當前位置:首頁 » 服務存儲 » 高速adc存儲
擴展閱讀
webinf下怎麼引入js 2023-08-31 21:54:13
堡壘機怎麼打開web 2023-08-31 21:54:11

高速adc存儲

發布時間: 2022-06-18 21:47:19

Ⅰ Flash ADC 是什麼

ADC,即模數轉換器,將模擬信號轉換為可以方便處理的數字信號,廣泛應用於儀表、通訊、信號檢測與處理、圖像處理和多媒體等領域。
一些高速儀表如數字示波器的帶寬達到GHz量級,需要轉換速度極高的模數轉換器,通常採用Flash結構……Flash ADC又稱為全並行ADC

以上內容為摘抄,欲知更多詳情,請點擊參考資料鏈接查看

Ⅱ 為什麼有高速的adc 但數據採集卡最高頻率低很多

不同的領域不同的需求,為了滿足這些需求,採集的采樣頻率和採集精度也不同。
問題的關鍵是你需知道你的需求是什麼,針對你的需求去選擇採集精度和采樣頻率的採集卡。

Ⅲ 高速ADC,什麼是高速ADC求解答

ADC同計算機一樣,經歷了低速到高速的發展過程。ADC的低速(轉換時間大於300uS )結構有積分型、斜坡型、跟蹤型;ADC的中速(轉換時間在1uS-300uS )結構有逐次逼近型;ADC的高速(轉換時間小於於1uS)結構有閃爍型、分區式以及高解析度結構的∑-△型。這些不同的結構滿足了實際應用的廣泛性和多樣性的需求,其中高速ADC已成為決定諸如雷達、通信、電子對抗、航天航空、導彈、測控、地展、醫療、儀器儀表、圖象、高性能控制器及數字通信系統等現代化電子設備性能的重要環節。
基本原理:目前的高速ADC主要採用了以下兩種結構形式。一種是全並行結構,也叫Flash結構。這種結構的ADC至少有2"-1個比較器,例如,一個八位ADC就至少有255個比較器。當ADC解析度增加時,不僅電路體積龐大,而且功耗猛增,也易出現「火花碼』,,因而一般用於解析度較低的ADC,如六位、八位ADC.另一 種 結 構形式稱為分區式結構或折疊式結構,如兩步法、多步法。其電路結構主要包含了S/H(或T/H)放大器、Flash A/D轉換器、時標電路及數字誤差校正電路等。分區式結構ADC克服了純Flash結構ADC隨著解析度增加,電路體積龐大、功耗猛增的缺點但又帶來另一個問題,即差分放大器和其中與第二次轉換處理輸入電壓有關的電路引入的誤差,這些誤差將超過轉換器允許的誤差,因此必須引入數字誤差校正。

Ⅳ ADC代表啥數字

晶元世界中的ADC,全稱是Analog-to-Digital Converter, 模擬數字轉換器!它是連接模擬世界與數字世界的橋梁,說的文藝一點,是ADC為這兩個世界帶來了愛情。
從宏觀上看,自然界產生的信號,都是模擬信號,比如我們說話的聲音,我們看到的圖像,我們感受到的溫度等等。但是這些模擬信號都得最終放在數字領域進行處理,存儲或者傳輸,那如何把模擬信號轉換成數字信號呢?對的,機智如你,我們需要一個轉換器,它就是晶元界的老牌貴族—ADC!

說它老牌,因為第一個ADC晶元是由IBM的M. Klein於1974年發明,到2019年,已經整整45年的歷史,它的基本架構、設計方法、原理已經非常之成熟!之所以稱它為貴族,是因為這玩意很高冷,技術含量很高,卡脖子中的戰斗雞。在ADC的技術和市場上,美帝企業如亞德諾(ADI),德州儀器(TI)等一騎絕塵!在全球市場份額上,其中ADI佔有率最高,約為58%,TI的佔有率約為25%。不幸的是,在不平等條約—《瓦森納協議》下,高性能的ADC晶元在美帝的出口管控之中,高端ADC晶元甚至完全禁運到中國。
什麼是高端ADC晶元呢?簡單來說,它是區別於消費電子市場的ADC晶元,主要應用在軍工、航空航天、有線無線通信、汽車、工業和醫療儀器(核磁共振、超聲)等對工藝、性能、可靠性要求極高的領域。
ADC的基本指標
ADC晶元主要看兩個基本指標,一個是速度—Speed,一個是精度—Resolution。顧名思義,速度代表著ADC可以轉換多大帶寬—Bandwidth的模擬信號,帶寬對應的就是模擬信號頻譜中的最大頻率。精度就是衡量轉換出來的數字信號與原來的模擬信號之前的差距。
ADC第一步操作是對模擬信號進行采樣,說到采樣,小麒要先引入一個20世紀資訊理論中偉大的香農-奈奎斯特采樣定理:為了不失真地恢復模擬信號,采樣頻率應該大於等於模擬信號帶寬的2倍。換句話說,如果ADC的采樣頻率是Fs(Hz),那麼它可以轉換的模擬信號帶寬至多是Fs/2(Hz)。對應采樣頻率為Fs(Hz)的ADC,它在時域里1秒中可以採集(1/Fs)點的信息。對於ADC的速度指標,我們通常用單位SPS(Sample Per Second)來表示,比如1MSPS代表著1M Samples Per Second,對應的ADC的采樣頻率就是1MHz,可以轉換的模擬信號帶寬至多是0.5MHz。
ADC第二步操作就是把采樣的模擬信號量化成數字信號。數字信號代表的數值與模擬信號的真實數值之間的差距越小,代表著ADC的精度越高,我們通常用N-bit來表示精度,比如10-bit代表著數值之間的最大差距是1/(2^10)。精度越高的ADC,轉換出來的數字信號越接近於原來真實的模擬信號。
ADC的應用場景及性能要求
記住,ADC晶元的速度和精度指標是相互折中,此消彼長的。對應於不同的應用場景,比如測量儀器、醫療電子、汽車電子、工業電子、有線/無線通信等,對ADC晶元的速度和精度都有著不盡相同的要求。在這里,小麒針對不同的應用場景做一下小小的總結。
1. 超低的信號帶寬:轉換頻率很低,時間上變化很慢的信號,如應用於高精度的體重計,溫度計等測量儀器,ADC精度需求通常在20bit以上。
2. 低信號帶寬:轉換頻率低,帶寬100Hz或者更小的信號,如應用於生物信號的測量,精度在8bit-18bit左右。
3. 音頻帶寬:轉換人耳可以聽到的20Hz-20KHz的聲音信號,如應用於耳機,Hi-Fi上面,精度在8bit-18bit左右。
4. 視頻和圖像帶寬:在此,小夥伴們回想一下這些年電視畫面的變化,從小時候看的有雪花點的模擬電視到現代的高清數字電視裡面,圖像是越來越清晰了,ADC的性能需求也是越來越高了。模擬電視裡面的ADC大概需要20MSPS,8bit的ADC,而現代的高清數字電視則需要80MSPS,12bit-14bit左右ADC。ADC在成像中應用除了電視,相機等消費類電子,也包括醫療電子、如X射線、超聲波、核磁共振等。
5. 通信帶寬:高大上的無線通信領域可以劃分為兩個部分,一個是手機終端,一個是基站。從3G到4G,再到目前火熱的5G通信,模擬信號帶寬要求越來越大,但轉換精度要求基本保持不變,顯然易見,這兩個部分對於ADC晶元的設計要求越來越高。5G通信下,手機終端需要160+MSPS,12bit的ADC晶元,基站裡面需要250MSPS-1GSPS,14-16bit的ADC晶元。
美帝管控下的ADC晶元
好了,介紹完ADC的基本指標和不同的應用需求,現在小麒就帶著各位看官大大看看哪些指標的ADC晶元在美帝出口的管控之中。點擊進入美國商務部旗下安全工業署的網站:

https://www.bis.doc.gov/index.php/regulations/export-administration-regulations-ear

我們可以看到9大類的商品管控名單,妥妥地都是硬核高科技領域,好吧,樂觀向上的我,不得不承認,這是給中國的科研事業指引道路。
在對應的電子類的名單中,我們就可以找到ADC晶元的相關描述,指標總結如下,
從美帝管控的ADC晶元指標中,我們可以看出高速ADC目前有著相當高的技術壁壘。這些高速ADC晶元雖然每年出貨量不到10%,但卻創造了接近50% 的行業銷售額。隨著5G、汽車電子、人工智慧、物聯網等的持續發展,預計到2022年,全球ADC晶元市場規模接近750億美金。

而對於中國公司來說,想獨立研發出上述性能指標的ADC晶元,沒有數十年的長期積累和持續投入,基本都是在劃水!
中國ADC哪家強?
目前中國有哪些公司以及科研院所有研發上述規格的ADC晶元的能力呢?小麒好好地搜集了一番,但實在受制於有限的網路信息,小小總結如下,給各位看官大大做個參考:
1. 華為海思:作為國內晶元龍頭企業,首先還是要聊一下華為海思。菊廠在今年發布了海思研發的5G終端的巴龍5000和5G基站的天罡系列, 這些用於5G的基帶SOC晶元毋庸置疑都需要高速ADC轉換接收到的射頻信號。雖然海思關於ADC的研發相當神秘,網上並沒有什麼信息,但從海思發布的5G基帶晶元以及ADC人才招聘上面,小麒我大膽推測海思已具有很強的高速ADC研發能力,並且極有可能已經做到自給自足,假以時日,或許還會對外銷售呢。
2. 蘇州雲芯微電子:在ADI工作數十年的海歸博士,於2010年創立的公司,2016年被中國振華電子集團收購。該公司靠著高性能ADC研發起步,應用於通信,雷達市場。ADC產品速度在65MSPS-250MSPS,精度在12bit-16bit之間。其中65-125MSPS,16bit 和250MSPS,14bit的產品規格達到美帝出口管控的規格。
3. 蘇州迅芯微電子:成立於2013年,背景略顯神秘,該公司主攻超高速ADC,ADC產品速度在2GSPS,10GSPS,30GSPS,精度在6bit-8bit之間。其中2GSPS,8bit和10GSPS, 10bit 都屬於美帝出口管控的規格之中。
4. 北京時代民芯:於2005年,為航天微電子資源而成立的公司,現為航天電子技術股份有限公司的全資子公司。該公司出售的高速ADC晶元有兩款,一款是精度8bit,速度800MSPS,另外一款是精度8bit,速度1.3GSPS。小麒仔細地看了這兩款產品,二者結構基本一致,因為前者具有抗輻射的功能,所以速度相比於後者有所犧牲。非常有趣的是,後者的規格又剛好卡在美帝管控的ADC晶元性能上面。
5. 中電集團24所:坐落於美麗的江城重慶,是我國唯一的模擬集成電路專業研究所,是我國高性能模擬集成電路設計開發和生產的重要基地。主要產品有:ADC/DAC轉換器、高性能放大器、射頻集成電路、驅動器、電源以及汽車電子等,並廣泛應用於航空航天、衛星定位、雷達導航、自動控制、汽車和通訊等領域。小麒我很早就聽說24所的ADC玩的蠻好的,跑去看一下它的產品中心,ADC這條線的產品相比於上面幾個公司確實豐富不少,明面上一共展示了16款產品,精度覆蓋8bit-16bit。非常有趣的是,可能鑒於科研所的背景,網上幾乎沒有展示任何一款產品對應的速度,只是簡單描述了下產品的應用領域。但從應用領域上,小麒已經深深地感受到24所低調強大的ADC實力。
以上幾家公司就是目前中國ADC實力的強力代表,數量上著實不多,當然,鑒於小麒有限的能力以及ADC的高度敏感性,一些低調或者有著軍工背景的公司就沒法在網上發掘了,期待各位看官大大的後續補充。
雖然信息有限,但是還是看的出來中國公司的ADC產品線很不完整,尤其是民營創業公司只專注於做幾款ADC。原因也很明顯,ADC技術壁壘太高,持續研發耗時耗力耗錢,市場競爭激烈,創業公司可以靠初始團隊熟悉的ADC起步,但ADC一條路走到底並不現實,靠著ADC拿到第一桶金,轉而做一些技術難度低的產品,不失為是一種明智之舉!
為祖國做ADC的情懷,放在資本主義市場並不好用,沒有麵包,哪有情懷?畢竟,創業公司怎樣活著才是王道。
相反,不差錢的中電集團24所更適合為情懷而奮斗,持續地研發投入也帶給了24所領先於全國的ADC實力。
對比美帝兩大巨頭ADI和TI的網站,從高精度ADC到高速度ADC應有盡有,查找非常方便,技術文檔描述非常詳盡,購物(晶元)體驗完全不遜於國內某寶。
這就是目前的巨大差距!如何打破美帝的壟斷,怎麼玩好ADC?中興華為事件一次次地激發國人的民族情緒。但在如今浮躁的社會,靠情懷來支撐造芯夢,然並卵!
如何玩好ADC?
如何玩好ADC?想彎道超車美帝公司,不存在的,為什麼呢?因為別人都在直行啊!變道超車才有可能!
1. 國家隊引領,資金支持:
玩晶元燒錢,這是業內公認的事實。

2014年前,中國晶元市場完全效仿歐美國家,自由競爭,結果顯而易見,晶元發展嚴重滯後。因為晶元研發高投入,高風險,社會資本大部分都在隔岸觀芯,精力都放在分分鍾就可以出只獨角獸的互聯網上面,500萬投個APP創業已然有模有樣,但要拿去投晶元公司,可能晶元影子都看不到。

2014年,中國晶元發展迎來歷史性轉折點—國家成立集成電路產業大基金,國家隊開始主導投資,政府和市場雙管齊下,推動晶元發展。
對於有心玩好ADC的初創公司,投資人要耐心孵化,當地政府要給予強勁的資金和補貼支持,讓團隊能夠耐心克服技術難關,玩好ADC。
2. 科創板,並購重組,互通有無
羅馬城不是一天建成的。
一騎絕塵的ADI和TI也是通過不停地收購其它的公司,來豐富自己的產品線,進一步地鞏固自己的霸主地位。

目光回到國內,除了海思這種大廠,國內有研發ADC能力的公司基本上都是專注在自己熟悉的小領域,做幾款類型的ADC,沒有持續研發的想法。直接原因當然是,沒有足夠的錢,市場競爭殘酷!但對於任何一家科技企業來說,研發投入都是相當重要的一環,研發投入的多少某種程度上會決定一個科技企業的高度。
今年科創板的問世給科技公司帶來了希望,相比於傳統的A股,科技公司上市難度大大降低,有了資本的注入,科技公司將更加有動力和實力去做持續地研發。
另一方面,各自為戰,相互消耗,並不有利於晶元公司的擴大發展,如果在上市前後,投資人可以撮合兩家ADC公司並購重組,強強聯合,互通有無,1加1是大於2的,才能更好地玩轉ADC。
3. 國內整機系統開放,嘗試國產化替代

世界工廠中國有著全球最大的半導體消費市場,通信供應商華為中興打敗了歐洲之流,手機品牌華為,OPPO,VIVO,小米,魅族,一加等在國內和國外市場也都各領風騷。
但隨著美帝對中興華為的制裁,看似光鮮亮麗的整機產業,衣服被扒的一干二凈!大部分整機系統在高端晶元上,幾乎沒有自主產權,完全依靠進口。
痛定思痛,國產晶元代替進口晶元,已成必然趨勢。幸運的是,國內的整機系統已經嘗試著開放,慢慢地孕育還在襁褓中的國產晶元,雖然起步艱難,困難重重,但這至少給國內晶元公司打了一針強心劑。
通信基站的信號鏈、國產的大型醫療器械、國產的示波器等測試儀器都需要高性能的ADC晶元,華為海思,毋庸置疑,一直在做ADC自主研發,慢慢地去美國化。國產醫療器械公司等整機公司可能沒有晶元自主研發的能力,但一步一步地嘗試使用國產ADC,陪著它們一起試錯,中國ADC產業才有機會發展。
4. 人才培養
中國集成電路產業人才白皮書(2017-2018)指出,到2020年前後,我國集成電路行業人才需求規模72萬人左右,而我國現有人才存量僅有40萬人,人才缺口將達32萬人。
中國晶元領域人才不足,人員短缺,已是老生常談的話題。中國優秀的大學生首選都是金融和互聯網業行業,原因很簡單,賺的多。清北復交頂級名校畢業的學生,哪怕本科專業是晶元領域,很多也會積極轉行金融或者從事互聯網。
曾經年少無知的我,心中一直困惑,既然晶元對於中國這么重要,那為啥從業人員的工資卻沒有想像中的那麼高。玩晶元苦逼,同樣都是996,干不過高大上的金融我們認了,畢竟人家是直接玩錢,但是和同樣走技術路線的互聯網同胞相比,也存在一定差距,不服啊。
Too YOUNG, Too SIMPLE。
現在是明白了,這一切都取決於市場。
聽過清華大學王志華教授的講座,才了解到整個中國的市場模型,其實是一個倒三角,半導體產業雖然貴為高科技經濟的基石,但產值是有限的。相反,BAT等軟體公司帶來的無限增值服務卻占據著倒三角的頂端,公司產值高,相關從業人員的工資自然會變高。

另外,半導體產業技術壁壘高,歐美日韓公司有著絕對霸主地位,占據著全球半導體產業絕大部分產值。在半導體行業,有這樣一個說法,老大吃肉,老二喝湯,老三基本沒有存在感。
歐美公司大口吃肉大口喝湯,而目前絕大部分中國公司只能小口喝喝涮鍋水,公司營收體量小,相關從業人員的工資自然不會太高,畢竟我們沒有核心技術。
現實很殘酷,但是所幸,情況已經越來越好。
經歷了中興,華為事件的沖擊,國家是越來越重視晶元,晶元領域的工資迎來了一波漲幅,地方政府也給予晶元從業人員不少的福利和優惠,科創板的問世更是帶給了晶元從業人員更多的資本激勵。
相信,明天會更好!
最後,我們再來談一下人才儲備,高校是人才最大的輸出口,目前國內有培養微電子人才能力的學校基本結構是:"10+17+2"。
10: 10代表著國內目前有示範性微電子學院的高校:清華大學,北京大學,上海交通大學,復旦大學,浙江大學,東南大學,中國科學院大學,中國科技大學,西安電子科技大學,電子科技大學。這10所大學代表了目前內地在微電子方面最為強悍的高校。
17: 17代表著目前正在籌備建設示範性微電子學院的高校,大部分都是985高校,包括,華中科技大學,同濟大學,中山大學等,211的幾所大學如合肥工業大學,北京工業大學在微電子方面也展現著不俗的實力,今年深圳新貴南方科技大學也成功加入聯盟。
2:2代表著港澳的2所高校,香港科技大學和澳門大學。
香港科技大學作為頂級工科名校,在集成電路設計方面有著絕對的硬實力,師資力量也是無比強大,基本上都是早年畢業於美國的頂尖名校,堪稱大中華第一。
澳門大學這些年微電子發展非常迅猛,早期師資依靠本土培養,中期吸引了不少外校的青年才俊加盟,從2011年獲批國家重點實驗室之後,就一路開掛到現在,在有著晶元奧林匹克美譽的頂級峰會ISSCC上,每年都刷新論文記錄,在國內外大放異彩,已然成為大中華區最閃耀的明星。今年,依託於國家重點實驗室和這些年的輝煌成果,澳門大學微電子研究院成立,擴大招生,進一步加強微電子人才培養。
相信在10個微電子老牌明星,17個蓄勢待發的微電子新星以及2個港澳同胞的共同努力下,中國微電子人才,ADC方向的人才會越來越多,越來越好!
為各大高校插播一段免費廣告,高考考研有心報考微電子專業的熱血青年,請認准 "10+17+2"。
尾巴
寫到這,其實不難發現,中國ADC晶元與國外的巨大差距只是中國高端晶元遠遠落後於國外的一個縮影,如何玩好ADC?如何玩好晶元?
國家政策,市場,資本,人才缺一不可。

中興華為事件讓我們清醒的認識了自身,雖然打擊巨大,但塞翁失馬,焉知非福。二十年過後回過頭來看,這必然是中國晶元行業浴火重生的轉折點。
毛主席說過,帝國主義亡我之心不死。但東方雄獅從來不怕紙老虎!
讀到這的,都是真愛,感謝各位看官大大,小麒只是一枚即將畢業的ADC領域的博士,在這里一本正經地胡說了一下,經歷有限,認知也有限,說的不太對的地方,望各位看官大大理解,期待交流和指正!

*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯系半導體行業觀察

Ⅳ 單片機高速數據採集,A/D轉換和存儲一般怎麼實現

如果沒什麼要求,用ADS774試試,12位的ADC有100Ksps的采樣率,而且精度極高,對你5Ksps的采樣率來說是足夠的。然後是單片機,一般的51用24MHz好些吧,如果是1T的51單片機可以將頻率放低一些。RAM使用HM628512,一片是512KB的,但是地址線有19條,所以需要單片機的其餘埠來擴展地址A16~A18。這樣足夠了吧?

關於高速存儲——如果單片機沒有做別的事情,那就用查詢方式了,等待ADC轉換完成,然後讀取數據並寫入RAM,這些操作只要幾條指令就能完成的,所以能做到很快的速度。像你現在用要求的5Ksps的采樣,對12MHz的51來說都能勝任,200us間隔內也能執行100條左右的指令吧,所以實現高速的存儲是沒問題的。

Ⅵ ADC有效數字存儲位是多少位

ADC有效數字存儲位情況復雜:
ADC位數的確定
ADC位數是根據傳輸方式和雜訊來計算的。如,64QAM/7/8碼率在視頻解碼正常的最低信噪比為28dB(某種衰落信道下);OFDM在輕微削波時的峰均比假設為11dB,所以ADC的最大信噪比至少要40dB,考慮信號波動給AGC留出3dB的餘量,那麼ADC至少要42/6=7位。剩下的就應該是考慮到雜訊等因素留的餘量了。

ADC每增加一位,信噪比提高6dB,前提是輸入ADC的波形沒有雜訊。模擬信號的信噪比是一定的,ADC之後的信號的最高信噪比也就定了。

我覺得得分情況。有兩點:首先RF指標不可能無限高的;其次,RF指標越高成本越高。對低成本系統,是鏈路預算決定射頻指標,如wlan;對高成本系統,可能是RF指標決定鏈路預算,如星際通信。

選AD,看接收信號的動態范圍要求和解調性能的要求。 非線性指標,取決於接收信號的特性以及干擾的特性。

ADC有效位數的理解
假設一個12位非理想的ADC,其ENOB為10bit,這並不表示把ADC的後兩位刪掉就可以當做一個理想的10bitADC來使用,如果去掉後兩位把該ADC作為一個10bit的ADC來測試,你會發現它的ENOB不到10bit。

ENOB的計算方法是使用ADC測量出的SNDR根據公式SNDR=6.02*ENOB+1.76換算而來的,從這個公式我們可以明白這里ENOB的意思是12bit非理想ADC的SNDR與理想的10bitADC的SNR相等。

對於一個非理想的ADC,其輸出不僅有量化雜訊,還有失真引起的高次諧波,所以會在SNDR的計算中抵消一部分精度。

ADC/模數轉換器簡介
模數轉換器即A/D轉換器,或簡稱ADC,通常是指一個將模擬信號轉變為數字信號的電子元件。通常的模數轉換器是將一個輸入電壓信號轉換為一個輸出的數字信號。由於數字信號本身不具有實際意義,僅僅表示一個相對大小。故任何一個模數轉換器都需要一個參考模擬量作為轉換的標准,比較常見的參考標准為最大的可轉換信號大小。而輸出的數字量則表示輸入信號相對於參考信號的大小。

分類及特點
模數轉換器的種類很多,按工作原理的不同,可分成間接ADC和直接ADC。間接ADC是先將輸入模擬電壓轉換成時間或頻率,然後再把這些中間量轉換成數字量,常用的有雙積分型ADC。直接ADC則直接轉換成數字量,常用的有並聯比較型ADC和逐次逼近型ADC。

並聯比較型ADC:採用各量級同時並行比較,各位輸出碼也是同時並行產生,所以轉換速度快。並聯比較型ADC的缺點是成本高、功耗大。

逐次逼近型ADC:它產生一系列比較電壓VR,但它是逐個產生比較電壓,逐次與輸入電壓分別比較,以逐漸逼近的方式進行模數轉換的。它比並聯比較型ADC的轉換速度慢,比雙分積型ADC要快得多,屬於中速ADC器件。

雙積分型ADC:它先對輸入采樣電壓和基準電壓進行兩次積分,獲得與采樣電壓平均值成正比的時間間隔,同時用計數器對標准時鍾脈沖計數。它的優點是抗干擾能力強,穩定性好;主要缺點是轉換速度低。

ADC工作原理

輸入端輸入的模擬電壓,經采樣、保持、量化和編碼四個過程的處理,轉換成對應的二進制數碼輸出。采樣就是利用模擬開關將連續變化的模擬量變成離散的數字量,如上圖中波形③所示。由於經采樣後形成的數字量寬度較窄,經過保持電路可將窄脈沖展寬,形成梯形波,如波形④所示。量化就是將階梯形模擬信號中各個電壓值轉化為某個最小單位的整數倍,便於用數字量來表示。編碼就是將量化的結果(即整數倍值)用二進制數碼來表示。。這個過程就實現了模/數轉換。目前集成模/數轉換器種類較多,有8位、10位模/數轉換器。

Ⅶ 切求教:關於採集的ADC數據存入SD卡的問題

原本是寫個採集adc的數據,然後用sd卡將數據存儲,現在採集到的數據是float型(放在數組中),想將該float數組轉化成char數組然後存儲到sd卡中去,試了下sprintf函數,結果並沒有存進我的char數組中去。
於是我寫了句sprintf(add,"%d",1234);add是我定義的char數組,結果1234根本沒有進到數組中去。

Ⅷ 高精度adc和高速adc的區別

這個問題屬於計算機硬體類問題:

高速ADC(轉換時間小於於1uS)
低速的ADC(轉換時間大於300uS )

按照精度從低到高:
8位ADC,10位ADC,12位ADC,14位ADC,18位ADC,20位ADC,24位ADC;&oq=8位ADC,10位ADC,12位ADC,14位ADC,18位ADC,20位ADC,24位ADC

Ⅸ ADC架構,什麼是ADC架構

ADC同計算機一樣,經歷了低速到高速的發展過程。ADC的低速(轉換時間大於300uS )結構有積分型、斜坡型、跟蹤型;ADC的中速(轉換時間在1uS-300uS )結構有逐次逼近型;ADC的高速(轉換時間小於於1uS)結構有閃爍型、分區式以及高解析度結構的∑-△型。這些不同的結構滿足了實際應用的廣泛性和多樣性的需求,其中高速ADC已成為決定諸如雷達、通信、電子對抗、航天航空、導彈、測控、地展、醫療、儀器儀表、圖象、高性能控制器及數字通信系統等現代化電子設備性能的重要環節。基本原理:目前的高速ADC主要採用了以下兩種結構形式。一種是全並行結構,也叫Flash結構。這種結構的ADC至少有2"-1個比較器,例如,一個八位ADC就至少有255個比較器。當ADC解析度增加時,不僅電路體積龐大,而且功耗猛增,也易出現「火花碼』,,因而一般用於解析度較低的ADC,如六位、八位ADC.另一 種 結 構形式稱為分區式結構或折疊式結構,如兩步法、多步法。其電路結構主要包含了S/H(或T/H)放大器、Flash A/D轉換器、時標電路及數字誤差校正電路等。分區式結構ADC克服了純Flash結構ADC隨著解析度增加,電路體積龐大、功耗猛增的缺點但又帶來另一個問題,即差分放大器和其中與第二次轉換處理輸入電壓有關的...