『壹』 存儲器可分為幾種，其中存取周期最短的是哪個
存儲器總體上可以分為外存和內存兩種
其中，外存設備主要有硬碟、優盤、光碟等，讀寫速度慢，容量大，價格低，一般由光磁材質製作而成；
而內存就是我們所說的內存條，又可細分為ROM和RAM存儲器，前者成為只讀存儲器，後者為隨機存儲器，值得一提的是，內存讀寫速度非常快，也就是存取周期最短，容量較小，價格很高，基本上都是由半導體材料製作而成。
『貳』 存儲周期最短的存儲器
存取周期最短的存儲器是內存儲器。存取周期是存儲器進行一次完整的讀/寫操作所允許的最短時間間隔。存取周期越短，則存取速度越快。內存儲器的速度最快，所以它的存取周期最短，其次是硬碟，最慢的是軟盤。
內存是計算機中重要的部件之一，它是外存與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。
內存(Memory)也被稱為內存儲器和主存儲器，其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，操作系統就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算，當運算完成後CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。 內存條是由內存晶元、電路板、金手指等部分組成的。
『叄』 在計算機中什麼是內存存取時間和存儲周期
存取時間，指的是CPU讀或寫內存內數據的過程時間。
以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的數據，內存響應CPU後便會將CPU所需要的數據送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。
存儲周期：連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間
內存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-6ms=10-9s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快。
(3)存儲周期最短是多少擴展閱讀
存儲器的兩個基本操作為「讀出」與「寫入」，是指將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為「取數時間TA」。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為「存儲周期TMC」。半導體存儲器的存取周期一般為6ns～10ns。
其中存儲單元(memory location)簡稱「單元」。為存儲器中存儲一機器字或一位元組的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元，並按一定順序編號，稱為「地址」。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數字，則稱為「字」。
字的長度，即字所包含的位數，稱為「字長」。如以位元組來劃分存儲單元，則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內容一經寫入，雖經反復使用，仍保持不變。如須寫入新內容，則原內容被「沖掉」，而變成新寫入的內容。
『肆』 儲器中存儲周期最短的是 A）內存儲器 B）光碟存儲器 C）硬碟存儲器 D）軟盤存儲器
內存儲器，如內存，關機斷電信息消失，時間最短。
『伍』 存儲器中，存取周期最短的是哪個
片內隨機存儲器，也就是平時也叫做緩存。作為外部的數據要經過這里，然後經過處理器進行邏輯算術計算，有利於降低成本，提高運行效率。
『陸』 計算機的存取周期是什麼
存取周期：存貯器連續二次獨立的「讀」或「寫」操作所需的最短時間，單位來納秒（ns,1ns=10-9s）。存儲器完成一次「讀」或「寫」操作所需的時間稱為存儲器的訪問時間（或讀寫時間）。
『柒』 下列存儲器中，存取周期最短的是（） A：硬碟存儲器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM
SRAM。
SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。
(7)存儲周期最短是多少擴展閱讀
SRAM可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。
存取周期為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。存儲周期愈短，運算速度愈快，但對存儲元件及工藝的要求也愈高。
例如磁芯存儲器的存取周期為零點幾到幾個微秒。半導體存儲器的存取周期通常在幾十到幾百毫微秒之間。那麼半導體存儲器的性能比磁芯存儲器的性能要好。
『捌』 存儲周期是指
存儲周期：連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間
體現主存的速度 （納秒ns）
存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。內存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-3ms=10-6s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快，但價格也便隨之上升。在選配內存時，應盡量挑選與CPU系統匯流排時鍾周期相匹配的內存條
存儲周期，通常用訪問周期T（又稱存取周期、存取時間等）表示。
存儲系統的存儲周期與命中率H的關系非常大。
命中率：可以簡單地定義為在M1存儲器中訪問到的概率，它一般用模擬實驗的方法得到。選擇一組有代表性的程序，在程序執行過程中分別統計對M1存儲器的訪問次數N1和對M2存儲器的訪問次數N2，然後代入下面的（3－1）關系式計算。
·······（3－1）
整個存儲系統的訪問周期可以用M1和M2兩個存儲器的訪問周期T1，T2和命中率H來表示：
T＝H·T1＋(1－H)·T2 （3－2）
當命中率H→1時，T→T1，即存儲系統的訪問周期T接近於速度比較快的M1存儲器的訪問周期T1。
『玖』 下列存儲器中，存取周期最短的是_ A：硬碟存儲器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM
D：SRAM
A,和B,不用說吧,一定不可能的.硬碟存儲,和CDROM存儲,都是慢極了的,,,那就只有.C
和D了,,那看下,DRAM,和SRAM的不同吧..
SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時可以保持數據完整性，即保持數據不丟失。SRAM在PC平台上就只能用於CPU內部的一級緩存以及內置的二級緩存。而我們所說的「系統內存」使用的應該是DRAM。
DRAM的應用比SRAM要廣泛，結構較SRAM要簡單許多，無論是集成度、生產成本以及體積，DRAM都比SRAM具有優勢
。
『拾』 下列幾種存儲器中,存取周期最短的是
內存儲器 內存直接和cpu傳輸，所有的數據得經過內存然後傳到cpu，他慢了整體性能肯定跟不上，硬碟是外存儲器，他的數據是經過南橋經內存到cpu處理，他在快也沒內存快，就算他比內存快，內存慢了處理速度還是跟不上