A. 同步和非同步時序電路的區別
同步時序電路和非同步時序電路比較，其差異在於後者沒有統一的時鍾脈沖控制
同步時序電路:電路中各存儲單元的更新是在同一時鍾信號控制下同時完成.
非同步時序電路: 電路中各存儲單元無統一的時鍾控制,不受同一時鍾控制.狀態變化的時刻是不穩定的，通常輸入信號只在電路處於穩定狀態時才發生變化。
B. 問答題 1，同步電路和非同步電路的區別是什麼
同步電路：存儲電路中所有觸發器時鍾輸入接同一個時鍾源，所有觸發器的狀態的變化與所加的時鍾脈沖信號同步。
非同步電路：電路無統一時鍾，觸發器的時鍾輸入與時鍾脈沖源相連，狀態變化與時鍾同步，其他觸發器狀態變化不同步
C. 同步ram和非同步ram的區別
同步SRMA比非同步SRAM更快。 內存，或內存儲器，又稱為主存儲器，是關繫到計算機運行性能高低的關鍵部件之一，無疑是非常重要的。為了加快系統的速度，提高系統的整體性能，我們看到，計算機中配置的內存數量越來越大，而內存的種類也越來越多。 內存新技術 計算機指令的存取時間主要取決於內存。對於現今的大多數計算機系統，內存的存取時間都是一個主要的制約系統性能提高的因素。因此在判斷某一系統的性能時，就不能單憑內存數量的大小，還要看一看其所用內存的種類，工作速度。 有關內存的名詞 關於內存的名詞眾多。為了便於讀者查閱，下面集中進行介紹。 ROM：只讀存儲器 RAM（Random Access Memory）：隨機存儲器 DRAM（Dynamic RAM）：動態隨機存儲器 PM RAM（Page Mode RAM）：頁模式隨機存儲器（即普通內存） FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速頁模式隨機存儲器 EDO RAM（Extended Data Output RAM）擴充數據輸出隨機存儲器 BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突發擴充數據輸出隨機存儲器 SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步動態隨機存儲器 SRAM（Static RAM）：靜態隨機存儲器 Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：非同步靜態隨機存儲器 Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突發靜態隨機存儲器 PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水線）突發靜態隨機存儲器 Cache：高速緩存 L2 Cache（Level 2 Cache）：二級高速緩存（通常由SRAM組成） VRAM（Video RAM）：視頻隨機存儲器 CVRAM（Cached Vedio RAM）：緩存型視頻隨機存儲器 SVRAM（Synchronous VRAM）：同步視頻隨機存儲器 CDRAM（Cached DRAM）：緩存型動態隨機存儲器 EDRAM（Enhanced DRAM）：增強型動態隨機存儲器 各種內存及技術特點 DRAM 動態隨機存儲器 DRAM主要用作主存儲器。長期以來，我們所用的動態隨機存儲器都是PM RAM，稍晚些的為FPM RAM。為了跟上CPU越來越快的速度，一些新類型的主存儲器被研製出來。它們是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。 DRAM晶元設計得象一個二進制位的矩陣，每一個位有一個行地址一個列地址。內存控制器要給出晶元地址才能從晶元中讀出指定位的數據。一個標明為70ns的晶元要用70ns的時間讀出一個位的數據。並且還要用額外的時間從CPU得到地址信息設置下一條指令。晶元製作技術的不斷進步使這種處理效率越來越高。 FPM RAM 快速頁模式隨機存儲器 這里的所謂「頁」，指的是DRAM晶元中存儲陣列上的2048位片斷。FPM RAM是最早的隨機存儲器，在過去一直是主流PC機的標准配置，以前我們在談論內存速度時所說的「杠7」，「杠6」，指的即是其存取時間為70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用於匯流排速度為66MHz（兆赫茲）的奔騰系統（CPU主頻為100，133，166和200MHz）。 快速頁模式的內存常用於視頻卡，通常我們也叫它「DRAM」。其中一種經過特殊設計的內存的存取時間僅為48ns，這時我們就叫它VRAM。這種經過特殊設計的內存具有「雙口」，其中一個埠可直接被CPU存取，而另一個埠可獨立地被RAM「直接存取通道」存取，這樣存儲器的「直接存取通道」不必等待CPU完成存取就可同時工作，從而比一般的DRAM要快些。 EDO RAM 擴充數據輸出隨機存儲器 在DRAM晶元之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現在，人們已注意到RAM晶元的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內的數據流量，即所謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出的嘗試。擴展數據輸出(Extended data out??EDO，有時也稱為超頁模式??hyper－page－mode
打字不易，如滿意，望採納。
D. 同步觸發器和非同步觸發器的主要區別是
答案是C。兩者主要在是否受CP控制、是否有時鍾以及是否是用同一個時鍾脈沖信號等三方面存在區別。
一、是否受CP控制
同步觸發器：同步觸發器受CP控制。
非同步觸發器：非同步觸發器不受CP控制。
二、是否有時鍾
同步觸發器：同步觸發器有時鍾。
非同步觸發器：非同步觸發器沒有時鍾。
三、是否是用同一個時鍾脈沖信號
同步觸發器：多個觸發器用同一個時鍾脈沖信號。
非同步觸發器：多個觸發器用不同的時鍾脈沖信號。
(4)存儲同步非同步區別擴展閱讀
與常規RS觸發器相比，同步RS觸發器多出一個端子，稱為時鍾信號輸入端支結構可以使同步RS觸發器根據時鍾脈沖時序改變輸出狀態。
當輸入端(S、R)狀態發生變化.同時只有時鍾信號輸入端有方波信號時，同步RS觸發器狀態才會發生改變。即在時鍾脈沖下降沿時，觸發器才會按照輸入狀態改變輸出狀態,反之亦然。
非同步觸發器是最常用的一種觸發器。
UpdatePanel的每個子控制項默認都是一個非同步觸發器。這說明，與這些控制項交互所導致的回送會替換為非同步回送，將要求UpdatePanel渲染其內容。
AsyncPostBackTrigger有兩個屬性。第一個屬性是ControlID，這是產生事件的控制項的ID。第二個屬性EventName可選，可以想見，這是導致非同步回送的控制項事件的事件名稱。
如果EventName未初始化，默認為控制項最常見的事件（例如，對於按鈕控制項則是click事件）。
E. 數據災備同步備份和非同步備份的區別
數據級容災：就是指建立一個異地的數據系統，該系統是本地關鍵應用數據的一個可用復制。在本地數據及整個應用系統出現災難時，至少在異地保存有一份可用的關鍵業務的數據。該數據可以是與本地生產數據的完全實時復制，也可以比本地數據略微落後，但一定是可用的。
應用級容災：在數據級容災基礎上，在異地建立一套與本地生產系統相當的備份環境，包括主機、網路、應用、IP等資源均有配套，當本地系統發生災難時，異地系統可以提供完全可用的生產環境。
數據級災備是應用級災備的基礎，應用級災備是數據級災備的升級版，兩者最主要的區別在於應用級災備在數據級災備的基礎上還能夠保障業務連續性。尤其是近年來優勢明顯的CDP容災備份技術，和力記易以CDP持續數據保護技術為核心，可以構建異地桌面端或伺服器端的文件、資料庫和應用的全需求平台，能夠防範數據丟失、修復數據錯誤，還能保障業務連續，全方位滿足客戶不同的數據安全和業務連續性要求。
F. 關於同步置零，非同步置零，同步置位，非同步置位的區別
區分：
同步置零是指觸發器在時鍾信號的激勵下，在時鍾的上升沿或者下降沿時，觸發器內的數據被置零。
非同步置零是指觸發器在激勵信號的激勵下，在信號的上升沿或者下降沿時，觸發器內的數據被置零。
同步置位是指觸發器在時鍾信號的激勵下，在時鍾的上升沿或者下降沿時，觸發器內的數據被置位。
非同步置位是指觸發器在激勵信號的激勵下，在信號的上升沿或者下降沿時，觸發器內的數據被置位。
另外說明一下：
1.所謂的同步，就是指觸發器在受到激勵信號激勵時，輸出還要與時鍾信號保持一致，即在時鍾信號上升沿或下降沿的作用下置零或置位。
2.所謂的非同步，就是指觸發器輸出不必與時鍾信號一致，只要有激勵信號的上升沿或者下降沿的激勵，那麼它就會置零或者置位。
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常用的觸發器-D觸發器簡介：
D觸發器是一個具有記憶功能的，具有兩個穩定狀態的信息存儲器件，是構成多種時序電路的最基本邏輯單元，也是數字邏輯電路中一種重要的單元電路。
在數字系統和計算機中有著廣泛的應用。觸發器具有兩個穩定狀態，即"0"和"1"，在一定的外界信號作用下，可以從一個穩定狀態翻轉到另一個穩定狀態。
觸發器有集成觸發器和門電路組成的觸發器。觸發方式有電平觸發和邊沿觸發兩種，前者在CP(時鍾脈沖)=1時即可觸發，後者多在CP的前沿（正跳變0→1）觸發。
D觸發器的次態取決於觸發前D端的狀態，即次態=D。因此，它具有置0、置1兩種功能。
對於邊沿D觸發器，由於在CP=1期間電路具有維持阻塞作用，所以在CP=1期間，D端的數據狀態變化，不會影響觸發器的輸出狀態。
D觸發器應用很廣，可用做數字信號的寄存，移位寄存，分頻和波形發生器等等。
G. 數字電路電路中，同步電路和非同步電路的區別
數字電路電路中，同步電路（即同步時序邏輯電路）和非同步電路（即非同步時序邏輯電路）有3點不同：
一、兩者的概述不同：
1、同步電路的概述：在同步時序邏輯電路中有一個公共的時鍾信號，電路中各記憶元件受它統一控制，只有在該時鍾信號到來時，記憶元件的狀態才能發生變化，從而使時序電路的輸出發生變化，而且每來一個時鍾信號，記憶元件的狀態和電路輸出狀態才能改變一次。
2、非同步電路的概述：非同步時序邏輯是電路的工作節奏不一致，不存在單一的主控時鍾，主要是用於產生地址解碼器、FIFO和非同步RAM的讀寫控制信號脈沖。
二、兩者的特點不同：
1、同步電路的特點：同步邏輯最主要的優點是它很簡單。每一個電路里的運算必須要在時鍾的兩個脈沖之間固定的間隔內完成，稱為一個 '時鍾周期'。只有在這個條件滿足下（不考慮其他的某些細節），電路才能保證是可靠的。
2、非同步電路的特點：除可以使用帶時鍾的觸發器外，還可以使用不帶時鍾的觸發器和延遲元件作為存儲元件；電路狀態改變完全有外部輸入的變化直接引起。由於非同步電路沒有統一的時鍾，狀態變化的時刻是不穩定的，通常輸入信號只在電路處於穩定狀態時才發生變化。
三、兩者的電路分析不同：
1、同步電路的電路分析：均先依據電路圖得到電路描述的三大方程，即驅動（激勵）方程、狀態方程（組）、輸出方程，然後依據三大方程得出描述電路邏輯功能的三大圖表（通常時序圖為實驗或模擬條件下的觀察圖像，分析時可略），最後依據圖表描述電路的邏輯功能。
2、非同步電路的電路分析：非同步時序邏輯電路分析時，還需考略各觸發器的時鍾信號，當某觸發器時鍾有效信號到來時，該觸發器狀態按狀態方程進行改變，而無時鍾有效信號到來時，該觸發器狀態將保持原有的狀態不變。
H. 什麼是同步系統，什麼是非同步系統
同步和非同步是相對於電腦所言的，所謂的同步系統，是指顯示屏所顯示的內容和電腦顯示器同步顯示的LED顯示屏控制系統；非同步系統是指，將計算機編輯好的顯示數據事先存儲在顯示屏控制系統內，計算機關機後不會影響LED顯示屏的正常顯示，這樣的控制系統就是非同步控制系統
I. SRAM中同步和非同步有什麼區別
同步SRMA比非同步SRAM更快。 內存，或內存儲器，又稱為主存儲器，是關繫到計算機運行性能高低的關鍵部件之一，無疑是非常重要的。為了加快系統的速度，提高系統的整體性能，我們看到，計算機中配置的內存數量越來越大，而內存的種類也越來越多。 內存新技術 計算機指令的存取時間主要取決於內存。對於現今的大多數計算機系統，內存的存取時間都是一個主要的制約系統性能提高的因素。因此在判斷某一系統的性能時，就不能單憑內存數量的大小，還要看一看其所用內存的種類，工作速度。 有關內存的名詞 關於內存的名詞眾多。為了便於讀者查閱，下面集中進行介紹。 ROM：只讀存儲器 RAM（Random Access Memory）：隨機存儲器 DRAM（Dynamic RAM）：動態隨機存儲器 PM RAM（Page Mode RAM）：頁模式隨機存儲器（即普通內存） FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速頁模式隨機存儲器 EDO RAM（Extended Data Output RAM）擴充數據輸出隨機存儲器 BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突發擴充數據輸出隨機存儲器 SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步動態隨機存儲器 SRAM（Static RAM）：靜態隨機存儲器 Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：非同步靜態隨機存儲器 Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突發靜態隨機存儲器 PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水線）突發靜態隨機存儲器 Cache：高速緩存 L2 Cache（Level 2 Cache）：二級高速緩存（通常由SRAM組成） VRAM（Video RAM）：視頻隨機存儲器 CVRAM（Cached Vedio RAM）：緩存型視頻隨機存儲器 SVRAM（Synchronous VRAM）：同步視頻隨機存儲器 CDRAM（Cached DRAM）：緩存型動態隨機存儲器 EDRAM（Enhanced DRAM）：增強型動態隨機存儲器 各種內存及技術特點 DRAM 動態隨機存儲器 DRAM主要用作主存儲器。長期以來，我們所用的動態隨機存儲器都是PM RAM，稍晚些的為FPM RAM。為了跟上CPU越來越快的速度，一些新類型的主存儲器被研製出來。它們是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。 DRAM晶元設計得象一個二進制位的矩陣，每一個位有一個行地址一個列地址。內存控制器要給出晶元地址才能從晶元中讀出指定位的數據。一個標明為70ns的晶元要用70ns的時間讀出一個位的數據。並且還要用額外的時間從CPU得到地址信息設置下一條指令。晶元製作技術的不斷進步使這種處理效率越來越高。 FPM RAM 快速頁模式隨機存儲器 這里的所謂「頁」，指的是DRAM晶元中存儲陣列上的2048位片斷。FPM RAM是最早的隨機存儲器，在過去一直是主流PC機的標准配置，以前我們在談論內存速度時所說的「杠7」，「杠6」，指的即是其存取時間為70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用於匯流排速度為66MHz（兆赫茲）的奔騰系統（CPU主頻為100，133，166和200MHz）。 快速頁模式的內存常用於視頻卡，通常我們也叫它「DRAM」。其中一種經過特殊設計的內存的存取時間僅為48ns，這時我們就叫它VRAM。這種經過特殊設計的內存具有「雙口」，其中一個埠可直接被CPU存取，而另一個埠可獨立地被RAM「直接存取通道」存取，這樣存儲器的「直接存取通道」不必等待CPU完成存取就可同時工作，從而比一般的DRAM要快些。 EDO RAM 擴充數據輸出隨機存儲器 在DRAM晶元之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現在，人們已注意到RAM晶元的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內的數據流量，即所謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出的嘗試。擴展數據輸出(Extended data out??EDO，有時也稱為超頁模式??hyper－page－mode