⑴ 固態硬碟3D快閃記憶體到底是多少納米的
進入3D時代之後，快閃記憶體從平面擴展變為垂直方向堆疊，相應的納米工藝也發生一定回退。比如三星第一代3D快閃記憶體（32層堆疊）問世時從當時平面快閃記憶體的19nm直接退回到幾年前的40nm工藝，單容量相比19nm平面快閃記憶體卻有一定提升。
一方面，採取老的納米製程有助於快閃記憶體耐久度提升，另一方面納米工藝製程不再直接影響快閃記憶體容量和性能，所以現在快閃記憶體顆粒只講堆疊層數和存儲密度，不再將納米製程放在明面上。不過相信很多朋友還是非常關心具體數值的。存儲即可就來透露一下，除了三星之外，美光的第一代3D快閃記憶體（32層堆疊）使用的也是40nm工藝，第二代64層堆疊產品才降至20nm。
東芝最早提出了3D快閃記憶體結構，在應用推廣上晚於三星一些，主要是為了等待技術的成熟。第一代48層堆疊3D快閃記憶體（東芝稱BiCS2）就使用了19.5nm工藝，當代64層堆疊3D快閃記憶體（東芝稱BiCS3）則使用當前領先的19nm工藝製造。
BiCS2主要見於手機等移動存儲晶元，譬如iPhone7 256G中使用的就是編號為THGBX6T1T82LFXF的東芝快閃記憶體晶元。
BiCS23D快閃記憶體內部結構：
最新一代的BiCS3，也就是東芝64層3D快閃記憶體的存儲密度相比2D TLC快閃記憶體提升2.8倍，達到每平方毫米面積的晶片可記憶3.4Gb數據。最早使用它的是東芝原廠TR200固態硬碟。由於2.5寸規格空間充裕，TR200的快閃記憶體採用了多顆TSOP封裝的顆粒，容量不變價格更便宜。TR200也是當前最便宜的原廠3D快閃記憶體固態硬碟之一，穩定耐用價格實惠。
東芝BiCS3快閃記憶體的內部結構圖，電子顯微鏡掃描：
相比NAND快閃記憶體，原本是半導體製程應用急先鋒的內存已經落後不少，當前最新的內存晶元還停留在18nm 2D水平上。由於三星的壟斷，內存價格始終居高不下，也遲遲沒有邁向3D化的動作。
其實早在幾年前就已經有3D內存理論被提出，基本原理與3D快閃記憶體類似，只不過推進3D化會增加短時內研發成本，而現在高度壟斷之下躺著就能賺錢，又怎會積極推動技術跨越呢？
近期內存、固態硬碟價格都有所回落，但從降幅來說，現在固態硬碟顯然要比內存更值得買。據市場研究機構分析，近幾個月將是快閃記憶體價格本年度內的低谷，也就是入手固態硬碟的最佳時機。要不要上車，大家看著辦咯。
⑵ iphone6s存儲採用什麼類型是eMMC 5.0還是 UFS 2.0
從網上拆機的文章看，是Toshiba THGBX5G7D2KLFXG 16 GB 19 nm的存儲晶元。
以往的iPhone的風格來看，他都是採用的NAND Flash+自己的主控器，並非eMMC。但這次iPhone6s上門的THGBXxxxx系列，從東芝的存儲晶元的命名來看(NAND的開頭是TH58)，應該是一顆eMMC。至於說的19nm，應該是eMMC裡面的NAND Flash存儲單元，是用的19nm的工藝製作的TLC。
⑶ 如何簡化PCIe介面設計 - 基於FPGA的19nm快閃記憶體PCIe SSD的設計與實現
SSD快閃記憶體陣列的吞吐量可高達2.5Gbps。為簡化PCIe介面的設計，為快閃記憶體晶元的發展提供更大的裕量，設計選用8信道PCIe Gen2/Gen3架構。 PCIe 端點在物理層、數據鏈路層和事務層中有大量復雜的協議需要處理。幸運的是，在賽靈思7系列FPGA中設計PCIe SG-DMA控制器速度既快又方便。賽靈思已經把PCIe硬核實現在器件的架構中，用於處理全部的PCIe操作。這樣設計小組就可以集中精力設計SG- DMA操作本身的功能。PCIe解決方案的集成模塊可支持單通道、雙通道、四通道和八通道端點配置，最高速度達5Gbps（Gen2），符合PCIe基本規范2.1修訂版。表1是7系列FPGA的PCI集成模塊的配置。該核可配置為Gen1/Gen2，最多可支持8個信道，從而可提供高達40Gbps的帶寬。 表1：7系列FPGA支持的硬核 設計中使用CORE Generator工具來配置和生成PCIe端點IP。該工具包括用戶指南、源代碼、模擬代碼和設計範例，可以幫助迅速使用該核。圖2顯示了PCIe硬核的頂層功能模塊和介面。 圖2：PCI Express硬核頂層的功能模塊與介面。 SG- DMA核的主要功能是處理來自主機的TLP數據包並做出響應。SG-DMA用作對主機存儲器的PCIe主控訪問，在主機和本地存儲器之間傳輸數據。主機向 DMA控制器發送命令，控制DMA訪問。該命令代碼嵌入在特定主機TLP寄存器寫操作的數據中。SG-DMA控制器初始化SG-DMA寫入請求，響應主機的讀取命令，將數據從本地存儲器移動到主機存儲器。同樣，對於主機的寫命令，SG-DMA控制器初始化DMA讀請求，將數據從主機存儲器移動到本地存儲器中。圖3即是流程的圖解。
⑷ 求解固態硬碟板子上的內存晶元
根據圖片可以看到網友你是多麼暴力的拆開了這個金士頓V300的固態硬碟（我從網上看圖片知道的型號，四個螺絲孔都被你摧毀了，我看著都心痛）
首先我可以明確的告訴你，還是不要去想怎麼拆換晶元了（晶元是用大型的機器一次性封裝的，不明白的話，可以上網看視頻固態硬碟的製作過程；你也看到那些針腳那麼密集，用電烙鐵根本就拆不了，拆了之後也裝不回去，那些針腳的孔都被焊錫封住了，根本清除不了，全新的存儲顆粒也不會在網上賣，大公司通常都是買一次性幾千幾萬的數量購買存儲顆粒，然後進行封裝，平民的話，，還是算了吧）
存儲顆粒的損壞通常都是由主控來發現的。
存儲顆粒的損壞解決辦法就是預留存儲區域，在固態硬碟剛剛購買之後，實際使用的存量會少了一部分（除了格式化程序的空間佔用，這就是為什麼三星845DC PRO固態硬碟標明容量是800G的原因），這部分區域會預留出來，當有存儲顆粒損壞時就會將壞區域的數據轉移到預留的區域上，而不是物理上的換晶元。金士頓V300上是沒有預留的存儲區域的，所以這損壞就是不可逆的了。
以上是我多年來積累的經驗，希望你採納。下面的是我重網上復制下來的，希望你看看。
現在新出貨的金士頓V300固態硬碟不僅更新了固件，同時也更換了NAND快閃記憶體的供應商，性能很差，不僅比不上其它SF-2281產品，甚至還遠不及上之前的同型號產品。
金士頓SSDNow V300固態硬碟雖然不是最快的SF-2281主控產品，不過憑借其品牌影響力以及在價格上的優勢，還是成為了市場上最熱銷的SSD產品之一。不過最近有玩家反饋稱，最新出貨固件為506版本的V300固態硬碟性能很差，不僅比不上其它SF-2281產品，甚至還遠不及上之前的同型號產品，難道是固件出問題了嗎？
事情沒有那麼簡單，現在新出貨的V300固態硬碟不僅更新了固件，同時也更換了NAND快閃記憶體的供應商。實際上考慮到成本因素，金士頓在一開始給V300固態硬碟配置的就是自行切割、自行封裝、自定型號的NAND快閃記憶體，如果金士頓自己不說，普通玩家即使直接拆解SSD，也無法得知NAND快閃記憶體是哪一家供應的。這在固態硬碟領域其實是很常見的事情，但是操作不當的話很可能會砸了自己的招牌。
按照AnandTech的咨詢結果顯示，原本V300使用的是東芝19nm Toggle 2.0 NAND快閃記憶體，而新版V300使用的是美光20nm的非同步NAND快閃記憶體，這兩種快閃記憶體在介面速度上有著很大的區別，前者的介面速度可達200MB/s，而後者只有區區50MB/s左右。盡管關於一些技術上的細節還無法確定，但是兩種快閃記憶體的介面速度相差那麼大，肯定會對SSD的性能產生很大影響。
AnandTech做了測試，以AS-SSD不可壓縮數據的測試結果為例，新版V300連續讀寫速度只有170MB/s和85MB/s，4K隨機讀寫只有15MB/s和65MB/s，相比之下，採用東芝快閃記憶體的舊版V300卻可以跑出475MB/s和150MB/s的連續讀寫速度，4K隨機讀寫也有20MB/s和110MB/s的成績，新版V300的性能只有舊版的一半。
讓玩家最不爽的是，金士頓並沒有公開表示新版V300更換了NAND快閃記憶體，僅僅是在面對媒體質疑時表示他們是希望藉此降低V300的物料成本，絕對不是故意降低產品性能的，同時他們也在尋求新的NAND快閃記憶體供應商。不過這個答復顯然不能讓人滿意，實際上這個問題與快閃記憶體供應商無關，如果金士頓為了降低V300的成本，執意選擇性能較差的NAND快閃記憶體，那麼哪一家供應商都不能讓V300恢復原本性能。
另外金士頓還透露，他們曾經想過把新版V300命名為V305，以方便玩家區別產品，但最後他們還是放棄了這個想法。我們認為金士頓的這個做法其實是不妥的，新版V300和舊版V300存在著巨大的性能差距，作為專業的存儲設備廠商，金士頓自己應該心中有數。原本快閃記憶體供應閃或者是快閃記憶體類型等信息就沒有公布，更換了低性能的快閃記憶體卻還保留原來的型號，玩家買到的產品自然與心中期待的會有很大的差距，這絕對不利於自家品牌的名聲，要知道V300本來就沒有性能優勢，更換低性能快閃記憶體後就連性價比也沒有了。
⑸ 有人知道：紫光國芯 跟 長鑫存儲是什麼關系嗎，懂內存的來
西安紫光國芯一直專注於存儲器領域，尤其是DRAM存儲器的研發和技術積累。該公司在DRAM產品定義、設計、測試、量產和銷售上建立了完整成熟的體系，累計二十餘款晶元產品和四十餘款模組產品，實現了全球的量產和銷售。
紫光內存已經上架兩個系列三款型號，其中台式機內存單條容量4GB、8GB，筆記本內存單條容量4GB，均為無馬甲普條，頻率2400MHz，延遲時序17-17-17，電壓1.2V。4GB DDR4 2400 台式機版本售價129元，8GB售價219元，筆記本4GB DDR4 2400售價129元。
長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來製造4GB和8GB的DDR4內存晶元，目標是在2020年第一季度上市。長鑫存儲還將使用同樣的技術將在2020年下半年製造LPDDR4X內存。該公司的技術路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。
採用長鑫國產DDR4內存晶元/顆粒的光威弈PRO內存條現已在光威官網上架。這款光威弈PRO系列DDR4 3000台式機內存條採用了長鑫DDR4內存晶元，時序為16-18-18-38，有8G/16G兩種容量版本。值得注意的是此前長鑫國產DDR4晶元/LPDDR4X晶元/內存模組也已經上線，官方也開通了銷售資訊通道。
⑹ 64G內存是多少納米晶元
內存大小和製程沒有什麼直接的關聯，不過能做64g的基本上都是海力士三星這幾個大廠，目前用的工藝是10x或者10y，也就是常說的19nm和17nm工藝，值得一提的是目前很火的國內長鑫也在19nm，在嘗試突破17
⑺ 存儲晶元是什麼材料做的
對存儲行業而言，存儲晶元主要以兩種方式實現產品化：
1、ASIC技術實現存儲晶元
ASIC(專用集成電路)在存儲和網路行業已經得到了廣泛應用。除了可以大幅度地提高系統處理能力，加快產品研發速度以外，ASIC更適於大批量生產的產品，根椐固定需求完成標准化設計。在存儲行業，ASIC通常用來實現存儲產品技術的某些功能，被用做加速器，或緩解各種優化技術的大量運算對CPU造成的過量負載所導致的系統整體性能的下降。
2、FPGA 技術實現存儲晶元
FPGA（現場可編程門陣列）是專用集成電路（ASIC）中級別最高的一種。與ASIC相比，FPGA能進一步縮短設計周期，降低設計成本，具有更高的設計靈活性。當需要改變已完成的設計時，ASIC的再設計時間通常以月計算，而FPGA的再設計則以小時計算。這使FPGA具有其他技術平台無可比擬的市場響應速度。
新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷（多數工具以微微秒-百億分之一秒計算）的特性。同時，廠商可對FPGA功能模塊和I/O模塊進行重新配置，也可以在線對其編程實現系統在線重構。這使FPGA可以構建一個根據計算任務而實時定製軟核處理器。並且，FPGA功能沒有限定，可以是存儲控制器，也可以是處理器。新一代FPGA支持多種硬體，具有可編程I/O，IP（知識產權）和多處理器芯核兼備。這些綜合優點，使得FPGA被一些存儲廠商應用在開發存儲晶元架構的全功能產品。
⑻ 工業晶元存儲容量
不知道問的是具體哪個型號呢？參考一下，長江存儲目前獲得快閃記憶體晶元訂單，可生產8GB容量的SD存儲卡。
存儲晶元大廠三星正式宣布已開始量產96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND快閃記憶體晶元。
相比之下，當下的中國大陸的國產存儲產業仍處於剛剛起步階段。紫光旗下的西安紫光國芯有DDR3、DDR4內存顆粒生產，不過技術來源還是已經破產的奇夢達，並不能算是自主技術。
⑼ 有納米晶元嗎為什麼說納米材料的存儲能力是無限的
真正的納米晶元 應該是作為一個完整的功能系統的晶元整體尺寸 數量級在納米范圍內 而目前最先進的半導體工藝尺寸為33nm 且仍處於實驗室階段 主流尺寸為45nm 這里的工藝尺寸指的是 集成電路的最小線寬的大小 就是說一個晶體管的溝道的長度 而一個完整的系統級晶元 至少需要上千萬個晶體管搭建
你說納米尺寸的晶元 有嗎？
存儲能力而言 首先目前的存儲器技術不變的情況下 工藝縮小以為這存儲器規模，集成度可以相應擴大 但其上升速度有限。
納米材料的出現 從根本改變集成電路採用晶體管記憶二值邏輯的存儲機理 量子器件 意味著更小的存儲單元 其更多的狀態 導致多值邏輯的應用
比如說 兩個晶體管 最多表示00 01 10 11 四個數，而一個量子器件的狀態相比起來 那就。。。。
⑽ 晶元存儲數據的原理是什麼
1、 sram 裡面的單位是若干個開關組成一個觸發器, 形成可以穩定存儲 0, 1 信號, 同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值。
2、dram, 主要是根據電容上的電量, 電量大時, 電壓高表示1, 反之表示0
晶元就是有大量的這些單元組成的, 所以能存儲數據。
所謂程序其實就是數據. 電路從存儲晶元讀數據進來, 根據電路的時序還有電路的邏輯運算, 可以修改其他存儲單元的數據