❶ 80c51單片機的片內,片外存儲器如何選擇
80c51單片機的片內、片外存儲器的選擇：80C51單片機的EA』引腳為訪問內部和外部程序存儲器的選擇端。程序存儲器ROM：其內部容量4KB，指令可直接訪問；當容量不足時，可擴展到片外ROM，此時容量可達到64KB，但此時要注意設置EA』=0；相反，當選擇片內ROM時，設置EA』=1。數據存儲器RAM：內部容量128位元組，指令豐富，當要對片外RAM訪問時使用指令MOVX，此時讀寫信號都有效，但是片外RAM不能進行堆棧操作；而訪問片內RAM使用MOV指令，無讀寫信號產生。
存儲器是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
❷ 由存儲晶元構成存儲器時,怎樣確定需要多少晶元
確定晶元數量的方法：
晶元數量≥存儲器容量/存儲晶元容量。比如構成32K存儲器模塊，需要4K×8晶元的數量是：
n≥(32K*8)/(4K*8)=8片，所以選擇8片即可。
存儲器是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
❸ 存儲器可分為哪三類
存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。
一、按存儲介質劃分
1. 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
2. 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
二、按存儲方式劃分
1. 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
2. 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。
三、按讀寫功能劃分
1. 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
2. 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的存儲器。
二、選用各種存儲器，一般遵循的選擇如下：
1、內部存儲器與外部存儲器
一般而言，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此用戶必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，用戶通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器。
2、引導存儲器
在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，用戶可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。
3、配置存儲器
對於現場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(SoC)，可以使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。大多數情況下，FPGA採用SPI介面，但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。
4、程序存儲器
所有帶處理器的系統都採用程序存儲器，但是用戶必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後，用戶才能進一步確定存儲器的容量和類型。
5、數據存儲器
與程序存儲器類似，數據存儲器可以位於微控制器內部，或者是外部器件，但這兩種情況存在一些差別。有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器，但有時不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。
6、易失性和非易失性存儲器
存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電後將丟失數據，而後者在斷電後仍可保持數據。用戶有時將易失性存儲器與後備電池一起使用，使其表現猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。
7、串列存儲器和並行存儲器
對於較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器。這時必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。
8、EEPROM與快閃記憶體
存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器（比如EEPROM和快閃記憶體）組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，並像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。
參考資料來源：網路——存儲器
❹ 記憶體的存儲器
（ROM）
ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在製造ROM的時候，信息（數據或程式）就被存入並永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數據也不會丟失。ROM一般用於存放電腦的基本程序和數據，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。 （RAM）
隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存於其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的記憶體條就是用作電腦的記憶體，記憶體條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在電腦中的記憶體插槽上，以減少RAM集成塊佔用的空間。市場上常見的記憶體條有128M/條、256M/條、512M/條等。 （Cache）
Cache也是我們經常遇到的概念，它位於CPU與記憶體之間，是一個讀寫速度比記憶體更快的存儲器。當CPU向記憶體中寫入或讀出數據時，這個數據也被存儲進高速緩沖存儲器中。當CPU再次需要這些數據時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取數據，而不是訪問較慢的記憶體，當然，如需要的數據在Cache中沒有，CPU會再去讀取記憶體中的數據。
當你理解了上述概念後，也許你會問，記憶體就是記憶體，為什麼又會出現各種記憶體名詞，這到底又是怎麼回事呢？
在回答這個問題之前，我們再來看看下面這一段。
物理存儲器
物理存儲器和存儲地址空間是兩個不同的概念。但是由於這兩者有十分密切的關系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小，因此容易產生認識上的混淆。初學者弄清這兩個不同的概念，有助於進一步認識記憶體儲器和用好記憶體儲器。
物理存儲器是指實際存在的具體存儲器晶元。如主板上裝插的記憶體條和裝載有系統的BIOS的ROM晶元，顯示卡上的顯示RAM晶元和裝載顯示BIOS的ROM晶元，以及各種適配卡上的RAM晶元和ROM晶元都是物理存儲器。 存儲地址空間是指對存儲器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對每一個物理存儲單元（一個位元組）分配一個號碼，通常叫作「編址」。分配一個號碼給一個存儲單元的目的是為了便於找到它，完成數據的讀寫，這就是所謂的「定址」（所以，有人也把地址空間稱為定址空間）。
地址空間的大小和物理存儲器的大小並不一定相等。舉個例子來說明這個問題：某層樓共有17個房間，其編號為801～817。這17個房間是物理的，而其地址空間採用了三位編碼，其范圍是800～899共100個地址，可見地址空間是大於實際房間數量的。
對於386以上檔次的微機，其地址匯流排為32位，因此地址空間可達232即4GB。但實際上我們所配置的物理存儲器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等，遠小於地址空間所允許的范圍。
這樣就可以解釋為什麼會產生諸如：常規記憶體、保留記憶體、上位記憶體、高端記憶體、擴充記憶體和擴展記憶體等不同記憶體類型。
❺ 常用存儲器片選控制方法有哪幾種它們各有什麼優缺點
行選擇，部分解碼，全部解碼。
線路選擇電路簡單，但會造成地址Z棧、空間利用率低和特定編程不宜編織。
全解碼具有較高的晶元利用率和無地址棧，但電路比選線方法復雜得多。
部分解碼介於兩者之間，也可以產生一定程度的地址棧，但存在一個相對相鄰的地址空間。
(5)記憶存儲器怎麼選擴展閱讀
存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的存儲器。記憶可分為兩類：初級記憶（簡稱初級記憶或BAI）和輔助記憶（簡稱輔助記憶或外部記憶）。它是主存，直接與CPU交換信息。
在主存儲器中收集存儲單元的載體稱為存儲體。存儲器中的每個單元都可以保存由二進制代碼表示的一串信息。信息的總比特數稱為存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息相對應。存儲單元的位置只有一個固定地址，存儲在其中的信息可以被替換。
❻ 內存怎麼選擇
目前市上有三種內存，該選購哪一種內存還是由你的實際情況決定的。
1.SDRAM內存價格便宜，選購大容量的內存可以在某種程度上彌補SDRAM內存速度上的不足，是老主板的用戶升級內存的最佳選擇。
2.DDR SDRAM內存能在時鍾觸發沿的上、下沿都能進行數據傳輸，傳輸速率是SDRAM內存的二倍， SDRAM和DDR內存價位相差不是很大，而DDR內存能大大提高系統的整體性能，建議新購機的朋友應該選購DDR的內存與主板，以充分發揮系統的整體性能。
3.RDRAM內存是未來內存的發展方向，它將RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時鍾頻率來簡化每個時鍾周期的數據量，它具有相對SDRAM較高的工作頻率，但其數據通道介面帶寬較低，以串列方式工作的，所以在使用Rambus內存時，必須插滿所有的內存槽，否則無法工作，沒有Rambus的內存槽則必須用專用的連通器插滿。
❼ 計算機的「記憶」庫（存儲器） 分別寫出名稱和基本功能
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器是用來存儲程序和數據的部件，有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據就會丟失
❽ 8051單片機內，片外存儲器如何選擇
80c51單片機的片內、片外存儲器的選擇：80C51單片機的EA』引腳為訪問內部和外部程序存儲器的選擇端。程序存儲器ROM：其內部容量4KB，指令可直接訪問；當容量不足時，可擴展到片外ROM，此時容量可達到64KB，但此時要注意設置EA』=0；相反，當選擇片內ROM時，設置EA』=1。數據存儲器RAM：內部容量128位元組，指令豐富，當要對片外RAM訪問時使用指令MOVX，此時讀寫信號都有效，但是片外RAM不能進行堆棧操作；而訪問片內RAM使用MOV指令，無讀寫信號產生。
存儲器是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
❾ 計算機存儲器可分為哪幾類它們的主要區別是什麼
計算機存儲器可分為內存和外存兩大類。
內存和外存的區別：
1、兩者在性質上不同：
外儲存器是指除計算機內存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電後仍然能保存數據。常見的外存儲器有硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
內存是指計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。
2、兩者在信息的存儲上不同：
在電腦執行完作業以後，內存這個存儲設備是不用存儲任何信息的。因此在內存里沒有任何的信息的，無法在內存里找到所需要的內容。不可能保存在內存條上的。
而保存的信息只能保存U盤、軟盤等外部存儲器上的。同時外部存儲器容量大而且攜帶方便，可以隨時找到自已想要的存儲信息。
3、兩者的運行速度不同：
外部存儲器能夠長期保存數據，交換速度相對較慢，而內存的交換速度非常快，但不能永久保存文件，斷電文件消失。
內存僅僅是作為一個臨時存儲設備，在計算數據或執行程序時，是一個臨時的存儲記憶設備。在日常生活中，不適合做長期存儲設備，因此使用時間受到了限制。
(9)記憶存儲器怎麼選擴展閱讀：
內存的工作速度和存儲容量對系統的整體性能、系統所能解決問題的規模和效率都有很大的影響。內存是採用大規模集成電路製成的半導體存儲器，可分為隨機存取存儲器RAM和只讀存儲器ROM兩種。
RAM中的信息可隨機地讀出或寫入，但信息不能持久保存，一旦關機（斷電）後，RAM中的信息不再保存。隨機存取存儲器所採用的存儲單元工作原理的不同又分為靜態隨機存儲器SRAM和靜態隨機存儲器DRAM。
SRAM採用穩態電路（如觸發器）作為存儲單元，在正常工作狀態下信息存入，能夠穩定保持，可供多次讀取，存取速度比DRAM快，但因單元電路比較復雜，集成度比DRAM低，價格也較高。
❿ 存儲器的類型
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。
1 RAM
易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。
DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。
FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。
目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。