A. 虛擬機存儲延遲 究竟是什麼原因
第一個可能是你主機配置不夠強勁。
第二是 你虛擬機配置得不夠合理，主要是內存。
第三，你你安裝得系統不夠精簡，一般虛擬機最好安裝精簡版得系統。
B. 數據的海量性帶來的問題是存儲不便和計算結果的遲滯，處理策略有幾種
兩種
處理策略不外乎兩種：一種是把所有的數據都交給伺服器，為此必須尋求更高檔次的伺服器甚至計算中心。另一種是化整為零，提高物聯網中每一個元素的智能化水平或計算能力，使其自身能夠完成數據中間處理過程，剩餘的再傳遞到伺服器完成最終處理。這種化整為零式的計算實際上就是海計算
C. 為什麼提高延遲能使內存運行在更高的頻率
因為內存晶元的體質決定了它的潛力，你可以吧延遲加頻率看做內存的綜合體質，一個高了另一個就要做出一定的降低。
比如把延遲看成敏捷，延遲越低敏捷越高；頻率看成力量，頻率越高力量越大；設定內存綜合體質為10，當力量加1的時候敏捷相應的就要減1。而我們說的超頻你可以看成是提高綜合體質，呵呵。。。
D. 內存延遲的詳解
內存延遲時間有個專門的術語叫「Latency」。要形象的了解延遲，我們不妨把內存當成一個存儲著數據的數組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數據的位置，每個數據都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之後該數據就唯一了。內存工作時，在要讀取或寫入某數據，內存控制晶元會先把數據的行地址傳送過去，這個RAS信號（Row Address Strobe，行地址信號）就被激活，而在轉化到行數據前，需要經過幾個執行周期，然後接下來CAS信號（Column Address Strobe，列地址信號）被激活。在RAS信號和CAS信號之間的幾個執行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS信號被執行之後同樣也需要幾個執行周期。此執行周期在使用標准PC133的SDRAM大約是2到3個周期，而DDR RAM則是4到5個周期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執行周期。RAS-to-CAS的時間則視技術而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。
CL設置較低的內存具備更高的優勢，這可以從總的延遲時間來表現。內存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統時鍾周期×CL模式數+存取時間（tAC）。首先來了解一下存取時間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數輸入時鍾，是以納秒為單位的，與內存時鍾周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間（tAC）代表著讀取、寫入的時間，而時鍾頻率則代表內存的速度。
E. 內存延遲
內存重要參數理論學習
CAS
CAS意為列地址選通脈沖(Column Address Strobe或者Column Address Select),CAS控制著從收到命令到執行命令的間隔時間，通常為2、2.5、3這個幾個時鍾周期。在整個內存矩陣中，因為CAS按列地址管理物理地址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值越低越好。過程是這樣的，在內存陣列中分為行和列，當命令請求到達內存後，首先被觸發的是tRAS(Active to Precharge Delay)，數據被請求後需預先充電，一旦tRAS被激活後，RAS才開始在一半的物理地址中定址，行被選定後，tRCD初始化，最後才通過CAS找到精確的地址。整個過程也就是先行定址再列定址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。因為CAS是定址的最後一個步驟，所以在內存參數中它是最重要的。
tRAS
tRAS在內存規范的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求後到初始化RAS（行地址選通脈沖）真正開始接受數據的間隔時間。這個參數看上去似乎很重要，其實不然。內存訪問是一個動態的過程，有時內存非常繁忙，但也有相對空閑的時候，雖然內存訪問是連續不斷的。tRAS命令是訪問新數據的過程(例如打開一個新的程序)，但發生的不多。
tRCD
根據標准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲)，對應於CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內存定址。RAS(數據請求後首先被激發)和CAS(RAS完成後被激發)並不是連續的，存在著延遲。然而，這個參數對系統性能的影響並不大，因為程序存儲數據到內存中是一個持續的過程。在同個程序中一般都會在同一行中定址，這種情況下就不存在行定址到列定址的延遲了。
tRP
指RAS Precharge Time，行預充電時間。也就是內存從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS，然後RAS、tRCD和CAS之後，需要結束當前的狀態然後重新開始新的循環，再從tRAS開始。這也是內存工作最基本的原理。如果你從事的任務需要大量的數據變化，例如視頻渲染，此時一個程序就需要使用很多的行來存儲，tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度越快。
F. 內存延遲高有什麼影響
內存是計算機的重要部件之一。
它是外存與CPU進行溝通的橋梁，計算機中所有程序的運行都在內存中進行。
內存性能的強弱影響計算機整體發揮的水平。
內存(Memory)也稱內存儲器和主存儲器，它用於暫時存放CPU中的運算數據，與硬碟等外部存儲器交換的數據。
只要計算機開始運行，操作系統就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算。當運算完成，CPU將結果傳送出來。
內存的運行也決定計算機整體運行快慢的程度。
內存條由內存晶元、電路板、金手指等部分組成。[1]
中文名
內存
外文名
Memory
別名
內存儲器
所屬
計算機
介面類型
DIP、SIMM、DIMM
快速
導航
發展分類介面類型技術指標選購方法故障修復常見誤解
概述
在計算機的組成結構中有一個很重要的部分是存儲器。它是用來存儲程序和數據的部件。
內存
對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。
存儲器的種類很多。按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港台稱之為記憶體）。[2]
內存又稱主存。它是CPU能直接定址的存儲空間，由半導體器件製成。特點是存取速率快。
內存是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。
我們平常使用的程序，如：Windows操作系統、打字軟體、游戲軟體等。一般安裝在硬碟等外存上，但僅此是不能使用其功能，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能。
G. 模電 遲滯比較器問題
遲滯比較，顧名思義，總是要拖到後面，Vi從小到大，先經過下門限，還是先到上門限？
如果超過下門限就跳躍，那麼告訴我該什麼時候跳回來（如果退回到下門限電壓下面就跳回那就成了單門限比較器了）？因為按照這個邏輯推論，應該在Vi從大變小，低於上門限跳回來。那麼如果Vi在兩個門限的中間，那麼按照下門限定義，該跳過去，按照上門限的定義該跳回來？還是要求比較器具有數字存儲器的記憶功能，記住上次是從哪裡跳來的？
另外比較器只是根據輸入電壓情況改變輸出電壓，不能限制輸入電壓的變化，就像老闆給你發指令，你只能傳達指揮你的下屬，不能夠篡改老闆的指令甚至反過來指揮老闆。
H. 為什麼第一代計算機的內存儲器要用水銀延遲線
那時還沒有現在這樣的存儲單元，只能用這種東西來存儲數據。
原理簡單是：把代表數據的脈沖從裝水銀的管子的一頭傳到另一頭，傳播要一秒的時間，在這一秒數據就存住了，要刷新來保持，一根管子可以同時存在多個脈沖
I. 遲滯比較器和過零比較器相比具有哪些優點
過零比較器當輸入信號在門限值附近有微小干擾波動時，輸出電平就會產生相應的起伏，而遲滯比較器由於在電路中引入了正反饋克服了這一缺點，因此抗干擾能力比過零比較器更強；遲滯比較器加有正反饋可以加快比較的速度。
過零比較器只能比較輸入與零電位的大小，而遲滯比較器可以通過調整相應的參數實現與任意電位的比較。
(9)遲滯為什麼可用於存儲擴展閱讀：
遲滯比較器的工作原理：
ui》U+，輸出為－Uom，此時，u+=U－。輸入信號由大變小時，小到比U－小一點時，輸出跳變為Uom，此時，u+=U+。
ui《U－，輸出為Uom，此時，u+=U+。輸入信號由小變大時，大到比U+大一點時，輸出跳變為－Uom，此時，u+=U－。
由上分析可以看出，遲滯比較器有兩個門限電壓。輸入單方向變化試，輸出只跳變一次。輸入由大變小時，對應小的門限電壓；輸入由小變大時，對應大的門限電壓。在兩個門限電壓之間，輸出保持原來的輸出。