、8086指令隊列程度變為6位元組長，當有2個位元組空才取下一指令。
3、8088引腳IO/M* ，8086變為M/IO*；
4、引腳SS0* 變為BHE*/S7，BHE* 的作用是使D15~D8有效。
5、8086存儲器組織為奇偶分塊，偶地址取字只要讀1次，奇地址取字需要讀兩次。
6、I/O埠大都採用偶地址，目的是引導8位數據到低8位匯流排AD7~AD0上，以提高效率。
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5.1
Cache、主存和輔存的作用——參見 p.120～121
虛擬存儲器——參見p.121
在CPU看來，訪問主存和訪問輔存有什麼不同？
訪問主存：通過存儲器訪問機器指令，按字隨機訪問。
訪問輔存：通過操作系統，按塊順序訪問。
5.2 在半導體存儲器中，RAM指的是 隨機存取存儲器 ，它可讀可寫，但斷電後信息一般會 丟失 ；而ROM指的是 只讀存儲器 ，正常工作時只能從中 讀取 信息，但斷電後信息 不會丟失 。以EPROM晶元2764為例，其存儲容量為8K×8位，共有 8 條數據線和 13 條地址線。用它組成64KB的ROM存儲區共需 8 片2764晶元。
5.4 一個容量為4K×4位的假想RAM存儲晶元，他應該有多少根地址線引腳和多少根數據線引腳？如果讓你來進行設計，那麼它還需要哪些控制引腳？這些引腳分別起什麼樣的控製作用？
解答：
4K×4的晶元應該有12根地址線引腳和4根數據線引腳。
控制引腳應該有：
讀取信號OE*：有效時，表示讀取存儲單元的數據
寫入信號WE*：有效時，表示將數據寫入存儲單元
片選信號CS*：有效時，表示選中該晶元，可以進行讀寫操作。
5.7 什麼是存儲晶元的位擴充和地址擴充?採用靜態RAM的晶元2114（1K*4位）或動態RAM的晶元4116（16K*1位）來組成32KB的RAM存儲區，請問各需要多少晶元？在位方向和地址方向各需要進行什麼樣的擴充？
解答：（參見p.140） 使用多個晶元來擴充存儲數據位的寬度，稱為位擴充。
採用多個晶元在地址方向上進行擴充，稱為地址擴充或字擴充。
用SRAM 2114組成32KBRAM存儲區：2片為一組，得1KB，所以組成32KB就要32組，共需要64片SRAM 2114。
用DRAM 4116組成32KBRAM存儲區：8片為一組，得16KB，所以組成32KB只要2組，共需要16片DRAM 4116。
機床作為機械製造業的重要基礎裝備，它的發展一直引起人們的關注，由於計算機技術的興起，促使機床的控制信息出現了質的突破，導致了應用數字化技術進行柔性自動化控制的新一代機床－數控機床的誕生和發展。計算機的出現和應用，為人類提供了實現機械加工工藝過程自動化的理想手段。隨著計算機的發展，數控機床也得到迅速的發展和廣泛的應用，同時使人們對傳統的機床傳動及結構的概念發生了根本的轉變。數控機床以其優異的性能和精度、靈捷而多樣化的功能引起世人矚目，並開創機械產品向機電一體化發展的先河。 數控機床是以數字化的信息實現機床控制的機電一體化產品，它把刀具和工件之間的相對位置，機床電機的啟動和停止，主軸變速，工件松開和夾緊，刀具的選擇，冷卻泵的起停等各種操作和順序動作等信息用代碼化的數字記錄在控制介質上，然後將數字信息送入數控裝置或計算機，經過解碼，運算，發出各種指令控制機床伺服系統或其它的執行元件，加工出所需的工件。 數控機床與普通機床相比，其主要有以下的優點： 1. 適應性強，適合加工單件或小批量的復雜工件； 在數控機床上改變加工工件時，只需重新編制新工件的加工程序，就能實現新工件加工。 2. 加工精度高； 3. 生產效率高； 4. 減輕勞動強度，改善勞動條件； 5. 良好的經濟效益； 6. 有利於生產管理的現代化。 數控機床已成為我國市場需求的主流產品，需求量逐年激增。我國數控機機床近幾年在產業化和產品開發上取得了明顯的進步，特別是在機床的高速化、多軸化、復合化、精密化方面進步很大。但是，國產數控機床與先進國家的同類產品相比，還存在差距，還不能滿足國家建設的需要。 我國是一個機床大國，有三百多萬台普通機床。但機床的素質差，性能落後，單台機床的平均產值只有先進工業國家的1/10左右，差距太大，急待改造。 舊機床的數控化改造，顧名思義就是在普通機床上增加微機控制裝置，使其具有一定的自動化能力，以實現預定的加工工藝目標。 隨著數控機床越來越多的普及應用，數控機床的技術經濟效益為大家所理解。在國內工廠的技術改造中，機床的微機數控化改造已成為重要方面。許多工廠一面購置數控機床一面利用數控、數顯、PC技術改造普通機床，並取得了良好的經濟效益。我國經濟資源有限，國家大，機床需要量大，因此不可能拿出相當大的資金去購買新型的數控機床，而我國的舊機床很多，用經濟型數控系統改造普通機床，在投資少的情況下，使其既能滿足加工的需要，又能提高機床的自動化程度，比較符合我國的國情。 1984年，我國開始生產經濟型數控系統，並用於改造舊機床。到目前為止，已有很多廠家生產經濟型數控系統。可以預料，今後，機床的經濟型數控化改造將迅速發展和普及。所以說，本畢業設計實例具有典型性和實用性。 第二章 總體方案的設計 2.1 設計任務 本設計任務是對CA6140普通車床進行數控改造。利用微機對縱、橫向進給系統進行開環控制，縱向（Z向）脈沖當量為0.01mm/脈沖，橫向（X向）脈沖當量為0.005mm/脈沖，驅動元件採用步進電機，傳動系統採用滾珠絲杠副，刀架採用自動轉位刀架。 2.2 總體方案的論證 對於普通機床的經濟型數控改造，在確定總體設計方案時，應考慮在滿足設計要求的前提下，對機床的改動應盡可能少，以降低成本。 （1）數控系統運動方式的確定 數控系統按運動方式可分為點位控制系統、點位直線控制系統、連續控制系統。由於要求CA6140車床加工復雜輪廓零件，所以本微機數控系統採用兩軸聯動連續控制系統。 （2）伺服進給系統的改造設計 數控機床的伺服進給系統有開環、半閉環和閉環之分。 因為開環控制具有結構簡單、設計製造容易、控制精度較好、容易調試、價格便宜、使用維修方便等優點。所以，本設計決定採用開環控制系統。 （3）數控系統的硬體電路設計 任何一個數控系統都由硬體和軟體兩部分組成。硬體是數控系統的基礎，性能的好壞直接影響整體數控系統的工作性能。有了硬體，軟體才能有效地運行。 在設計的數控裝置中，CPU的選擇是關鍵，選擇CPU應考慮以下要素： 1. 時鍾頻率和字長與被控對象的運動速度和精度密切相關； 2. 可擴展存儲器的容量與數控功能的強弱相關； 3. I/O口擴展的能力與對外設控制的能力相關。 除此之外，還應根據數控系統的應用場合、控制對象以及各種性能、參數要求等，綜合起來考慮以確定CPU。在我國，普通機床數控改造方面應用較普遍的是Z80CPU和MCS-51系列單片機，主要是因為它們的配套晶元便宜，普及性、通用性強，製造和維修方便，完全能滿足經濟型數控機床的改造需要。本設計中是以MCS-51系列單片機，51系列相對48系列指令更豐富，相對96系列價格更便宜，51系列中，是無ROM的8051，8751是用EPROM代替ROM的8051。目前，工控機中應用最多的是8031單片機。本設計以8031晶元為核心，增加存儲器擴展電路、介面和面板操作開關組成的控制系統。 2.3 總體方案的確定 經總體設計方案的論證後，確定的CA6140車床經濟型數控改造示意圖如圖所示。CA6140車床的主軸轉速部分保留原機床的功能，即手動變速。車床的縱向（Z軸）和橫向（X軸）進給運動採用步進電機驅動。由8031單片機組成微機作為數控裝置的核心，由I/O介面、環形分配器與功率放大器一起控制步進電機轉動，經齒輪減速後帶動滾珠絲杠轉動，從而實現車床的縱向、橫向進給運動。刀架改成由微機控制的經電機驅動的自動控制的自動轉位刀架。為保持切削螺紋的功能，必須安裝主軸脈沖發生器，為此採用主軸靠同步齒形帶使脈沖發生器同步旋轉，發出兩路信號：每轉發出的脈沖個數和一個同步信號，經隔離電路以及I/O介面送給微機。如圖2－1所示： 第三章 微機數控系統硬體電路設計 3.1微機數控系統硬體電路總體方案設計 本系統選用8031CPU作為數控系統的中央處理機。外接一片2764EPROM，作為監控程序的程序存儲器和存放常用零件的加工程序。再選用一片6264RAM用於存放需要隨機修改的零件程序、工作參數。採用解碼法對擴展晶元進行定址，採用74LS138解碼器完成此功能。8279作為系統的輸入輸出口擴展，分別接鍵盤的輸入、輸出顯示，8255接步進電機的環形分配器，分別並行控制X軸和Z軸的步進電機。另外，還要考慮機床與單片機之間的光電隔離，功率放大電路等。其硬體框圖如圖3－1所示： 圖3－2 8031晶元內部結構圖 各引腳功能簡要介紹如下： ⒈ 源引腳 VSS：電源接地端。 VCC：＋5V電源端。 ⒉ 輸入/輸出（I/O）口線 8031單片機有P0、P1、P2、P3 4個埠，每個埠8根I/O線。當系統擴展外部存儲器時，P0口用來輸出低8位並行數據，P2口用來輸出高8位地址，P3口除可作為一個8位準雙向並行口外，還具有第二功能，各引腳第二功能定義如下： P3.0 RXD：串列數據輸入端。 P3.1 TXD：串列數據輸出端 P3.2 INT0：外部中斷0請求信號輸入端。 P3.3 INT1：外部中斷1請求信號輸入端。 P3.4 T0：定時器/計數器0外部輸入端 P3.5 T1：定時器/計數器1外部輸入端 P3.6 WR：外部數據存儲器寫選通。 P3.7 RD：外部數據存儲器讀選通。 在進行第二功能操作前，對第二功能的輸出鎖存器必須由程序置1。 ⒊ 信號控制線 RST/VPD：RST為復位信號線輸入引腳，在時鍾電路工作以後，該引腳上出現兩個機器周期以上的高電平，完成一次復位操作。 8031單片機採用兩種復位方式：一種是加電自動復位，另一種為開關復位。 ALE/PROG：ALE是地址鎖存允許信號。它的作用是把CPU從P0口分時送出的低8位地址鎖存在一個外加的鎖存器中。 ：外部程序存儲器讀選通信號。當其為低電平時有效。
VPP：當EA為高電平且PC值小於0FFFH時CPU執行內部程序存儲器中的程序。當EA為低電平時，CPU僅執行外部程序存儲器中的程序。 XTAL1：震盪器的反相放大器輸入，使用外部震盪器時必須接地； XTAL2：震盪器的反相放大器輸出，使用外部震盪器時，接收外圍震盪信號； （2）片外三匯流排結構 單片機在實際應用中，常常要擴展外部存儲器、I/O口等。單片機的引腳，除了電源、復位、時鍾輸入以及用戶I/O口外，其餘的引腳都是為了實現系統擴展而設置的，這些引腳構成了三匯流排形式： ⒈ 地址匯流排AB 地址匯流排寬度為16位。因此，外部存儲器直接定址范圍為64KB。由P0口經地址鎖存器提供16位地址匯流排的低8位地址（A7～A0），P2口直接提供高8位地址（A15～A8）。 ⒉ 數據匯流排DB 數據匯流排寬度為8位，由P0口提供。 ⒊ 控制匯流排CB 控制匯流排由第二功能狀態下的P3口和4根獨立的控制線RST、EA、ALE和PSEN組成。其引腳圖如圖3－3所示： 3.1.2 8255A可編程並行I/O口擴展晶元 8255A可編程並行I/O口擴展晶元可以直接與MCS系列單片機系統匯流排連接，它具有三個8位的並行I/O口，具有三種工作方式，通過編程能夠方便地採用無條件傳送、查詢傳送或中斷傳送方式完成CPU與外圍設備之間的信息交換。8255A的結構及引腳功能： 1、 8255A的結構 8255A的內部結構如圖3－4所示。其中包括三個8位並行數據I/O埠，二個工作方式控制電路，一個讀/寫控制邏輯電路和一個8位數據匯流排緩沖器。各部分功能介紹如下： （1） 三個8位並行I/O埠A、B、C A口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位數據輸入鎖存器。可編程為8位輸入、或8位輸出、或8位雙向寄存器。B口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位輸入或輸出寄存器，但不能雙向輸入/輸出。C口：具有一個8位數據輸出鎖存/緩沖器和一個8位數據輸入緩沖器，C口可分作兩個4位口，用於輸入或輸出，也可作為A口和B口選通方式工作時的狀態控制信號。 （2） 工作方式控制電路 A、B兩組控制電路把三個埠分成A、B兩組，A組控制A口各位和C口高四位，B組控制B口各位和C口低四位。兩組控制電路各有一個控制命令寄存器，用來接收由CPU寫入的控制字，以決定兩組埠的工作方式。也可根據控制字的要求對C口按位清「0」或置「1」。 （3） 讀/寫控制邏輯電路 它接收來自CPU的地址信號及一些控制信號，控制各個口的工作狀態。 （4） 數據匯流排緩沖器 它是一個三態雙向緩沖器，用於和系統的數據匯流排直接相連，以實現CPU和8255A之間信息的傳送。
E. 存儲晶元NAND Flash封裝EMI遮蔽技術未來如何走下去
即嵌入式系統（ Embedded Systems） ，是一種以應用為中心、以微處理器為基礎，軟硬體可裁剪的，適應應用系統對功能、可靠性、成本、體積、功耗等綜合性嚴格要求的專用計算機系統。它一般由嵌入式微處理器、外圍硬體設備、嵌入式操作系統以及用戶的應用程序等四個部分組成。它是計算機市場中增長最快的領域，也是種類繁多，形態多種多樣的計算機系統。嵌入式系統幾乎包括了生活中的所有電器設備，如掌上pda、計算器、電視機頂盒、手機、數字電視、多媒體播放器、汽車、微波爐、數字相機、家庭自動化系統、電梯、空調、安全系統、自動售貨機、蜂窩式電話、消費電子設備、工業自動化儀表與
F. 請問「RAM晶元的規格所表示的含義」到底是什麼規格呢謝謝大家
1.內存的基礎知識 RAM技術詞彙
CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器 CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器 DRAM-Dynamic RAM——動態存儲器 EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態存儲器 EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器 EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數據模式靜態存儲器 EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數據模式視頻存儲器 FPM-Fast Page Mode——快速頁模式 FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器 SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態存儲器 SRAM-Static RAM——靜態存儲器 SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器 3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器 VRAM-Video RAM——視頻存儲器 WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優於VRAM) MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態存儲器 SGRAM-Signal RAM——單口存儲器
存儲器有哪些主要技術指標
存儲器是具有「記憶」功能的設備，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進制數碼 「0」和「1」，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、 MOS電路或電容器等。 位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一 個位元組(Byte)，可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體(MemoryBank)。為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩 回事。 根據存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數據掉電後就會丟失，而掉電後ROM中 的數據可保持不變。因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等.存儲器的特性由它的技術參數來描述。
存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾十M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。 存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。 存儲器的可*性：存儲器的可*性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可*性越高，即保持正確工作能力越強。 性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可*性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的 指標。
G. 內存條編號和具體意思！
3D RAM(3 DIMESION RAM)： 三維視頻處理器專用存儲器
CDRAM(Cached DRAM)：高速緩存存儲器
CVRAM(Cached VRAM)：高速緩存視頻存儲器
DRAM(Dynamic RAM)：動態存儲器 一種隨機存取記憶體 (RAM)，記憶體不會一直保存記憶內容，會隨著時間而將內容流失，技術上來說就是，記憶體必須不斷的重新的加強 (REFRESHED) 電位差量，否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現每一個記憶單位處於何種狀態。價格較靜態記憶體 (SRAM) 便宜，但存取速度較慢，耗電量較大。
EDRAM (Enhanced DRAM)： 增強型動態存儲器
EDO RAM(Extended Date Out RAM)：擴展數據模式存儲器
EDO SRAM(Extended Date Out SRAM)：擴展數據模式靜態存儲器
EDO VRAM(Extended Date Out VRAM)：擴展數據模式視頻存儲器
FPM RAM(Fast Page Mode)：快速頁模式DRAM，當一個存取與前一次存取為同一記憶體頁 (PAGE) 時，不用傳輸 ROW 地址以加快存取速度。 由於以頁為單位加速，又稱為 PAGE MODE MEMORY，存取速度從 120 NS 到 60 NS。 FPM 技術在 EDO DRAM 技術出現之前是最常見的 DRAM 種類。
FRAM(Ferro electric RAM)： 鐵電體存儲器
MDRAM(Multi Bank DRAM)：多槽動態存儲器由 MOSYS 公司所發展的記憶體 (MEMORY) 架構，與傳統架構不同的是 MDRAM 將 BANK 的容量縮小，並使每一個 BANK 使用獨立的匯流排 (BUS) 輸出入埠 (I/O PORT)，這樣的結果是 MDRAM 能同時存取數個 BANK，使資料的讀寫速度加快，並且能夠用較小的數量增加記憶體。
NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)：中斷電源時仍能保存資料的隨機存取記憶體 (RAM)。
SDRAM(Synchronous DRAM)：同步動態存儲器:一種能夠與處理器 (CPU) 匯流排 (BUS) 同步運作，時脈可達 66,100,133 MHZ 的 DRAM，並能夠同時開啟兩個記憶體頁 (PAGE)。
SGRAM(Signal RAM)：單口存儲器
SRAM(Static RAM)： 靜態存儲器:一種隨機存取記憶體 (RAM)，存取速度比 PB SRRAM(Pipeline Burst SRAM):一種支援 PIPELINED 與沖刺模式 (BURST) 的DRAM 快，不像 DRAM 需要不停的 REFRESH，但製造成本較高，通常用來作為快取 (CACHE) 記憶體使用
SVRAM(Synchronous VRAM)： 同步視頻存儲器
VRAM(Video RAM)：視頻存儲器:專為繪圖影像卡 (VIDEO ADAPTER) 所設計的隨機存取記憶體 (RAM)，與一般 RAM 不同的是，VRAM 能夠使 RAMDAC 能夠與影像處理器 (PROCESSOR) 同時存取資料，加速圖像的顯示。
WRAM(Windows RAM)：視頻存儲器(圖形處理能力優於VRAM)有與 VRAM 類似的特性，但速度表現比 VRAM 更佳。
PC100 PC100內存條
按照Intel的定義
PC100 SDRAM規范包含：內存條上電路的各部分線長最大值與最小值；電路線寬與間距的精確規格；保證6層PCB板製作（分別為：信號層、電源層、信號層、基層、信號層），具備完整的電源層與地線層；具備每層電路板間距離的詳細規格；精確符合發送、載入、終止等請求的時間；詳細的EEPROM編程規格；詳細的SDRAM組成規格；特殊的標記要求；電磁干擾抑制；可選鍍金印刷電路板。
凡是時鍾周期TCK≤10ns,存取時間TAC≤6ns，主板時鍾頻率設置在100MHz下，並且在BIOS中Chipset Features Setup選項里SDRAM CASLatency Time（CAS延遲時間）中，CAS可設為2或3並帶SPD的SDRAM內存條都是PC100內存條。
從外觀上來看，PC100內存條最典型的特徵是正面右上角的8腳SOIC封裝的小晶元，這就是SPD晶元，如果你沒看到這個SPD晶元，板上只留了8個焊點，那麼這就不是PC100，但並不是說此內存條無法穩定工作在100MHz.
PC100內存條編號
表示為：PCX-ABC-DEF的形式。
1、X代表工作頻率，66MHz或100MHz等
2、A代表最小的CAS Latency數，時鍾數一般為2或3
3、B代表最小的tRCD（RAS相對CAS的延時）時間，時鍾數一般是2
4、C代表最小tRP（RAS預充電時間），時鍾數一般是2
5、D代表最大tAC（Access time from CLK）時間，多為6ns、7ns等數值
6、E代表SPD的版本號V1.2
7、F是一個保留值為0。
PC133 PC133 SDRAM
由台灣VIA威盛公司制定的。133MHz的工作環境下正常工作，在其系統時鍾周期tCK(System clock cycle time)的數值的規格部分必須至少為7.5ns，tAC不超過5.4ns,工作頻率為133MHz。對於PC133 SDRAM來說，在CAS Latency=3，能正常工作，但在CL=2，外頻為133MHz的時並不能保證能正常工作。
PC133 SDRAM 的數據帶寬 1.06 GB/s(64 bit/8 x 133 MHz)，比 Direct RAMBUS DRAM 的 1.6 GB/s 低，但PC133 SDRAM是PC100 SDRAM 的延伸。
SPD（串列存在檢測）
SPD（串列存在檢測）是許多SDRAM DIMM模塊所具有的新功能，它使BIOS能夠更容易地配置系統以適應SDRAM的性能參數。
，通常是1個8針的SOIC封裝（3mm*4mm）型號多為24LC01B，位置一般處在內存條正面的右側，裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址寬等信息。
SPD(Serial Presence Detect串列存在檢測)設備是一個8腳的串列EEPROM晶元（Electrically Erasable Programmable ROM電可擦寫存儲器），其中存儲著DIMM模塊的容量、速度、電壓以及行、列地址帶寬等參數信息。BIOS在上電檢測階段讀取這些參數，然後自動地調整CMOS有關選項，從而獲得最高的性能和可靠性。
沒有SPD，在使用EDO DIMM時不會有問題，由於SDRAM以EDO RAM兩倍的速度工作,使用沒有SPD的SDRAM DIMM時系統無法啟動。
帶有SPD的DIMM的正面靠右邊的地方有一個8腳3mm*4mm的SOIC封裝的256位元組的EEPROM小晶元。型號以24LC01B居多。帶有SPD的DIMM能夠用於所有支持SDRAM的主板，有些主板要求SDRAM必須帶有SPD。
內存晶元的標識
內存晶元的標識中通常包括：廠商代號、單片容量、晶元類型、工作速度、生產日期等，以及電壓、容量系數和特殊標識。
以「??XXX64160AT-10」為例，「??」是廠商的標志代號。
1、廠商代號：
AAA NMB
BM IBM
HM Hitachi日立
HY Hyundai 現代電子
HYB Siemens 西門子
GM LG-Semicon
KM或M Samsung 三星
LH SHARP 夏普
M5M Hitsubishi
MB Fujitsu 富士通
MCM Motorola
MN Matsushita
MSM OKI
MT Micron 美凱龍
NN NPNX
TC或TD Toshiba東芝
TI TMS德州儀器
uPD NEC日電
2、xxx 廠商內部標識
3、64是指64Mbit的容量 注意是bit[位]，而不是Byte[位元組]
4、16表示每塊小晶元的位數是16位，對於現在64位的匯流排系統，需4片這樣的晶元才能構成可用的SIMM內存條:64Mbit/8*(64/16)=32MB，它就是32MB的內存。如果SIMM內存條上有8片這樣的小晶元，當然就是8/4*32=128MB一條的內存。
5、0表示這是一條SDRAM；
6、「-」後的數字表示晶元的系統時鍾周期或存取時間。通常在「-」前的第一個數字標示的是內存的類型標識，單數是EDO RAM，雙數則是SDRAM。
位組(Byte):，一組二進位 (BINARY) 的位 (BIT) 集合。
通常稱 8 個位為一個位組，但是這只是習慣，而大部分的系統也都定義 8 個位為一個位組，其它數目的位組定義也可以使用，只是可能會產生誤解。
位組的計量單位有:
1。 KILOBYTE，KB，2 的 10 次方 : 1024 BYTE。
2。 MEGABYTE，MB，2 的 20 次方 : 1048576 BYTE，或 1024 KBYTE。
3。 GIGABYTE，GB，2 的 30 次方 : 1073741824 BYTE，或 1024 MEGABYTE。
4。 TERABYTE，TB，2 的 40 次方 : 1099511627776 BYTE，或 1024 GIGABYTE。
5。 PETABYTE，2 的 50 次方 : 1125899906842624 BYTE，或 1024 TERABYTE。
6。 EXABYTE，2 的 60 次方 : 1152921504606846976 BYTE，或 1024 PETABYTE。
7。 ZETTABYTE，2 的 70 次方 : 1024 EXABYTE。
8。 YOTTABYTE，2 的 80 次方 : 1024 ZETTABYTE。
內存(Memory):記憶體，儲存資料的裝置，主要分為為 RAM 或 ROM。
SIMM(Single In_Line Memory Mole):一種將記憶體 (MEMORY) 晶元 (CHIP) 焊在表面的電路板模組，使記憶體的安裝與拆除較直接安裝晶元為容易。SIMM 的資料寬度為 32 位 (BIT)，而一種新技術稱為 DIMM 的記憶體模組，資料寬度為 64 位
DIMM (Dual In-Line Memory Mole):將數個記憶體 (MEMORY) 晶元 (CHIP) 裝於一塊電路板上的記憶體模組，DIMM 的資料信道寬度是 SIMM 的兩倍，為 64 位 (BIT)。
ECC (Error-Correcting Code):一種含有特殊電路，能夠自我檢查錯誤及更正的記憶體 (MEMORY)。
時鍾周期：它代表RAM所能運行的最大頻率，這個數字越小說明所能運行的頻率就越高。對於一片普通的PC-100 SDRAM來說，它晶元上的標識-10代表了它的運行時鍾周期為10ns，即可以在100MHZ的外頻下正常工作。
存取時間：代表讀取數據所延遲的時間。目前大多數SDRAM晶元的存取時間為7、8或10ns。
CAS的延遲時間。這是縱向地址脈沖的反應時間,也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。如PC133的SDRAM在外頻為133MHz時，能運行在CAS Latency = 3，也就是說這時它們讀取數據的延遲時間可以是三個時鍾周期。