Ⅰ 計算機的存儲器有幾類,分別有什麼作用
計算機存儲器指計算機的內部存儲區域，以晶元格式和集成電路形式存在。計算機存儲器應用於錄音機或磁碟。術語「存儲器」通常視為物理存儲器的簡稱，作為保留數據的實際可能晶元。有些計算機也使用虛擬存儲器，即在硬碟上擴展物理存儲器。
存儲器分為兩種基本類型：ROM 和 RAM 。
ROM（只讀存儲器）：在 ROM 中，只讀數據是預先記錄的，不能被移動。ROM 不易於丟失，也就是，不管計算機處於開機還是關機狀態，ROM 始終保留其內部內容。大多數個人計算機的 ROM 較小，主要用於存儲一些關鍵性程序，諸如用來啟動計算機的程序。另外，ROM 也用於計算器及外圍設備等，如激光列印機，其字體存儲於 ROM 中。ROM 還存在一些擴展變數，如可編程只讀存儲器（PROM），即採用專用 PROM 編程器在空白晶元上寫入數據。
RAM（隨機存儲器）：該存儲器中的內容可以以任意順序存取（讀、寫和移動）。時序存儲器設備正好與其形成對比，如磁帶、唱片等，其存儲介質的機械運動驅使計算機必須以固定順序存取數據。RAM 通常負責計算機中主要的存儲任務，如數據和程序等動態信息的存儲。RAM 的通用格式包括： SRAM（靜態 RAM）和 DRAM（動態 RAM）。
RAM IC 通常組裝為插槽。常見的標准插槽類型包括：SIMM （Single in-line memory mole）插槽和 DIMM （Dual in-line memory mole）插槽。
此外，還存在一些諸如快閃記憶體（Flash memory）、NVRAM 以及 EEPROM 等存儲器類型，它們是結合 RAM 和 ROM 特徵所獲得的產物。
Ⅱ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
Ⅲ 內存儲器分哪幾三類
1、按存儲介質分類
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
2、按存儲方式分類
隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間與存儲單元的物理位置有關。
3、按存儲器的讀寫功能分類
只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
4、按信息的可保存性分類
非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。
5、按在計算機系統中的作用分類
主存儲器（內存）：用於存放活動的程序和數據，其速度高、容量較小、每位價位高。
輔助存儲器（外存儲器）：主要用於存放當前不活躍的程序和數據，其速度慢、容量大、每位價位低。
緩沖存儲器：主要在兩個不同工作速度的部件起緩沖作用。
Ⅳ 哪個類型的存儲器主要用作緩存存儲器
SRAM，靜態隨機存取存儲器。
Ⅳ 什麼存儲器可用作高速緩存
高速緩存是和cpu和在一起的
換高速緩存就只要能換cpu了
Ⅵ 儲存器可分為哪三類
儲存器可分為隨機存儲器、只讀存儲器和外存儲器三類。
一、隨機存儲器：隨機存取存儲器（random access memory）又稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。
二、只讀存儲器：其英文簡稱是ROM，它所存儲的數據通常都是裝入主機之前就寫好的，在工作的時候只能讀取而不能像隨機存儲器那樣隨便寫入，但是只讀存儲器有的所存儲的數據十分穩定。而且只讀存儲器的結構十分簡單，讀出很簡便，因此一般用於存儲各種的程序與數據的地方。
三、外存儲器：外存儲器包括軟盤存儲器、硬碟存儲器、移動存儲器、快閃記憶體檔（優盤）、移動硬碟、固態硬碟（SSD）、光碟存儲器等。外儲存器是指除計算機內存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電後仍然能保存數據。
(6)哪個類型存儲器用作緩存存儲器擴展閱讀
儲存器主要採用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。
一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個位元組。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進製表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數據的總和稱為它的存儲容量。
Ⅶ 用作高速緩存的存儲器一般是
SRAM。
靜態隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。
然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。
SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種。
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SRAM的問題：
1、採用FinFET晶體管的最新CMOS技術，單元尺寸的效率越來越低。
平面到FinFET的轉變對SRAM單元的布局效率具有顯著影響。使用FinFET的臨界間距逐漸縮小導致SRAM單元尺寸減小迅速減慢。考慮到對更大的片上SRAM容量的不斷增長的需求，這種情況的時機不會更糟。距離SRAM將占據DSA處理器大小的情況並不遙遠。
2、從正電源通過SRAM單元流到地的漏電流。
其中很大一部分原因是亞閾值晶體管泄漏呈指數級溫度激活，這意味著隨著晶元變熱，它會急劇增加。這導致能量浪費，因為它沒有任何有用的工作。雖然通常稱為靜態功耗，但這種泄漏也會在SRAM處於有效使用狀態時發生，並形成浪費能量的下限。
Ⅷ 計算機存儲器可分為幾類它們的主要區別是什麼
計算機存儲器可分為兩類，分別有內存和外存。
二者的區別：
1、位置不同
內存也被稱為內存儲器和主存儲器，其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。
外儲存器是指除計算機內存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電後仍然能保存數據。常見的外存儲器有硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
2、特點不同
內存儲器速度快 價格貴，容量小，斷電 後內存內數據會丟失。（ROM 斷電不丟失）
外存儲器 單位價格低，容量大,速度慢, 斷電後數據不會丟失。
(8)哪個類型存儲器用作緩存存儲器擴展閱讀：
外存的類型
軟盤：軟磁碟使用柔軟的聚酯材料製成原型底片，在兩個表面塗有磁性材料。常用軟盤直徑為3.5英寸，存儲容量為1.44MB，軟盤通過軟盤驅動器來讀取數據。
U盤：U盤也被稱為「閃盤」，可以通過計算機的USB口存儲數據。與軟盤相比，由於U盤的體積小、存儲量大及攜帶方便等諸多優點，U盤已經取代軟盤的地位。
硬碟：硬磁碟是由塗有磁性材料額鋁合金圓盤組成的，每個硬碟都由若干個磁性圓盤組成。
磁帶存儲器：磁帶也被稱為順序存取存儲器SAM。它存儲容量很大，但查找速度很慢，一般僅用作數據後備存儲。計算機系統使用的磁帶機有3中類型：盤式磁帶機、數據流磁帶機及螺旋掃描磁帶機。
光碟存儲器：光碟指的是利用光學方式進行信息存儲的圓盤。它應用了光存儲技術，即使用激光在某種介質上寫入信息，然後再利用激光讀出信息。光碟存儲器可分為:CD-ROM、CD-R、CD-RW、和DVD-ROM等。
軟盤、硬碟、光碟、U盤、磁帶都是外部存儲器。從馮.諾依曼的存儲程序工作原理及計算機的組成來說，計算機分為運算器、控制器、存儲器和輸入/輸出設備，這里的存儲器就是指內存，而硬碟屬於輸入/輸出設備。
CPU運算所需要的程序代碼和數據來自於內存，內存中的東西則來自於硬碟，所以硬碟並不直接與CPU打交道。
硬碟相對於內存來說就是外部存儲器。存儲器是用來存儲器數據的,內存有高速緩存和內存,計算機內部存儲,外存就是類似U盤的外部存儲。
Ⅸ 計算機存儲器可分為哪幾類只要區別是什麼
計算機存儲器可分為內存和外存兩大類。
內存和外存的區別：
1，性質不同：
外部存儲器是指除計算機存儲器和CPU緩存以外的存儲器，在斷電後仍能存儲數據。常用外存包括硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
存儲器是計算機中最重要的部件之一。它是與CPU通信的橋梁。計算機中的所有程序都在內存中運行，因此內存的性能對計算機有很大的影響。
2，信息存儲方面不同：
計算機完成作業後，內存存儲設備不需要存儲任何信息。因此，如果內存中沒有信息，則在內存中找不到所需的內容。無法保存在內存模塊上。
保存的信息只能保存在外部存儲器中，如U盤和軟盤。同時，外部存儲容量大，便於攜帶，您可以隨時找到想要的存儲信息。
3，兩者的運行速度不同：
外部存儲器可以長期保存數據，交換速度比較慢，存儲器的交換速度很快，但文件不能永久保存，斷電文件消失。
內存作為一種臨時存儲設備，在計算數據或執行程序時是一種臨時存儲設備。在日常生活中，它不適合長期存儲設備，因此使用時間有限。
(9)哪個類型存儲器用作緩存存儲器擴展閱讀：
內存的工作速度和存儲容量對系統的整體性能、系統的規模和效率都有很大的影響。存儲器是由大規模集成電路構成的半導體存儲器。它可以分為RAM和ROM。
RAM中的信息可以隨機讀寫，但不能長期保存。一旦電源關閉，RAM中的信息將不會被保存。
隨機存取存儲器所採用的存儲單元工作原理的不同又分為靜態隨機存儲器SRAM和靜態隨機存器DRAM。
SRAM採用穩態電路（如觸發器）作為存儲單元，在正常工作狀態下存儲信息，保持穩定，可多次讀取，存取速度比DRAM快，但由於單元電路的復雜性，集成度低於DRAM，價格較高。
Ⅹ 存儲器的類型
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。
1 RAM
易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。
DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。
FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。
目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。