A. 計算機原理裡面，有關動態存儲器的刷新問題
刷新一行所用的時間就是一個讀寫周期，連續刷新32行要用16微秒，而一個讀寫周期只需一個存取周期，所以刷新一行只用一個存取周期
B. 動態RAM為什麼要刷新這里的刷新是什麼概念
RAM中，半導體晶體管中的電荷每1.2微秒會消失，數據也會消失。所以為了保存數據，每1微秒會重新通一次電即刷新一次。
在動態RAM晶元內部，每個內存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當然這些部件都非常地小，因此一個內存晶元內可以包含數百萬個。電容器保存信息位--0或1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，能讓內存晶元上的控制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。
電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只"桶"的問題在於：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持"1"值。為此，內存控制器會先行讀取存儲器中的數據，再把數據寫回去。這種刷新操作每秒鍾會自動進行數千次。
C. 半導體 動態存儲器為什麼要進行刷新
動態半導體存儲器利用電容存儲電荷記錄。電容會放電,因此必須在電荷流失前對電容充電–刷新
D. 什麼是動態存儲器的定時刷新
動態刷新是指定期存放「1」的電容重新充電以補充泄路通路放掉的電荷。
也有表達刷新是指周期性的對電容執行讀出再寫入的操作。
E. 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種
動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。
F. 動態隨機存儲器為什麼要進行刷新
dram的存儲單元是用的電容的充放電來表示01的，如果電容有點表示為1，沒有電表示為0.但是因由於電容會通過電阻放電，隨著時間推移會造成1變成0，因此刷新的工作是將數據讀出來再寫進去，相當於重復給電容重復充電，保證數據不丟失。
G. 動態RAM的刷新間隔是多少以什麼為單位進行刷新
刷新間隔主要是根據柵極電容上電荷的泄放速度來決定的，一般選定的最大刷新間隔為2ms。
刷新通常是以存儲體矩陣中的一行為單位進行的
H. 為什麼DRAM需要刷新
DRAM就是動態隨機存取存儲器，動態隨機存取存儲器需要刷新是因為DRAM存儲信息的特殊性。
DRAM是通過柵極電容存儲電荷來暫存信息。由於存儲的信息電荷終究是有泄漏的，電荷數又不能像SRAM存儲元那樣由電源經負載管來補充，時間一長，信息就會丟失。為此必須設法由外界按一定規律給柵極充電，按需要補給柵極電容的信息電荷，此過程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。
(8)刷新動態存儲器擴展閱讀：
DRAM是靠其內部電容電位來記錄其邏輯值的，但是電容因各方面的技術困難無可避免的有顯著的漏電現象（放電現象）而使電位下降，於是需要周期性地對高電位電容進行充電而保持其穩定，這就是刷新。動態MOS存儲器採用「讀出」方式進行刷新。 有的Dram也支持每個bank刷新的命令，每次同時刷新一個bank的多個行，在一個rank刷新的時候允許bank-level 並行。
I. 簡要說明動態RAM的各種刷新方式及其特點
dram的刷新方式
常用刷新方式：
教科書p84圖3.14
①
集中式---正常讀/寫操作與刷新操作分開進行，刷新集中完成。
特點：存在一段停止讀/寫操作的死時間
適用於高速存儲器
②
分散式---將一個存儲系統周期分成兩個時間片，分時進行正常讀/寫操作和刷新操作。
特點：不存在停止讀/寫操作的死時間
但系統運行速度降低
③
非同步式---前兩種方式的結合，每隔一段時間刷新一次，保證在刷新周期內對整個存儲器刷新一遍。
J. 半導體動態存儲器為什麼要刷新刷新的主要方式有哪三種
動態存儲器依靠電容電荷存儲信息，時間一長，電荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、非同步刷新。