㈠ 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點
1、隨機存儲器
對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。
2、只讀存儲器
用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。
特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。
3、串列存儲器
它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。
特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
(1)大規模集成電路的存儲器擴展閱讀：
半導體存儲器優點
1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。
2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。
3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。
㈡ 可編程序控制器採用大規模集成電路構成的（）和存儲器來組成邏輯部分 a運算器 B微處理器 C
實幹家在沙漠里也能開墾出綠洲，懶惰者在沃野上也不會獲得豐收。
不舉步，越不守柵欄，不邁腿，登不上高山。
㈢ 超大規模集成電路的分類
集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路、特大規模集成電路和巨大規模集成電路等。
小規模集成電路於1960年出現，在一塊矽片上包含10-100個元件或1-10個邏輯門。如 邏輯門和觸發器等。如果用小規模數字集成電路(SSI)進行設計組合邏輯電路時，是以門電路作為電路的基本單元，所以邏輯函數的化簡應使使用的門電路的數目最少，而且門的輸入端數目也最少。
中規模集成電路（Medium Scale Integration：MSI）
1966年出現，在一塊矽片上包含100-1000個元件或10-100個邏輯門。如 ：集成計時器，寄存器，解碼器等。
如果選用中規模集成電路(MSI)設計組合邏輯電路時，則以所用集成電路個數最少，品種最少，同時集成電路間的連線也最少。這往往需將邏輯函數表達式變換成選用電路所要求的表達形式，有時可直接用標准範式。
MSI中規模組合邏輯器件功能雖然比小規模集成電路SSI強，但也不像大規模集成電路LSI那樣功能專一化，這些器件產品的品種雖然不少，但也不可能完全符合使用者的要求，這就需要將多片級聯以擴展其功能，而且還可以用一些標準的中規模繼承組件來實現其它一些組合邏輯電路的設計。用中規模集成組件來進行組合邏輯電路設計時，其方法是選擇合適的MSI後，將實際問題轉化後的邏輯表達式變換為響應的MSI的表達形式。用MSI設計的組合邏輯電路與用門電路設計的組合邏輯電路相比，不僅體積小，重量較輕，而且提高了工作的可靠性。
中規模數據選擇起的級聯可擴展其選擇數據的路數，其功能擴展不僅可用於組合邏輯電路，而且還可用於時序邏輯電路。在組合邏輯電路中主要有以下應用：
（1）級聯擴展，以增加選擇的路數、位數，可實現由多位到多位的數據傳送；
（2）作邏輯函數發生器，用以實現任意組合邏輯電路的設計。
大規模集成電路(Large Scale Integrated circuits：LSI)
1970年出現，在一塊矽片上包含103-105個元件或100-10000個邏輯門。如 ：半導體存儲器，某些計算機外設。628512，628128（128K）最大容量1G。
超大規模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits：VLSI)
在一塊晶元上集成的元件數超過10萬個，或門電路數超過萬門的集成電路，稱為超大規模集成電路。超大規模集成電路是20世紀70年代後期研製成功的，主要用於製造存儲器和微處理機。64k位隨機存取存儲器是第一代超大規模集成電路，大約包含15萬個元件，線寬為3微米。
超大規模集成電路的集成度已達到600萬個晶體管，線寬達到0.3微米。用超大規模集成電路製造的電子設備，體積小、重量輕、功耗低、可靠性高。利用超大規模集成電路技術可以將一個電子分系統乃至整個電子系統「集成」在一塊晶元上，完成信息採集、處理、存儲等多種功能。例如，可以將整個386微處理機電路集成在一塊晶元上，集成度達250萬個晶體管。超大規模集成電路研製成功，是微電子技術的一次飛躍，大大推動了電子技術的進步，從而帶動了軍事技術和民用技術的發展。超大規模集成電路已成為衡量一個國家科學技術和工業發展水平的重要標志，也是世界主要工業國家，特別是美國和日本競爭最激烈的一個領域。
特大規模集成電路(Ultra Large-Scale Integration：ULSI)
1993年隨著集成了1000萬個晶體管的16M FLASH和256M DRAM的研製成功，進入了特大規模集成電路ULSI (Ultra Large-Scale Integration)時代。特大規模集成電路的集成組件數在107～109個之間。
ULSI電路集成度的迅速增長主要取決於以下兩個因素：一是完美晶體生長技術已達到極高的水平；二是製造設備不斷完善，加工精度、自動化程度和可靠性的提高已使器件尺寸進入深亞微米級領域。硅單晶制備技術可使晶體徑向參數均勻，體內微缺陷減少，0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少於0.05個/平方厘米。對電路加工過程中誘生的缺陷理論模型也有了較為完整的認識，由此發展了一整套完美晶體的加工工藝。生產電路用的矽片直徑的不斷增大，導致生產效率大幅度提高，矽片的直徑尺寸已達到12英寸。微缺陷的減少使晶元成品率增加，0.02個/平方厘米缺陷的矽片可使256MB DRAM的成品率達到80~90%。
巨大規模集成電路（Giga Scale Integration：GSI）
1994年由於集成1億個元件的1G DRAM的研製成功，進入巨大規模集成電路GSI（Giga Scale Integration）時代。巨大規模集成電路的集成組件數在109以上。
㈣ 電子計算機中的CMOS存儲器和高速緩存有什麼作用
題主，CMOS只是個技術名稱，它是指製造大規模集成電路晶元用的一種技術或用這種技術製造出來的晶元，是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM晶元。因為可讀寫的特性，所以在電腦主板上用來保存BIOS設置完電腦硬體參數後的數據，這個晶元僅僅是用來存放數據的。
高速緩沖存儲器（Cache）其原始意義是指存取速度比一般隨機存取記憶體（RAM）來得快的一種RAM，一般而言它不像系統主記憶體那樣使用DRAM技術，而使用昂貴但較快速的SRAM技術，也有快取記憶體的名稱。
㈤ 計算機存儲器可分為哪幾類它們的主要區別是什麼
計算機存儲器可分為內存和外存兩大類。
內存和外存的區別：
1、兩者在性質上不同：
外儲存器是指除計算機內存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電後仍然能保存數據。常見的外存儲器有硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
內存是指計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。
2、兩者在信息的存儲上不同：
在電腦執行完作業以後，內存這個存儲設備是不用存儲任何信息的。因此在內存里沒有任何的信息的，無法在內存里找到所需要的內容。不可能保存在內存條上的。
而保存的信息只能保存U盤、軟盤等外部存儲器上的。同時外部存儲器容量大而且攜帶方便，可以隨時找到自已想要的存儲信息。
3、兩者的運行速度不同：
外部存儲器能夠長期保存數據，交換速度相對較慢，而內存的交換速度非常快，但不能永久保存文件，斷電文件消失。
內存僅僅是作為一個臨時存儲設備，在計算數據或執行程序時，是一個臨時的存儲記憶設備。在日常生活中，不適合做長期存儲設備，因此使用時間受到了限制。
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內存的工作速度和存儲容量對系統的整體性能、系統所能解決問題的規模和效率都有很大的影響。內存是採用大規模集成電路製成的半導體存儲器，可分為隨機存取存儲器RAM和只讀存儲器ROM兩種。
RAM中的信息可隨機地讀出或寫入，但信息不能持久保存，一旦關機（斷電）後，RAM中的信息不再保存。隨機存取存儲器所採用的存儲單元工作原理的不同又分為靜態隨機存儲器SRAM和靜態隨機存儲器DRAM。
SRAM採用穩態電路（如觸發器）作為存儲單元，在正常工作狀態下信息存入，能夠穩定保持，可供多次讀取，存取速度比DRAM快，但因單元電路比較復雜，集成度比DRAM低，價格也較高。
㈥ cmos 屬於什麼種類的存儲器
CMOS一塊專用的可讀寫存儲器,用來存儲電腦的BIOS設置。
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconctor（互補金屬氧化物半導體）的縮寫。它是指製造大規模集成電路晶元用的一種技術或用這種技術製造出來的晶元，是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM晶元。因為可讀寫的特性，所以在電腦主板上用來保存BIOS設置完電腦硬體參數後的數據，這個晶元僅僅是用來存放數據的。
㈦ 第四代計算機的CPU採用的大規模集成電路的英文縮寫
超大規模集成電路，英文縮寫是VLSI，全稱是Very Large Scale Integration。
64k位隨機存取存儲器是第一代超大規模集成電路，大約包含15萬個元件，線寬為3微米。超大規模集成電路的集成度已達到600萬個晶體管，線寬達到0.3微米。
用超大規模集成電路製造的電子設備，體積小、重量輕、功耗低、可靠性高。
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CPU出現在大規模集成電路時代。處理器架構設計的迭代更新和集成電路技術的不斷改進促進了它的不斷發展和完善。
cpu已經進化迅速創立以來，從主要專業數學計算被廣泛用於通用計算，4比特處理器8位、16位、32位處理器，64位處理器，從供應商相互不兼容的出現不同的指令集架構規范。
㈧ 目前計算機使用的處理器和存儲器晶元主要是什麼電路
目前計算機使用的處理器和存儲器晶元主要是VLSI超大規模集成電路。
超大規模集成電路（ Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）是一種將大量晶體管組合到單一晶元的集成電路，其集成度大於大規模集成電路。
集成的晶體管數在不同的標准中有所不同。從1970年代開始，隨著復雜的半導體以及通信技術的發展，集成電路的研究、發展也逐步展開。
計算機里的控制核心微處理器就是超大規模集成電路的最典型實例，超大規模集成電路設計（ VLSI design），尤其是數字集成電路，通常採用電子設計自動化的方式進行，已經成為計算機工程的重要分支之一。
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世界上超大規模集成電路廠（Integrated Circuit， 簡稱IC，台灣稱之為晶圓廠）主要集中分布於美國、日本、西歐、新加坡及台灣等少數發達國家和地區，其中台灣地區佔有舉足輕重的地位。
但由於近年來台灣地區歷經地震、金融危機、政府更迭等一系列事件影響，使得本來就存在資源匱乏、市場狹小、人心浮動的台灣島更加動盪不安，於是就引發了一場晶圓廠外遷的風潮。而具有幅員遼闊、資源充足、巨大潛在市場、充沛的人力資源供給等方面優勢的祖國大陸當然順理成章地成為了其首選的遷往地。
㈨ 計算機存儲器可分為哪幾類只要區別是什麼
計算機存儲器可分為內存和外存兩大類。
內存和外存的區別：
1，性質不同：
外部存儲器是指除計算機存儲器和CPU緩存以外的存儲器，在斷電後仍能存儲數據。常用外存包括硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
存儲器是計算機中最重要的部件之一。它是與CPU通信的橋梁。計算機中的所有程序都在內存中運行，因此內存的性能對計算機有很大的影響。
2，信息存儲方面不同：
計算機完成作業後，內存存儲設備不需要存儲任何信息。因此，如果內存中沒有信息，則在內存中找不到所需的內容。無法保存在內存模塊上。
保存的信息只能保存在外部存儲器中，如U盤和軟盤。同時，外部存儲容量大，便於攜帶，您可以隨時找到想要的存儲信息。
3，兩者的運行速度不同：
外部存儲器可以長期保存數據，交換速度比較慢，存儲器的交換速度很快，但文件不能永久保存，斷電文件消失。
內存作為一種臨時存儲設備，在計算數據或執行程序時是一種臨時存儲設備。在日常生活中，它不適合長期存儲設備，因此使用時間有限。
(9)大規模集成電路的存儲器擴展閱讀：
內存的工作速度和存儲容量對系統的整體性能、系統的規模和效率都有很大的影響。存儲器是由大規模集成電路構成的半導體存儲器。它可以分為RAM和ROM。
RAM中的信息可以隨機讀寫，但不能長期保存。一旦電源關閉，RAM中的信息將不會被保存。
隨機存取存儲器所採用的存儲單元工作原理的不同又分為靜態隨機存儲器SRAM和靜態隨機存器DRAM。
SRAM採用穩態電路（如觸發器）作為存儲單元，在正常工作狀態下存儲信息，保持穩定，可多次讀取，存取速度比DRAM快，但由於單元電路的復雜性，集成度低於DRAM，價格較高。
㈩ 存儲器晶元屬於哪種集成電路
集成電路的分類法很多，存儲器晶元屬於大規模數字集成電路。