① 對存儲器主要有四個指標,其中綜合性指標是什麼呢
四個指標分別是：存儲容量 存取時間 存儲周期 存儲器的可靠性，綜合性指標是性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標。
② 內存卡如何確定是不是質量好
想要知道內存卡的好壞，主要以兩方面為鑒定標准，一是看內存卡是不是擴容的，二是看內存卡的讀寫速度。
網路搜：MyDiskTest
軟體非常小，下載完成之後，打開軟體，將內存卡插入讀卡器，然後插入電腦。如果是手機的話，直接數據線鏈接手機到電腦，切換手機模式為usb存儲模式，讓軟體識別內存卡。
選擇第一項」快速擴容測試「，點擊」開始測試「，等待測試結果。
可以看到測試結果。
接下來，測試一下，讀寫能力，首先下載disk benchmark
打開軟體，直接點擊「開始」
等待測試完成，可以看到當8k碎片文件時，讀寫大概在4MB/s左右，因此，可以說明該內存卡class等級為class4。一般而已，class等級是衡量內存卡性能指標的最直接的參考因素。class等級越高，說明內存卡的讀寫能力越強，那麼文件傳輸能力就越好。
③ 手機存儲卡的技術指標
現在的問題就是看價錢和容量了 ！應為你的手機確定了你的卡的類型（tf sd 記憶棒）！速度也就基本定了 ！
④ 誰家的NM卡讀取速度和耐用性比較好
讀取速度和耐用性的話，我建議你選擇ov的NM卡，最高讀取數據的速度高達90MB/ S ,寫入的速度也達到了70MB/ S ，速度很快，還有官方3年質保，可以放心購買！
⑤ 如何辨別內存卡的好壞
辨別內存卡的好壞
內存質量的好壞，除了內存顆粒品牌，關鍵是要看PCB電路
板的種類和晶元焊接質量。電路板質量好壞會對內存條和主板的兼容性和穩定性有不小的影響，好的內存PCB多採用6層板，PCB板上的布線也很有講究。在目前市售內存所採用的線路板中，CCG Engineering生產的低干擾線路板是抗干擾屏蔽性能最好的。在製作工藝上，關鍵看晶元和PCB板的焊接處焊腳是否飽滿，整齊、有否錫焊遺留，SPD、電阻的焊接是否整齊，從這些細節中可以看出內存質量好壞。
⑥ 內存條的性能指標有那些
描述內存條性能的主要技術指標是：
1.速度
內存條的速度一般用存取一次數據的時間(單位一般用ns)來作為性能指標，時間越短，速度就越快。普通內存速度只能達到70ns～80ns，EDO內存速度可達到60ns，而SDRAM內存速度則已達到7ns。
注意：內存條的生產廠家非常多，目前還沒有形成一個統一的標注規范，所以內存的性能指標不可簡單地從內存晶元標註上讀出來，但可了解其速度如何，如－70或－60等數字，就表示此內存晶元的速度為70ns或60ns。
2.容量
內存條容量大小有多種規格，早期的30線內存條有256K、1M、4M、8M多種容量，72線的EDO內存則多為4M、8M、16M，而168線的SDRAM內存大多為16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。圖5-1是一款獨特的64MB內存條。
3.奇偶校驗
為檢驗存取數據是否准確無誤，內存條中每8位容量能配備1位做為奇偶校驗位，並配合主板的奇偶校驗電路對存取的數據進行正確校驗。不過，而在實際使用中有無奇偶校驗位，對系統性能並沒有什麼影響，所以目前大多數內存條上已不再加裝校驗晶元。
註：計算機是以二進制進行計數的，表現為0和1，當機器向內存寫入數據時，實際上就是存入代碼01，奇偶校驗則將單元中存入的代碼的個數進行奇偶統計，並將統計的結果保存在奇偶校驗位中，當計算機提取內存的數據時，奇偶校驗則將統計的結果和實際讀出的數據進行比較看是否一致，從而確保了內存數據的正確性。
4.內存的電壓
FPM內存和EDO內存均使用5V電壓，而SDRAM則使用3.3V電壓，在使用中注意主板上的跳線不能設錯。
⑦ 內存的性能指標
DDR2與DDR的區別
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個 DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
DDR2與DDR的區別示意圖
與雙倍速運行的數據緩沖相結合，DDR2內存實現了在每個時鍾周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，盡管DDR2內存採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的 2.5V不同。
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的 DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的 TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。
內存的533 667 800是指內存的運行頻率.
但究竟插什麼頻率的內存跟系統的前端匯流排很有關系.
PD 820匯流排頻率是800MHZ,因此搭配的主板應該支持800MHZ的前端匯流排,事實上,支持P4820的最低檔次晶元組其實已經超過了此匯流排頻率.完全不同擔心主板只有533的匯流排頻率.有一點必須說明,內存只要型號相同,頻率高低都支持的.
按照你的CPU匯流排來看,兩根533組雙通道完全足夠了,也就是說533*2=1066MHZ,已經超過800匯流排,從而不會使你的CPU性能造成浪費.
板載顯卡:現在有很多廠家都推出了支持P4 820的板載顯卡主板,但對於整套系統來說,這無疑是對性能的浪費.現在PCI-E的顯卡並不比AGP的貴,有些甚至更便宜.如果你要便宜的話,7300GS應該是你比較好的選擇.
內存的性能指標
內存的性能指標包括存儲速度、存儲容量、CAS延遲時間、內存帶寬等，下面對 他們進行一一介紹
1、存儲速度
內存的存儲速度用存取一次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速度就越快。目前，DDR內存的存取時間一般為6ns，而更快的存儲器多用在顯卡的顯存上，如：5ns、 4ns、 3.6ns、 3.3ns、 2.8ns、 等。
2、存儲容量
目前常見的內存存儲容量單條為128MB、256MB、512MB，當然也有單條1GB的，內存，不過其價格較高，普通用戶少有使用。就目前的行情來看，配機時盡時使用單條256MB以上的內存，不要選用兩根128MB的方案。 提示：內存存儲容量的換算公式為，1GB=1024MB=1024*1024KB
3、CL
CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在一定頻率下衡量不同規范內存的重要標志之一。對於PC1600和PC2100的內存來說，其規定的CL應該為2，即他讀取數據的延遲時間是兩個時鍾周期。也就是說他必須在CL=2R 情況下穩寰工作的其工作頻率中。
4、SPD晶元
SPD是一個8針256位元組的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 晶元.位置一般處在內存條正面的右側, 裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。
5、奇偶校驗
奇偶校驗就是內存每一個位元組外又額外增加了一位作為錯誤檢測之用。當CPU返回讀顧儲存的數據時，他會再次相加前8位中存儲的數據，計算結果是否與校驗相一致。當CPU發現二者不同時就會自動處理。
6、內存帶寬
從內存的功能上來看，我們可以將內存看作是內存控制器（一般位於北橋晶元中）與CPU之間的橋梁或倉庫。顯然，內存的存儲容量決定「倉庫」的大小，而內存的帶決定「橋梁的寬窄」，兩者缺一不可。 提示：內存帶寬的確定方式為：B表示帶寬、F表於存儲器時鍾頻率、D表示存儲器數據匯流排位數，則帶寬B=F*D/8
如常見100MHz的SDRAM內存的帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/秒
常見133MHz的SDRAM內存的帶寬133MHz*64bit/8=1064MB/秒
⑧ 內存的性能指標有那些
內存的性能指標有規格、運行頻率、容量和CL延遲。
規格如DDR、DDR2、DDR3和DDR4。DDR4最先進。
運行頻率如2800MHz、2666MHz、2400MHz、2133MHz、2000MHz、1866MHz、1600MHz、1333MHz、1066MHz、800MHz、667MHz。頻率越高速度越快。
容量如512MB、1GB、2GB、4GB、8GB、16GB等。容量較大的好。
CL延遲如2-2-2-5、10-10-10-30 、11-11-11-28等。數字越小，代表反應所需的時間越短。
⑨ 什麼是存儲器的重要性能指標
簡單的來講，存儲器的重要性能指標就是晶元在設計的時候採用的編程演算法是否是最合邏輯的，最和邏輯就好運算穩定，快捷;還有生產的時候，載體的原材料的規格，加工質量，是否能從散熱以及穩定方面滿足編碼的需求
專業內容如下：存儲器的主要幾項技術指標：
主存儲器的主要幾項技術指標 指標含義表現單位
存儲容量 在一個存儲器中可以容納的存儲單元總數 存儲空間的大小 字數，位元組數
存取時間 啟動到完成一次存儲器操作所經歷的時間 主存的速度 ns
存儲周期 連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間 主存的速度 ns
存儲器帶寬 單位時間里存儲器所存取的信息量, 數據傳輸速率技術指標 位/秒，位元組/秒
主存儲器的性能指標主要是存儲容量、存取時間和存儲周期。
存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應的單元地址叫字地址。而存放一個位元組的單元，稱為位元組存儲單元，相應的地址稱為位元組地址。如果計算機中可編址的最小單位是字存儲單元，則該計算機稱為按字編址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是位元組，則該計算機稱為按位元組編址的計算機。一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的位元組地址。例如，PDP-11系列計算機，一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個位元組，可以按字地址定址，也可以按位元組地址定址。當用位元組地址定址時，16位的存儲單元占兩個位元組地址。
在一個存儲器中容納的存儲單元總數通常稱為該存儲器的存儲容量。存儲容量用字數或位元組數(B)來表示，如64K字，512KB，10MB。外存中為了表示更大的存儲容量，採用MB，GB，TB等單位。其中1KB=2B，1MB=2B，1GB=2B，1TB=2B。B表示位元組，一個位元組定義為8個二進制位，所以計算機中一個字的字長通常為8的倍數。存儲容量這一概念反映了存儲空間的大小。
存儲時間有稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。具體講，從一次讀操作命令發出到該操作完成，將數據讀入數據緩沖寄存器為止所經歷的時間，即為存儲器存取時間。
存儲周期是指連續啟動兩次獨立的存儲器操作(如連續兩次讀操作)所需間隔的最小時間。通常，存儲周期略大於存儲時間，其時間單位為ns
⑩ 內存使用率
xp 64位系統才理論支持4G，我現在用vista 32位，3G內存，開迅雷、瑞星、360後用掉1G，要是你裝了很多後台程序的話會很吃內存，建議去下個優化大師或360安全衛士，看看後台都有哪些程序耗內存，不需要的就把它禁掉。還有建議把系統換成vista，我用上vista後就不想再用xp了，一是畫面美，二是有些東西比xp更直觀，用起來方便，三是玩游戲有xp沒有的DX10（網上盛傳xp也有DX10，純屬瞎說，裝上了也和原來的DX9沒啥區別），玩游戲畫面絢麗，那叫一個美啊。以上純屬個人觀點，採納與否還請三思。
看到你的截圖後我的補充：先問你一個問題，你的虛擬內存是多大？
你的截圖上（xp系統）的「提交更改」上 斜杠 後邊顯示的是「物理內存+虛擬內存」的總和，斜杠前面的就是總和使用掉的內存量（也是兩個加起來的數值），並不是你物理內存的使用情況。如果想要查看物理內存使用情況，你截圖上有個「性能」，打開它就可以看到了。
於是，關於前面你提到4G內存玩GTA4不夠用問題作出以下回答，一是你的內存（物理內存）根本就沒有4G；二是你的顯卡不夠用，這游戲挺吃顯卡的；三是你的win7系統有些不需要的功能沒關，導致內存佔用太多（但是win7佔用內存比vista要少，我沒升級到3G前，用2G+HD3850，也能跑GTA4，因為太吃顯卡只用了中等畫質，1280*1024解析度，不卡)