❶ DRAM需要刷新。SRAM不需要刷新。這里的刷新是什麼意思
刷新是指給儲存數據的電容重新充電，因為sram是用晶體管存數據所以不用刷新
❷ 刷新存儲器的容量決定於顯示器的解析度和什麼
因為 刷存容量=解析度×顏色深度×刷新速率
24位=8B
所以 1024×1024×3B=3072KB=3MB
❸ 刷新存儲器的重要性能指標是它的帶寬，若顯示工作方式採用解析度為1024 ╳ 1024，顏色深度為24位
刷新帶寬=解析度X像素點顏色深度X刷新速率
=1024X1024X（24/8）BX72/S
❹ 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種
動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。
❺ 動態RAM為什麼要刷新這里的刷新是什麼概念
RAM中，半導體晶體管中的電荷每1.2微秒會消失，數據也會消失。所以為了保存數據，每1微秒會重新通一次電即刷新一次。
在動態RAM晶元內部，每個內存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當然這些部件都非常地小，因此一個內存晶元內可以包含數百萬個。電容器保存信息位--0或1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，能讓內存晶元上的控制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。
電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只"桶"的問題在於：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持"1"值。為此，內存控制器會先行讀取存儲器中的數據，再把數據寫回去。這種刷新操作每秒鍾會自動進行數千次。
❻ 為什麼DRAM需要刷新
DRAM就是動態隨機存取存儲器，動態隨機存取存儲器需要刷新是因為DRAM存儲信息的特殊性。
DRAM是通過柵極電容存儲電荷來暫存信息。由於存儲的信息電荷終究是有泄漏的，電荷數又不能像SRAM存儲元那樣由電源經負載管來補充，時間一長，信息就會丟失。為此必須設法由外界按一定規律給柵極充電，按需要補給柵極電容的信息電荷，此過程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。
(6)刷新存儲器是什麼意思擴展閱讀：
DRAM是靠其內部電容電位來記錄其邏輯值的，但是電容因各方面的技術困難無可避免的有顯著的漏電現象（放電現象）而使電位下降，於是需要周期性地對高電位電容進行充電而保持其穩定，這就是刷新。動態MOS存儲器採用「讀出」方式進行刷新。 有的Dram也支持每個bank刷新的命令，每次同時刷新一個bank的多個行，在一個rank刷新的時候允許bank-level 並行。
❼ 什麼是動態存儲器的定時刷新
動態刷新是指定期存放「1」的電容重新充電以補充泄路通路放掉的電荷。
也有表達刷新是指周期性的對電容執行讀出再寫入的操作。
❽ 存儲器所有單元刷新一遍需要多少次刷新操作如何理解
靜態存儲單元（SRAM） ●存儲原理：由觸發器存儲數據 ●單元結構：六管NMOS或OS構成 ●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache ●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大 ●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位) 動態存儲單元（DRAM） ●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之後：單管基本單元） ●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作 ●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。 ●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低 ●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用於作主存儲器。盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產品。
❾ 存儲器的刷新有幾種方式何謂「死時間」
1. 集中式刷新：刷新方式為前面的時間一直進行讀取操作，後面的時間進行刷新。例如：對64*64的矩陣刷新，存取周期是0.5us，刷新周期為2ms
存取一次的時間=刷新一次的時間，那麼刷新完64行需要的時間為：64*0.5=32us，說明這32us里不能進行讀寫操作
2. 分散式刷新：它擴大了讀寫周期，也就是說讀一次需要時間為0.5us的話，那麼一次的讀寫周期為1us，因為它包含了刷新用的0.5us。
3. 非同步式刷新：它將每一行的刷新都分開來，也就是說只要在規定的時間完成對每一行一次的刷新就行了，(2ms/64)間隔進行一次刷新,這里的2ms是規定的，因為DRAM要求，至少2ms更新所有行一次。
不與固定相作用的組分的保留時間。死時間（dead time）,從進樣到惰性氣體峰出現極大值的時間稱為死時間.
❿ 什麼是刷新存儲器其存儲器容量與什麼因素有關
將存儲器原有內容擦除，寫入新的內容，就叫刷新存儲器。存儲器容量與晶元集成技術發展程度有關。