❶ 電路中穩壓器和整流器有什麼區別嗎
穩壓器就是把電壓穩定在一定范圍，不僅是把直流穩壓，也有交流穩壓器。
整流器是把有正負變化的電轉化為單個方向的電。在直流中應用可能是某種特殊需要，比如在直流電源介面加上整流橋，可以防止電源極性接反帶來的損害。
❷ 什麼叫存儲器存儲中內存與外存有什麼區別
存儲器顧名思義就是用來存儲數據的東西
存儲器包含，只讀存儲器，例如 DVD CD 所有光碟等等都是
可擦寫存儲器 ，例如 包含 硬碟 TF卡 SD卡 U盤等等
包含常見的ROM ，比如24C08 25Q80 PLCC封裝的BIOS晶元的ROM存儲器
電可擦寫以及其他的存儲器有24系列 25系列 27系列這些常用在單片機或MCU（微型處理器）的外部存儲
有內存等臨時存儲器
當然磁帶也包含在存儲器的范圍內
我們常說的和常見的存儲器就包含光碟 硬碟 U盤 和內存卡
❸ 什麼是整流什麼是濾波 謝謝
整流：調整氣流、水流或電流的形態，或能對氣流、水流或電流的形態進行調整。在電力電子方面：將交流電變換為直流電稱為AC/DC變換，這種變換的功率流向是由電源傳向負載，稱之為整流。
濾波：是將信號中特定波段頻率濾除的操作，是抑制和防止干擾的一項重要措施。是根據觀察某一隨機過程的結果，對另一與之有關的隨機過程進行估計的概率理論與方法。濾波是信號處理中的一個重要概念，濾波分經典濾波和現代濾波兩種。
(3)在存儲器中整流是什麼意思擴展閱讀：
整流電路的任務是利用二極體的單向導電性，把正、負交變的50Hz電網電壓變成單方向脈動的直流電壓。整流電路只是將交流電變換為單方向的脈動電壓和電流，由於後者含有較大的交流成分，通常還需在整流電路的輸出端接入濾波電路，以濾除交流分量，從而得到平滑的直流電壓。
而濾波電路交流電經過整流後得到的是脈動直流，這樣的直流電源由於所含交流紋波很大，不能直接用作電子電路的電源。濾波電路可以大大降低這種交流紋波成份，讓整流後的電壓波形變得比較平滑。
❹ 整流是什麼意思
整流電路整流電路
rectifying circuit
把交流電能轉換為直流電能的電路。大多數整流電路由
變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動機的調速、發電機的勵磁調節、電解、電鍍等領域得到廣泛應用。整流電路通常由主電路、濾波器和變壓器組成。20世紀70年代以後，主電路多用硅整流二極體和晶閘管組成。濾波器接在主電路與負載之間，用於濾除脈動直流電壓中的交流成分。變壓器設置與否視具體情況而定。變壓器的作用是實現交流輸入電壓與直流輸出電壓間的匹配以及交流電網與整流電路之間的電隔離（可減小電網與電路間的電干擾和故障影響）。
整流電路按其組成器件可分為不控整流電路、半控整流電路和全控整流電路。後兩種電路按其控制方式又可分為相控整流電路和斬波整流電路（見電力電子電路）。相控整流電路由於採用電網換相方式，不需要專門的換相電路，因而電路簡單、工作可靠，得到廣泛應用。但相控整流電路在控制用α較大時，功率因數較低，網側電流諧波含量較大。因而在大功率調速傳動中，低速運行時，採用斬控整流電路可解決功率因數變壞的問題。
整流電路（Rectifier）是電力電子電路中最早出現的一種，它將交流電變為直流電，應用十分廣泛，電路形式各種各樣；按組成的器件可分為不可控、半控和全控三種，按電路結構可分為橋式電路和零式電路，按交流輸入相數分為單相電路和多相電路，按變壓器二次側電流的方向是單相或雙相，又分為單拍電路和雙拍電路；實用電路是上述的組合結構。
❺ 請問電路中的整流,濾波是什麼意思和作用盡量詳細點！謝謝！
簡單，不用什麼詳細。。
整流：把交流電變換成近似直流電的電路。
最原始的整流電路為半波整流，也就是在交流迴路中串接一個二極體，利用二極體的單向導通性，將交流電的負半波切去，只保留間隔一個半波時隙的正半波，因為沒有負半波而只有正半波的脈動電動勢，故稱半波整流
更高一級的是全波整流，四個背對背的二極體構成全波整流電路，把交流電的負半波反轉後填到兩個正半波之間的時隙中，使電源電流波形成為連續起伏的近似直流電
濾波：把波形不平直的近似直流電流修整成為盡可能平直的直流電流，或者在存在多種不同頻率信號的電路中揀取需要的頻率波形，而去掉其他頻率波形。
最簡單的濾波就是電源濾波電路，上面說了全波整流後得到的是起伏脈動的電動勢，在全橋整流電路的輸出端並接一個電容器，利用電容器的充放電特性，在脈動電流達到峰值的時候充電，在跌到曲線底部的時候放電補充電流輸出，使輸出到負載的電流波形盡可能平直
或者，在個電路中只需要某一頻率的信號，卻混雜著其他頻率的信號，那麼利用RC電路的頻率敏感性，將電路輸出端串接一個對有用信號頻率敏感的RC濾波電路，只通過有用的信號，而阻隔了其他噪音信號的通過。
❻ 電路中的同步整流是什麼意思
同步整流技術是採用通態電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極體，因此能大大降低整流器的損耗，提高DC／DC變換器的效率，滿足低壓、大電流整流的需要。首先介紹了同步整流的基本原理，然後重點闡述同步整流式DC／DC電源變換器的設計。 字串5
關鍵詞：同步整流；磁復位；箝位電路；DC／DC變換器
1 同步整流技術概述 字串7
近年來隨著電源技術的發展，同步整流技術正在向低電壓、大電流輸出的DC／DC變換器中迅速推廣應用。DC／DC變換器的損耗主要由3部分組成：功率開關管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極體的導通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復二極體（FRD）或超快恢復二極體（SRD）可達1.0～1.2V，即使採用低壓降的肖特基二極體（SBD），也會產生大約0.6V的壓降，這就導致整流損耗增大，電源效率降低。舉例說明，目前筆記本電腦普遍採用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓，所消耗的電流可達20A。此時超快恢復二極體的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50％。即使採用肖特基二極體，整流管上的損耗也會達到（18％～40％）PO，占電源總損耗的60％以上。因此，傳統的二極體整流電路已無法滿足實現低電壓、大電流開關電源高效率及小體積的需要，成為制約DC／DC變換器提高效率的瓶頸。
同步整流是採用通態電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極體以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC／DC變換器的效率並且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓。功率MOSFET屬於電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。
為滿足高頻、大容量同步整流電路的需要，近年來一些專用功率MOSFET不斷問世，典型產品有FAIRCHILD公司生產的NDS8410型N溝道功率MOSFET，其通態電阻為0.015Ω。Philips公司生產的SI4800型功率MOSFET是採用TrenchMOSTM技術製成的，其通、斷狀態可用邏輯電平來控制，漏－源極通態電阻僅為0.0155Ω。IR公司生產的IRL3102（20V／61A）、IRL2203S（30V／116A）、IRL3803S（30V／100A）型功率MOSFET，它們的通態電阻分別為0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω，在通過20A電流時的導通壓降還不到0.3V。這些專用功率MOSFET的輸入阻抗高，開關時間短，現已成為設計低電壓、大電流功率變換器的首選整流器件。
最近，國外IC廠家還開發出同步整流集成電路（SRIC）。例如，IR公司最近推出的IR1176就是一種專門用於驅動N溝道功率MOSFET的高速CMOS控制器。IR1176可不依賴於初級側拓撲而單獨運行，並且不需要增加有源箝位（activeclamp）、柵極驅動補償等復雜電路。IR1176適用於輸出電壓在5V以下的大電流DC／DC變換器中的同步整流器，能大大簡化並改善寬頻網伺服器中隔離式DC／DC變換器的設計。IR1176配上IRF7822型功率MOSFET，可提高變換器的效率。當輸入電壓為＋48V，輸出為＋1.8V、40A時，DC／DC變換器的效率可達86％，輸出為1.5V時的效率仍可達到85％。2 同步整流的基本原理 字串4
單端正激、隔離式降壓同步整流器的基本原理如圖1所示，V1及V2為功率MOSFET，在次級電壓的正半周，V1導通，V2關斷，V1起整流作用；在次級電壓的負半周，V1關斷，V2導通，V2起到續流作用。同步整流電路的功率損耗主要包括V1及V2的導通損耗及柵極驅動損耗。當開關頻率低於1MHz時，導通損耗佔主導地位；開關頻率高於1MHz時，以柵極驅動損耗為主。
2.1 磁復位電路的設計 字串6
正激式DC／DC變換器的缺點是在功率管截止期間必須將高頻變壓器復位，以防止變壓器磁芯飽和，因此，一般需要增加磁復位電路（亦稱變壓器復位電路）。圖2示出單端降壓式同步整流器常用的3種磁復位電路：輔助繞組復位電路，R，C，VDZ箝位電路，有源箝位電路。3種磁復位的方法各有優缺點：輔助繞組復位法會使變壓器結構復雜化；R，C，VDZ箝位法屬於無源箝位，其優點是磁復位電路簡單，能吸收由高頻變壓器漏感而產生的尖峰電壓，但箝位電路本身也要消耗磁場能量；有源箝位法在上述3種方法中的效率最高，但提高了電路的成本。 字串3
磁復位要求漏極電壓要高於輸入電壓，但要避免在磁復位過程中使DPA－Switch的漏極電壓超過規定值，為此，可在次級整流管兩端並聯一個RS、CS網路，電路如圖3所示。該電路可使高頻變壓器在每個開關周期後的能量迅速恢復到一個安全值，保證UD>UI。當DPA－Switch關斷時，磁感應電流就通過變壓器的次級繞組流出，利用電容CS使磁感應電流減至零。CS的電容量必須足夠小，才能在最短的關斷時間內將磁感應電流衰減到零；但CS的電容量也不能太小，以免漏極電壓超過穩壓管的箝位電壓。電阻RS的電阻值應在1～5Ω之間，電阻值過小會與內部寄生電感形成自激振盪。上述磁復位電路適用於40W以下的開關電源。
2.2 磁復位電路的校驗 字串7
當輸入電壓為最小值或最大值時，要求磁復位電路都能按可控制的范圍將高頻變壓器准確地復位。檢查磁復位情況的最好辦法是觀察DPA－Switch的漏極電壓波形。以圖3所示的磁復位電路為例，當輸入電壓依次為72V、48V和36V時，用示波器觀察到3種磁復位波形分別如圖4所示。 字串2
圖4（a）給出了當輸入電壓為72V時的漏極電壓波形。在輸出整流管上並聯2.2nF的復位電容，可滿足滿載情況下的需要。初級繞組上的箝位電容取47pF。圖中的T表示開關周期，D為占空比，tON=DT為DPA－Switch的導通時間。在tON時間段，高頻變壓器的正向磁通量增大，漏極電壓達到最小值。在tRZ時間段高頻變壓器被復位，儲存在高頻變壓器中的全部能量接近於零，漏極電壓達到最大值。在tRN時間段，高頻變壓器的負向磁通量增大，此時復位電容和箝位電容向變壓器電感放電。在tVO時間段內磁通量保持為負值，此時高頻變壓器初級繞組的電壓為零，這是因為漏極電壓與輸入電壓大小相等（都是72V）而極性相反，互相抵消了。在tVO時間段，負向磁感應電流通過次級繞組。 字串5
圖4（b）給出了當直流輸入電壓為48V時的漏極電壓波形。隨著輸入電壓的降低，占空比開始增大。在tRZ及tRN時間段內的情況與輸入電壓為72V時的情況相同，但在tVO時間段高頻變壓器中的能量接近於零。圖4（c）給出了當輸入電壓為36V時占空比進一步增大的情況。由於漏極電壓在tRZ階段達到峰值，所以高頻變壓器的磁通量已復位到零。當DPA－Switch開啟時它的漏極電壓在負向磁通區域內。在正常工作情況下漏極電壓的峰值應低於150V。這個漏極峰值電壓是由漏感和電感復位時所提供的。 字串8
2.3 箝位電路 字串7
當功率MOSFET由導通變成截止時，在開關電源的一次繞組上就會產生尖峰電壓和感應電壓。其中的尖峰電壓是由高頻變壓器漏感（即漏磁產生的自感）而形成的，它與直流高壓UI和感應電壓UOR疊加後很容易損壞MOSFET。為此，必須增加箝位保護電路，對尖峰電壓進行箝位或吸收。箝位電路分無源箝位、有源箝位兩種。無源箝位電路主要有以下4種設計方案： 字串6
1）利用瞬態電壓抑制器（TVS）和超快恢復二極體（SRD）組成的箝位電路；
字串3
2）利用阻容元件和超快恢復二極體組成的R、C、SRD箝位電路；
字串4
3）由阻容元件構成RC吸收電路； 字串2
4）由幾只高壓穩壓管串聯而成的箝位電路，專門對漏－源電壓uDS進行箝位。 字串6
上述方案中以1）的保護效果最佳，能充分發揮TVS響應速度極快、可承受瞬態高能量脈沖之優點，方案2）次之。鑒於壓敏電阻器（VSR）的標稱擊穿電壓值（U1mA）離散性較大，響應速度也比TVS慢很多，在開關電源中一般不用它構成漏極箝位保護電路。
字串9
有源箝位DC／DC變換器的電路如圖5所示。因電路中使用了有源器件MOSFET（V4）做箝位管，故稱之為有源箝位電路。CC為箝位電容，V3為主功率開關管。由圖5可知，當V4導通時因uGS3=0而使V3關斷。當V4關斷時uGS3使V3導通，就對由變壓器漏感產生的尖峰電壓起到了箝位作用。
3 16.5W同步整流式DC／DC電源變換器的設計 字串4
下面介紹一種正激、隔離式16.5WDC／DC電源變換器，它採用DPA－Switch系列單片開關式穩壓器DPA424R，直流輸入電壓范圍是36～75V，輸出電壓為3.3V，輸出電流為5A，輸出功率為16.5W。採用400kHz同步整流技術，大大降低了整流器的損耗。當直流輸入電壓為48V時，電源效率η=87％。變換器具有完善的保護功能，包括過電壓／欠電壓保護，輸出過載保護，開環故障檢測，過熱保護，自動重啟動功能、能限制峰值電流和峰值電壓以避免輸出過沖。 字串3
由DPA424R構成的16.5W同步整流式DC／DC電源變換器的電路如圖6所示。與分立元器件構成的電源變換器相比，可大大簡化電路設計。由C1、L1和C2構成輸入端的電磁干擾（EMI）濾波器，可濾除由電網引入的電磁干擾。R1用來設定欠電壓值（UUV）及過電壓值（UOV），取R1=619kΩ時，UUV=619kΩ×50μA＋2.35V=33.3V，UOV=619kΩ×135μA＋2.5V=86.0V。當輸入電壓過高時R1還能線性地減小最大占空比，防止磁飽和。R3為極限電流設定電阻，取R3=11.1kΩ時，所設定的漏極極限電流I′LIMIT=0.6ILIMIT=0.6×2.50A=1.5A。電路中的穩壓管VDZ1（SMBJ150）對漏極電壓起箝位作用，能確保高頻變壓器磁復位。
該電源採用漏－源通態電阻極低的SI4800型功率MOSFET做整流管，其最大漏－源電壓UDS(max)=30V，最大柵－源電壓UGS(max)=±20V，最大漏極電流為9A（25℃）或7A（70℃），峰值漏極電流可達40A，最大功耗為2.5W（25℃）或1.6W（70℃）。SI4800的導通時間tON=13ns（包含導通延遲時間td(ON)=6ns，上升時間tR=7ns），關斷時間tOFF=34ns（包含關斷延遲時間td(OFF)=23ns，下降時間tF=11ns），跨導gFS=19S。工作溫度范圍是－55～＋150℃。SI4800內部有一隻續流二極體VD，反極性地並聯在漏－源極之間（負極接D，正極接S），能對MOSFET功率管起到保護作用。VD的反向恢復時間trr=25ns。 字串5
功率MOSFET與雙極型晶體管不同，它的柵極電容CGS較大，在導通之前首先要對CGS進行充電，僅當CGS上的電壓超過柵－源開啟電壓〔UGS(th)〕時，MOSFET才開始導通。對SI4800而言，UGS(th)≥0.8V。為了保證MOSFET導通，用來對CGS充電的UGS要比額定值高一些，而且等效柵極電容也比CGS高出許多倍。 字串2
SI4800的柵－源電壓（UGS）與總柵極電荷（QG）的關系曲線如圖7所示。由圖7可知 字串1
QG=QGS＋QGD＋QOD （1）
字串4
式中：QGS為柵－源極電荷； 字串2
QGD為柵－漏極電荷，亦稱米勒（Miller）電容上的電荷； 字串3
QOD為米勒電容充滿後的過充電荷。 字串8
當UGS=5V時，QGS=2.7nC，QGD=5nC，QOD=4.1nC，代入式（1）中不難算出，總柵極電荷QG=11.8nC。 字串8
等效柵極電容CEI等於總柵極電荷除以柵－源電壓，即
字串7
CEI=QG／UGS （2）
字串5
將QG=11.8nC及UGS=5V代入式（2）中，可計算出等效柵極電容CEI=2.36nF。需要指出，等效柵極電容遠大於實際的柵極電容（即CEI CGS），因此，應按CEI來計算在規定時間內導通所需要的柵極峰值驅動電流IG（PK）。IG（PK）等於總柵極電荷除以導通時間，即
字串8
IG=QG／tON （3）
字串2
將QG=11.8nC，tON=13ns代入式（3）中，可計算出導通時所需的IG(PK)=0.91A。
字串7
同步整流管V2由次級電壓來驅動，R2為V2的柵極負載。同步續流管V1直接由高頻變壓器的復位電壓來驅動，並且僅在V2截止時V1才工作。當肖特基二極體VD2截止時，有一部分能量存儲在共模扼流圈L2上。當高頻變壓器完成復位時，VD2續流導通，L2中的電能就通過VD2繼續給負載供電，維持輸出電壓不變。輔助繞組的輸出經過VD1和C4整流濾波後，給光耦合器中的接收管提供偏置電壓。C5為控制端的旁路電容。上電啟動和自動重啟動的時間由C6決定。 字串6
輸出電壓經過R10和R11分壓後，與可調式精密並聯穩壓器LM431中的2.50V基準電壓進行比較，產生誤差電壓，再通過光耦合器PC357去控制DPA424R的占空比，對輸出電壓進行調節。R7、VD3和C3構成軟啟動電路，可避免在剛接通電源時輸出電壓發生過沖現象。剛上電時，由於C3兩端的電壓不能突變，使得LM431不工作。隨著整流濾波器輸出電壓的升高並通過R7給C3充電，C3上的電壓不斷升高，LM431才轉入正常工作狀態。在軟啟動過程中，輸出電壓是緩慢升高的，最終達到3.3V的穩定值。 字串2
4 結語 字串3
在設計低電壓、大電流輸出的DC／DC變換器時，採用同步整流技術能顯著提高電源效率。在驅動較大功率的同步整流器時，要求柵極峰值驅動電流IG(PK)≥1A時，還可採用CMOS高速功率MOSFET驅動器，例如Microchip公司開發的TC4426A～TC4428A。
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❼ 電路中的整流是什麼意思
dx8769000：你好。
電路中將交流電經過整流元件組成的整流器，整流成直流電，再經濾波環節將輸出的直流電濾波（濾平）的更平滑。
❽ 存儲器是什麼意思
存儲器：在電子計算機中，用來存儲數據和指令等的記憶部件，叫做存儲器。存儲器是由一些編號的單元所組成。單元的編號叫做地址。計算機對存儲器的要求是：一要存取速度快，二要存儲容量大。
存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
(8)在存儲器中整流是什麼意思擴展閱讀：
構成存儲器的存儲介質，存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個位元組（按位元組編址）。
每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進製表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數據的總和稱為它的存儲容量。假設一個存儲器的地址碼由20位二進制數（即5位十六進制數）組成，則可表示2的20次方，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個位元組，則該存儲器的存儲容量為1MB。
❾ 電力電子技術中 術語 『待整流』是什麼意思 『待逆變』又是什麼意思
整流；就是把交流電整成直流電。『待整流』是等待整流，如可控硅整流，1周期待整流，是因為沒有觸發信號，到2周期時有觸發後，進行整流。逆變；就是把直流電逆變為交流電『待逆變』原理同整流正好相反。
❿ 什麼是計算機系統中的存儲器
存儲器是計算機的記憶裝置，它的主要功能是存放程序和數據。程序是計算機操作的依據，數據是計算機操作的對象。不管是程序還是數據，在存儲器中都是用二進制的形式來表示的，並統稱信息。
在計算機中，存儲器容量以位元組（Byte，簡寫為B）為基本單位，一個位元組由8個二進制位（bit）組成。存儲容量的表示單位除了位元組以外，還有KB、MB、GB、TB（可分別簡稱為K、M、G、T，例如，128MB可簡稱為128M）。其中：1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB。
存儲器一般分成主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）。存儲器的組成見圖。
隨機存取存儲器（RAM）
主存儲器（內存）
只讀存儲器（ROM）
存儲器
硬碟
輔助存儲器（外存） 軟盤
光碟
其它
圖1.1.2 存儲器的組成
主存儲器與CPU直接相連，存放當前正在運行的程序和有關數據，存取速度快，但價格較貴，容量不能做得太大，目前微型計算機的內存配置一般為128MB或256MB；
主存儲器（內存）按工作方式又分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）；
隨機存取存儲器（RAM）中的數據可隨機地讀出或寫入，是用來存放從外存調入的程序和有關數據以及從CPU送出的數據。人們通常所說的內存實際上指的是RAM。
只讀存儲器（ROM）佔主存儲器（內存）的很小一部分，在通常情況下CPU對其只取不存，它一般用來存放固定的、專用的程序或數據。
輔助存儲器存放計算機暫時不用的程序和數據（需要時才調入內存），存取速度相對較
慢，但價格比較便宜，容量可以做得很大，例如，現在的硬碟存儲容量通常為幾十GB。
輔助存儲器一般包括硬碟、軟盤、光碟、移動硬碟等。