Ⅰ 在8086最小系統匯流排上設計16KB的SRAM存儲器存儲器電路。SRAM晶元選用6264，起始地址
8086最小系統匯流排上涉及他的一個儲存器的重要性電路
Ⅱ 微機原理，關於存儲晶元6264的一道題！謝謝解答
6264容量為8KB，即8192Byte, 片內定址需用13根地址線：
A12～A0為： 0 0000 0000 0000b ～1 1111 1111 1111b,
.
若圖中標出的138輸出腳是Y6：
A15A14A13A應為110,
6264地址范圍：1100 0000 0000 0000b ～1101 1111 1111 1111b
即：C000h ～DFFFh
Ⅲ MCS-51單片機系統採用6264擴展程序存儲器,用線選法最多可擴展幾片晶元
6264不能當做程序存儲器，只能用來擴展數據存儲器。
用線選法是利用「高位地址線」直接連接到RAM晶元的片選端。
6264晶元本身要用13條地址線，MCS-51單片機還剩3條高位地址線，所以最多可擴展3片6264。
3塊晶元的地址范圍分別是：
6000-7FFF
A000-BFFF
C000-DFFF
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樓上說是8片，那是採用了解碼法，而不是線選法。
Ⅳ 關於內存儲器的問題，典型靜態RAM晶元6264內部問題
16根地址線可以確定64Kb的存儲空間，13根可以確定8kb的空間。地址范圍為0000——1FFF;
1FFF化為十進制為8191，加上起始地址0000共8192個存儲單元。
Ⅳ 某8086 系統用2764ROM晶元和6264SRAM晶元構成16KB的內存。其中，RAM的地址范
摘要 很高興為您解答親 1 2764ROM晶元的片選是 A19A18A17A16A15A14A13= 0001111
Ⅵ 用 4 片存儲器 SRAM6264 晶元構成與 CPU 系統連接，設計出存儲器與系統連接圖
1）CPU可訪問的最大存儲空間看地址位數地址匯流排18條故2^18 2）CPU可提供數據匯流排8條存儲空間為16KB故要拼湊一個16K*8--->（16K*8）/（4K×4 ）=8 3）要求用138解碼器實現地址解碼應該就是3-8解碼器那麼有3根地址線做解碼輸入。
Ⅶ 在8086系統中,用6264晶元組成一個16k的存儲器,可用來產生片選信號的地址線
簡單說。6264是一種8K×8的靜態存儲器，本身的地址線就有13根；
A12A11...A0，其定址范圍為 2^13=8192（=8k）；
而8086晶元有20根地址線，如果用低位地址線 A12A11...A0共13根作為6264的定址數據線，
那麼餘下的地址線 A19A18...A13 共7根地址線則可用於產生6264的片選信號；
（注意：不是你說的A19A18...A14 6根地址線）
那麼在採用自然序列定址時，則
A19A18...A14=0，A13=0 時作為第一片6264的片選信號，可定址范圍 0--8191；
A19A18...A14=0，A13=1 時作為第二片6264的片選信號，可定址范圍 8192--16383；
將得到唯一的6264片選信號；
Ⅷ 單片機求晶元地址范圍
1）圖示可知，P0口對應著6264、8255的D0-D7數據口，同時P0則通過373給6264、8255輸出地址數據；
因為6264晶元沒有地址鎖存功能，就是說在訪問6264時地址線數據必須保持不變，才能正確讀寫數據；
對於單片機來說，訪問外部存儲器是通過P0、P2來提供16位地址數據，P0輸出低8位、P2輸出高8位地址數據，同時通過時分方式，P0也就同時作為數據介面。那麼在訪問時要保持地址線數據不變，則高位地址P2可以保持不變，但是低位地址就只能通過373來保持，這樣才能釋放P0用來傳輸數據；
2）ALE---地址鎖存信號，當地址數據輸出後，內部電路自動產生ALE信號，把P0數據鎖存到373中，在後續的讀寫周期中，373與P2的數據是不變的；
3）如圖示
Ⅸ 用2114、6116、6264分別組成容量為64K*8位的存儲器，各需多少晶元
2114是1K×4的SRAM晶元，需要64×2＝128個晶元，地址需要10位作為片內地址選擇線，6位作為晶元選擇線。
6116是2K×8的SRAM晶元，需要32個晶元，地址需要11位作為片內地址選擇線，5位作為晶元選擇線。
6264是8K×8的SRAM晶元，需要8個晶元，地址需要13位作為片內地址選擇線，3位作為晶元選擇線。
Ⅹ 單片機為什麼6264是13根地址線其中晶元容量與地址線之間什麼關系
Intel6264晶元使用13根地址線的原因是晶元容量為8KB，需要13根地址線（2^13=8K）才可以完成定址為8K大小。
Intel 6264的容量為8KB，是28引腳雙列直插式晶元，採用CMOS工藝製造。
A12～A0（address inputs）：地址線，可定址8KB的存儲空間。
D7～D0（data bus）：數據線，雙向，三態。
OE（output enable）：讀出允許信號，輸入，低電平有效。
WE（write enable）：寫允許信號，輸入，低電平有效。
CE1（chip enable）：片選信號1，輸入，在讀/寫方式時為低電平。
CE2（chip enable）：片選信號2，輸入，在讀/寫方式時為高電平。
VCC：+5V工作電壓。
GND：信號地。