『壹』 儲存器有哪幾類
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器) RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。 一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器) RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。 根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種： 01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器） 這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。 02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器） 靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。 03.VRAM（Video RAM，視頻內存） 它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。 04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器） 改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期， FPM DRAM被大量使用。 05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器） 這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。 06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器） 這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。 07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器） MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。 08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器） 韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。 09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器） Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。 10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器） 這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。 11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器） SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。 12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器） 一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。 13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器） CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。 14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器） 作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。 15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器） 這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。 16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器） 這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。 17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器) DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。 18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM) 是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。 二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器) ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。 三、Cache(高速緩沖存儲器) 加了Cache後，CPU訪問主存的速度大大提高了，但有一點需注意，加Cache只是加快了CPU訪問主存的速度，而CPU訪問主存只是計算機整個操作的一部分，所以增加Cache對系統整體速度只能提高10~20%左右。
『貳』 計算機內存儲器分為哪兩種,談談其主要作用
1、磁芯存儲器：
是隨機存取計算機存儲器的主要形式。這種存儲器通常被稱為核心存儲器，或者非正式地稱為核心存儲器。
核心使用微小的磁環（環），核心通過線程來寫入和讀取信息。
每個核心代表一點信息。 磁芯可以以兩種不同的方式（順時針或逆時針）磁化，存儲在磁芯中的位為零或一，取決於磁芯的磁化方向。
布線被布置成允許單個芯被設置為1或0，並且通過向所選擇的導線發送適當的電流脈沖來改變其磁化。 讀取內核的過程會導致內核重置為零，從而將其擦除。
這稱為破壞性讀數。 在不進行讀寫操作時，即使關閉電源，內核也會保持最後的值。 這使它們成為非易失性的。
2、半導體存儲器（semi-conctor memory）：
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器，內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）。體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。
(2)平面存儲器模式擴展閱讀
早期的計算機最常見的存儲器是各種磁芯製成的。這種磁芯存儲器已被微型集成電路塊上的半導體存儲器所取代。磁芯存儲器是華裔王安於1948年發明的(注)。最初的磁芯存儲器只有幾百個位元組的容量。
磁芯的英文名稱就是core，磁芯存儲器就叫作core memory。雖然磁芯存儲器已經被淘汰，但一些人還是出於習慣把內存叫做core。
在鐵氧體磁環里穿進一根導線，導線中流過不同方向的電流時，可使磁環按兩種不同方向磁化，代表「1」或「0」的信息便以磁場形式儲存下來。
最常見的核心存儲器形式，X /
Y線重合電流，用於計算機的主存儲器，由大量小環形亞鐵磁陶瓷鐵氧體（磁芯）組成網格結構（組織為「堆疊「稱為平面的層」，電線穿過核心中心的孔。
在早期系統中有四條線：X，Y，Sense和Inhibit，但後來的核心將後兩條線組合成一條Sense
/
Inhibit線。每個環形線圈存儲一位（0或1）。每個平面中的一個位可以在一個周期內被訪問，因此一個字數組中的每個機器字被分布在一堆「平面」上。
每個平面將並行操作一個字的一位，允許在一個周期內讀取或寫入完整的字。
『叄』 什麼是平坦定址存儲器模式
WINDOWS系統下的32位程序在內存中的布局被稱為平坦內存模式，這種模式雖然只有一個段，卻同時包了含代碼和數據。但是，這種模式只能運行在386或更高的處理器上。
早期的16位程序，由不同的段組合而成，且每個段的地址重定位有64K的限制。而平坦內存模式下，程序無需進行地址重定位，內存訪問范圍達到4G寬度。其優點是，匯編程序更容易編寫，且代碼執行速度更快。
在32位WINDOWS程序中，所有的段寄存器依然存在，但是都被設置成了同一個值，這表明，段寄存器和地址重定位已經無須使用了。
對於那些DOS程序員來說，可以發現32位WINDOWS PE程序其實和DOS的COM程序很類似，區別是PE只有一個段，段里同時包含了代碼和數據，而COM程序在只有一個段的時候，也不進行地址重定位，和PE一樣，直接使用偏移地址就可以正常運行了。
平坦內存模式下，無論是代碼還是數據的地址，在整個4G范圍內，默認都是NEAR的。
還有兩個段寄存器是FS和GS，通常在程序中時不使用，只有涉及到操作系統指令時才用到。
『肆』 存儲器的分類
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期， FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器)
ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。
根據組成元件的不同，ROM內存又分為以下五種：
1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）
製造商為了大量生產ROM內存，需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然後再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）
功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用（PnP）介面中。
5.Flash Memory（快閃記憶體）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。
『伍』 數據在存儲器上的儲存格式有哪兩種關於ARM的。。。
有「大端格式」和「小端格式」。
ARM中一個字由4個位元組構成。如果這4個位元組中，較低位元組存放在較低地址的存儲單元中；較高位元組存儲在地址較高的單元中，就叫「小端格式」。
如果4個位元組中，較低位元組存在較高地址中，較高位元組存在較低地址單元中，就叫「大端格式」。
ARM預設的是小端格式。
『陸』 計算機儲存原理
動態存儲器（DRAM）的工作原理
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。
首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。
(6)平面存儲器模式擴展閱讀
描述內、外存儲容量的常用單位有：
1、位/比特（bit）：這是內存中最小的單位，二進制數序列中的一個0或一個1就是一比比特，在電腦中，一個比特對應著一個晶體管。
2、位元組（B、Byte）：是計算機中最常用、最基本的存在單位。一個位元組等於8個比特，即1 Byte=8bit。
3、千位元組（KB、Kilo Byte）：電腦的內存容量都很大，一般都是以千位元組作單位來表示。1KB=1024Byte。
4、兆位元組（MBMega Byte）：90年代流行微機的硬碟和內存等一般都是以兆位元組（MB）為單位。1 MB=1024KB。
5、吉位元組（GB、Giga Byte）：市場流行的微機的硬碟已經達到430GB、640GB、810GB、1TB等規格。1GB=1024MB。
6、太位元組（TB、Tera byte）：1TB=1024GB。最新有了PB這個概念，1PB=1024TB。
『柒』 ubuntu的i386平台和amd64平台區別
i386就是32位的ubuntu 如果cpu只支持32位的 不支持64位的 就下載這個
amd64就是64位的ubuntu
不要以為i386隻能用於intel的cpu，amd64隻能用於amd的cpu。別被字面意思所迷惑。
為什麼要分i386和64位的不同版本，就是因為cpu兼容問題。所以64位的推薦使用64版本，i386的不推薦使用，否則會出現很多奇怪的問題。
覺得64位的軟體比i386的少，是因為現在32位還是主流，但是在linux系統中的軟體一般在編寫的時候會同時照顧到i386和64位用戶。
當然，在源裡面的軟體一般還是32位的較多一點。
可以在google或者網路裡面搜索你要的軟體名字+64，試試能不能找到deb包或者相應的源列表。
(7)平面存儲器模式擴展閱讀：
32位
32位也是一種稱呼計算機世代的名詞，在於以32位處理器為准則的時間點。
32位可以存儲的整數范圍是0到4294967295，或使用二的補數是-2147483648到2147483647。因此，32位存儲器地址可以直接訪問4GiB以位元組定址的存儲器。
外部的存儲器和數據匯流排通常都比32位還寬，但是兩者在處理器內部存儲或是操作時都當作32位的數量。舉例來說，Pentium Pro處理器是32位機器，但是外部的地址匯流排是36位寬，外部的數據匯流排是64位寬。32位應用程序是指那些在 32位平面地址空間（平面存儲器模式）的軟體。
64位
64位CPU是指CPU內部的通用寄存器的寬度為64比特，支持整數的64比特寬度的算術與邏輯運算。早在1960年代，64位架構便已存在於當時的超級計算機，且早在1990年代，就有以RISC為基礎的工作站和伺服器。
2003年才以x86-64和64位PowerPC處理器架構的形式引入到（在此之前是32位）個人計算機領域的主流。
一個CPU，聯系外部的數據匯流排與地址匯流排，可能有不同的寬度；術語「64位」也常用於描述這些匯流排的大小。例如，目前有許多機器有著使用64位匯流排的32位處理器（如最初的Pentium和之後的CPU，但Intel的32位CPU的地址匯流排寬度最大為36位），因此有時會被稱作「64位」。
同樣的，某些16位處理器（如MC68000）指的是16/32位處理器具有16位的匯流排，不過內部也有一些32位的性能。這一術語也可能指計算機指令集的指令長度，或其它的數據項（如常見的64位雙精度浮點數）。
去掉進一步的條件，「64位」計算機體系結構一般具有64位寬的整數型寄存器，它可支持（內部和外部兩者）64位「區塊」（chunk）的整數型數據。
windows下查看系統是32位還是64位的方法:
開始菜單--運行--CMD--systeminfo--系統類型--x86 pc則表示為32位系統(x64則表示為64位系統)
32位系統與64位系統的區別:
第一，設計初衷不同。64位操作系統的設計初衷是:滿足機械設計和分析、三維動畫、視頻編輯和創作，以及科學計算和高性能計算應用程序等領域中需要大量內存和浮點性能的客戶需求。
換句簡明的話說就是:它們是高科技人員使用本行業特殊軟體的運行平台。而32位操作系統是為普通用戶設計的。
第二，要求配置不同。64位操作系統只能安裝在64位電腦上(CPU必須是64位的)。同時需要安裝64位常用軟體以發揮64位(x64)的最佳性能。32位操作系統則可以安裝在32位(32位CPU)或64位(64位CPU)電腦上。
當然，32位操作系統安裝在64位電腦上，其硬體恰似"大牛拉小車":64位效能就會大打折扣。
第三，運算速度不同。64位CPU GPRs(General-Purpose Registers，通用寄存器)的數據寬度為64位。
64位指令集可以運行64位數據指令，也就是說處理器一次可提取64位數據(只要兩個指令，一次提取8個位元組的數據)，比32位(需要四個指令,一次提取4個位元組的數據)提高了一倍，理論上性能會相應提升1倍。
第四，定址能力不同。64位處理器的優勢還體現在系統對內存的控制上。由於地址使用的是特殊的整數，因此一個ALU(算術邏輯運算器)和寄存器可以處理更大的整數，也就是更大的地址。
32位CPU和操作系統最大隻可支持4GB內存，而64位CPU和操作系統理論上最高可支持16EB內存(16777216TB)。
總而言之，64位操作系統，必須"上"靠64位主機硬體的支撐，"下"靠64位常用軟體的協助，才能將64位的優勢發揮到極致，"三位一體"缺一不可(道理很簡單:操作系統只是承上啟下的運行平台)。
至於64位電腦可以安裝32位操作系統，64位操作系統可以安裝32位軟體，那是設計上的"向下兼容"，不是64位設計初衷的本來含義。
64位——網路
『捌』 如何在keil軟體中設置單片機系統的存儲器模式
新建工程，點擊 Options for Target xxx，在 Target 標簽頁下，有 Memory Model（存儲器模式）下拉菜單。
可選 Small、Compact 和 Large 三種模式，分別會把變數默認聲明到 data 區、pdata 區以及xdata 區。
『玖』 bios中常說的S1、S2、S3、S4、S5分別是什麼意思，謝謝
S1--也稱為POS（Power on Suspend），這時除了通過CPU時鍾控制器將CPU關閉之外，其他的部件仍然正常工作，這時的功耗一般在30W以下。（其實有些CPU降溫軟體就是利用這種工作原理）
S2--這時CPU處於停止運作狀態，匯流排時鍾也被關閉，但其餘的設備仍然運轉。
S3--這就是我們熟悉的STR（Suspend to RAM），這時的功耗不超過10W。
S4--也稱為STD（Suspend to Disk），這時系統主電源關閉，硬碟存儲S4前數據信息，所以S4是比S3更省電狀態。
S5--這種狀態是最乾脆的，就是連電源在內的所有設備全部關閉，即關機（shutdown），功耗為0。
(9)平面存儲器模式擴展閱讀
我們最常用到的是S3狀態，即Suspend to RAM（掛起到內存）狀態，簡稱STR。顧名思義，STR就是把系統進入STR前的工作狀態數據都存放到內存中去。
在STR狀態下，電源仍然繼續為內存等最必要的設備供電，以確保數據不丟失，而其他設備均處於關閉狀態，系統的耗電量極低。一旦我們按下Power按鈕（主機電源開關），系統就被喚醒，馬上從內存中讀取數據並恢復到STR之前的工作狀態。內存的讀寫速度極快，因此我們感到進入和離開STR狀態所花費的時間不過是幾秒鍾而已。
而S4狀態，即STD（掛起到硬碟）與STR的原理是完全一樣的，只不過數據是保存在硬碟中。由於硬碟的讀寫速度比內存要慢得多，因此用起來也就沒有STR那麼快了。STD的優點是只通過軟體就能實現，比如Windows 2000就能在不支持STR的硬體上實現STD。
參考資料來源：網路—ACPI
『拾』 Keil c51 三種存儲模式的作用是什麼啊
這個問題很多變的啦，small存儲模式的數據存儲在DATA區裡面gmpucompact存儲模式的數據存儲在IDATA里，large存儲模式的數據存儲在XDATA里，一般默認的都是small模式，因為單片機在不加外擴RAM的時候變數區就那麼大，假設你將small存儲模式改為large存儲模式pt但是沒有外擴RAM因為samll和large的對變數的匯編訪問方式不同，程序不就亂了我是這么理解的額973