㈠ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
㈡ 1·靜態半導體存儲器與動態半導體存儲器的主要區別是什麼
靜態半導體存儲器存取速度快，但集成度低，通常當緩存來用。
動態半導體存儲器存取速度慢，但集成度高，像內存就是動態半導體存儲器。
㈢ 什麼是半導體存儲器有什麼特點
半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。 按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。 按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。 其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。 主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。 半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。
採納哦
㈣ 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點
1、隨機存儲器
對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。
2、只讀存儲器
用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。
特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。
3、串列存儲器
它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。
特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
(4)動態半導體依據什麼存儲擴展閱讀：
半導體存儲器優點
1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。
2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。
3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。
㈤ 半導體是怎麼存儲數據的
半導體是通過保持電平存儲數據的。
1 電路中用高電平表示1，低電平表示0；
2 同樣的在存儲介質中，寫入電平值，下次讀出判斷是1/0；
3 存儲介質的存儲利用的是浮柵和襯底間電容效應：電容充電，讀出的值就是高電平。電容放電後，讀出的就是低電平。
㈥ 半導體儲存器是如何實現數據儲存的
利用高低兩種不同電位存儲數據。
㈦ 半導體是怎樣存儲信息的
半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。
按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。
其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。
主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。
半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。半導體是通過保持電平存儲數據的。
1 電路中用高電平表示1，低電平表示0；
2 同樣的在存儲介質中，寫入電平值，下次讀出判斷是1/0；
3 存儲介質的存儲利用的是浮柵和襯底間電容效應：電容充電，讀出的值就是高電平。電容放電後，讀出的就是低電平
㈧ 動態ram是依靠什麼來存儲信息的
動態RAM的存儲單元，是一個集成在晶元內部的、體積及其微小的電容器。
寫入1，即存入了電荷，電壓為高電平；
寫入0，即釋放了電荷，電壓為低電平。
動態存儲器的存儲密度高，相比靜態的，也就是容量大。
但是，這種存儲單元容易漏電，必須定時刷新，才能保證其內容穩定不變。
㈨ 半導體存儲器sram是靠什麼存儲信息
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按其製造工藝
可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理
可分為：靜態和動態兩種。
㈩ 半導體 動態存儲器為什麼要進行刷新
動態半導體存儲器利用電容存儲電荷記錄。電容會放電,因此必須在電荷流失前對電容充電–刷新