⑴ 筆記本拓展好選擇 閃迪至尊高速 M.2 3D固態硬碟評測
伴隨著QLC 3D NAND技術的成熟，目前固態硬碟正式進入大容量TB時代，不論是新發布的筆記本電腦、還是台式整機，1TB以上容量的固態硬碟配置已經開始普及，近期閃迪推出了針對廣大消費級用戶的閃迪至尊高速 M.2 NVMe 3D固態硬碟，性能出眾，並且單面顆粒排布的形式更加適合筆記本電腦升級。
今天我們就來和大家一起來評測一下這款固態硬碟，首先我們來看一下這款SSD的外觀。
第三款軟體是ATTO Disk Benchmark，最終我們看到這款軟體，這款固態硬碟的順序讀取成績為2440MB/S，順序寫入成績為1959MB/S，這樣的成績表現出色。
寫在最後：閃迪至尊高速 M.2 NVMe 3D固態硬碟 1TB採用2280標准規格，兼容目前絕大部分的DIY主板和筆記本電腦，並且單面單顆1TB容量的設計讓這款固態硬碟非常的輕薄，非常適合空間緊張的筆記本電腦升級，並且2400MB/S的速度，基本達到目前主流的NVMe協議固態硬碟的水準，在日常應用中能夠帶來更快速度的應用打開速度和游戲載入速度，對於廣大主流的用戶來講，不足千元的親民價格非常值得選購。
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⑵ 3D NAND快閃記憶體市場 長江存儲如何破圍而出
繼續創新，努力發展。中國產一直是物美價廉的標志，特別是在長江存儲發布128層QLC 3D NAND快閃記憶體以後，確實有了可以和進口一較高低的能力，但是需要虛心前行，腳踏實地。
⑶ 如何評價英特爾 Intel 660P 系列固態硬碟
英特爾固態盤 660p 系列是英特爾首款採用先進 QLC（四層單元）NAND 技術的固態盤。它旨在提供諸如網上沖浪、辦公和居家工作以及媒體娛樂等客戶端平台使用所需的性能。
隨著快閃記憶體顆粒技術的不斷進步，市場順利從SLC、MLC成功跳躍至TLC，幾年來的事實證明，TLC的穩定性和性能表現令人滿意，足以應付主流消費者需求，為接下來的QLC普及開了好頭。
在2018全球快閃記憶體技術峰會上，intel（英特爾）推出旗下第一款QLC存消費級SSD——SSD 660P，是600P的升級版，定位介於600p及700p之間，能滿足主流玩家市場需求。
全新SSD 660P有512GB、1TB、2TB三種容量，均提供5年質保。intel 660P採用M.2 2280規格，主控未知，基於高密度3D QLC NAND 顆粒，提供512GB/1TB/2TB三種容量。
走PCI-E 3.0 x4通道，支持NVMe 1.3協議，最高連續讀取可達1800MB/s，寫入1100MB/s，4K隨機讀寫為150K IOPS。
此次所搭載的是64層3D QLC顆粒，相比TLC容量增加了33%，單顆粒最高可達到256GB或512GB。
關於QLC最關心的壽命問題，官方表示該64層3D QLC顆粒P/E循環約為1000次左右，比TLC略少一些，面向主流一般市場。
這類產品主要是依靠大容量和高性價比來搶佔主流市場，可以預見接下來市場中高容量QLC SSD將進一步滲透。
⑷ MLC、TLC和QLC三種不同的SSD怎麼選
mlc的一般買不起，qlc的便宜但壽命不太好，tlc的有不錯的，西數sn550，sn750，三星pm981a等等是買得起的不錯的，中端與高端的。低端的話，紫光p100，SATA介面的，相對便宜的多，國產存儲晶元。
⑸ 聯芸科技上市了嗎
聯芸科技上市了。
聯芸科技(Maxio)作為國產SSD主控晶元重要生產商，陸續推出了多種控制晶元優質解決方案，並上市後得到了市場的廣泛認可。
而這次聯芸科技也將繼續與海康存儲合作，推出搭載MAP1202主控晶元的固態硬碟CC500。海康存儲作為海康威視存儲業務的高端品牌，旨在打造高性價比的存儲類產品。
聯芸科技是全球固態存儲控制晶元產業的標桿企業之一，也是為數不多掌握NAND Flash控制晶元核心關鍵技術企業之一，其致力於為固態存儲領域提供業界領先的高性能存儲解決方案。
對NAND Flash特性的持續深度研究，聯芸科技獨特的快閃記憶體自適配專利技術處於全球領先地位，支持Intel、Kioxia 、Micron、Samsung、SK Hynix、WD、YMTC（按照英文字母先後順序排列）推出的全部NAND Flash快閃記憶體顆粒，包括MLC/TLC/QLC產品。
聯芸科技成立於2014年11月，總部位於杭州濱江，已發展成為全球三大固態硬碟控制晶元及解決方案提供商，產品已在中國大陸、中國台灣、北美、南美、歐洲、非洲、俄羅斯、日本、韓國、印度以及東盟等在內的全球市場獲得規模商用，可廣泛應用於移動通信、消費數碼、計算機、伺服器及數據中心等領域。
⑹ 中國攻克最先進128層快閃記憶體：它到底強在哪何時能跟三星掰手腕
晶元分為存儲晶元和非存儲晶元，其中存儲晶元的種類很多，按用途可分為主存儲晶元和輔助存儲晶元。前者又稱內存儲晶元（內存），可以與CPU直接交換數據，速度快、容量小、價格高。後者為外存儲晶元（外存），指除內存及緩存以外的儲存晶元。此類儲存晶元一般斷電後仍然能保存數據，速度慢、容量大、價格低。
⑺ QLC要來了，固態硬碟將如何發展
QLC = Quad-Level Cell架構，即4bit/cell，支持16充電值，速度最慢壽命最短，目前中技術上在研發階段，但是intel、三星電子等廠商都已經取得了不錯的進展。但在SSD應用中目前仍不現實 。
需要說明的快閃記憶體的壽命指的是寫入(擦寫)的次數，不是讀出的次數，因為讀取對晶元的壽命影響不大。下面是SLC、MLC、TLC、QLC快閃記憶體晶元的區別：
SLC = Single-Level Cell，即1bit/cell，利用正、負兩種電荷，一個浮動柵存儲1個bit的信息，約10萬次擦寫壽命。速度快，壽命長，價格貴（約MLC 3倍以上的價格）。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲2個bit的信息，約5000-10000次擦寫壽命。速度一般，壽命一般，價格一般。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，約500-1000次擦寫壽命。也有Flash廠家叫8LC，速度慢，壽命短，價格便宜。
QLC = Quad-Level Cell，即4bit/cell。
相對於SLC來說，MLC的容量
大了100%，壽命縮短為SLC的1/10。相對於MLC來說，TLC的容量大了50%，壽命縮短為MLC的1/20。
東芝是NAND快閃記憶體的發明人，還是最早開發3D NAND快閃記憶體的，同時也是快閃記憶體晶元公司中第一個討論QLC快閃記憶體的。東芝的QLC快閃記憶體規格西數的是一樣——准確來說是西數的QLC快閃記憶體跟東芝一樣的，使用的都是東芝的BiCS 4技術，96層堆棧，這次的QLC快閃記憶體核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特爾公布的1Tb核心大了33%。
基於1.33Tb核心的QLC快閃記憶體，東芝已經開發出了16核心的單晶元快閃記憶體，一顆快閃記憶體的容量就有2.66TB，現在QLC快閃記憶體的幫助下單晶元封裝實現了2.66TB的容量，是之前的5倍多。
西數目前已經出樣，今年量產，首發於閃迪SSD硬碟中，但東芝比西數慢一些，今年9月份才開始出樣給SSD硬碟及主控廠商，用於評估及開發，2019年才開始批量生產。
⑻ 現在市場上流行固態硬碟，單你知道固態硬碟里晶元的類型么 查詢下SLC MLC TLC QLC的區
固態硬碟共有三種快閃記憶體類型，分別為SLC、MLC以及TLC；
SLC全稱為Single-LevelCell，單層單元快閃記憶體。SLC為NAND快閃記憶體架構，其每一個單元儲存一位數據，但是SLC生產成本較高，晶片可重復寫入十萬次。SLC的特點是成本高、容量小、速度快
MLC全稱為Multi-Level Cell，多層單元快閃記憶體，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。MLC的特點是容量大成本低，但是速度相較於SLC更慢。
TLC全稱為Triple-cell-per-bit，由於採用三層存儲單元，因此可以以較低的成本實現更大的容量。現主流的SSD多數都採用最新的3D NAND快閃記憶體堆疊技術，基於該技術可打造出存儲容量比同類NAND技術高達數倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升。東芝已研發96層3D BiCS FLASH存儲單元。
為什麼SLC速度快壽命更長呢？SLC架構由於每Cell僅存放1bit數據，故只有高和低2種電平狀態。而MLC架構每Cell需要存放2個bit，即電平至少要被分為4檔，TLC則為8檔，QLC則為16檔。
SLC每Cell只有開和關兩種狀態,非常穩定,就算其中一個Cell損壞,對整體的性能也不會有影響。而MLC有四種狀態，意味著MLC存儲時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓,讀寫時就需要更長的充電時間來保證數據的可靠性，而且一旦出現錯誤，就會導致2倍及以上的數據損壞。
而SLC價格更貴的原因在於SLC的一個Cell只存1bit數據，MLC、TLC、QLC的一個Cell卻能存2bit或者更多的bit數據，但晶元的體積並沒增加，等於壓縮存儲了數據，這樣的結果就是相同的一塊晶元存儲的容量變大，因此，MLC、TLC、QLC的自然價格就便宜了。
目前，SLC在消費電子領域幾乎絕跡，MLC也越來越少，TLC已經成為主流。Intel發布QLC快閃記憶體的660P SSD，則吹響了QLC進攻的號角。