1. qlc tlc mlc slc區別是什麼
除了主控晶元和緩存晶元以外，快閃記憶體顆粒中存儲密度存在差異。
所以快閃記憶體又分為SLC、MLC、TLC和QLC。簡單的說，NAND快閃記憶體的基本原理，QLC容量大，但性能也變差了。PCB板上其餘的大部分位置都是NAND Flash快閃記憶體晶元了。NAND Flash快閃記憶體晶元又分為SLC（單層單元）和MLC（多層單元）NAND快閃記憶體。
分別介紹
QLC：QLC或者可以叫4bit MLC，電壓有16種變化，但是容量能增加33%，就是寫入性能、P/E壽命與TLC相比會進一步降低。具體的性能測試上，美光有做過實驗。讀取速度方面，SATA介面中的二者都可以達到540MB/S，QLC表現差在寫入速度上。
TLC：每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到001有8種變化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構更復雜，P/E編程時間長，寫入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次，部分情況會更低。壽命短只是相對而言的。
MLC：每個cell單元存儲2bit信息，需要更復雜的電壓控制，有00,01,10,11四種變化，這也意味著寫入性能、可靠性能降低了。其P/E壽命根據不同製程在3000-5000次不等。
SLC：每個Cell單元存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，反映出來的特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間，但缺點就是容量低而成本高，畢竟一個Cell單元只能存儲1bit信息。
2. 帶緩存的TLC固態 VS 不帶緩存的MLC，哪個更
選MLC,但是別選海力士的MLC,即便你嫌價格貴，非海力士的MLC顆粒，買TLC也最好買三星，壽命至少比海力士高一點點，故障低一丁點。很多人說TLC的PE為1000左右，什麼120G的盤等於120X1000=120000G，然後每天寫入多少多少都要用多少多少年，但你可知道主控放大讀取和寫入都是2倍！寫入數據需要乘以2？你可以知道顆粒需要看是哪家公司的顆粒？海力士MLC和TLC原自一種顆粒，即低端3D顆粒，是MLC還是TLC，主控決定，TLC最大的缺點就是讀取壽命都要算，而早期的MLC讀取幾乎是無限壽命，海力士MLC不等於我們常規認識的MLC。你可知道顆粒壽命低於40%沒有那個廠商自己的所有顆粒保證數據正常。而且在一塊SSD里有很多個顆粒，寫入數據時也無法做到均衡寫入每個顆粒，比如顆粒1壽命還有50%！顆粒2壽命還有30%！消費級主控根本無法計算優先寫入還有50%的顆粒。如果遇到寫入30%的顆粒，該顆粒已經存在數據寫入或讀取錯誤！結果就是系統卡頓，系統日誌出現磁碟控制區重置！要均衡的寫入顆粒必定大量降低SSD的寫入延遲，還不如機械盤。所以企業SSD都是有隱藏加速塊的，換句話說就是120G的SSD，實際上是180G，甚至240G，多餘的空間是為了寫入持續性性能不丟失而准備的，只是我們無法訪問，主控去訪問而已。至於寫入多少，CrystalDiskInfo可以看到總計寫入多少數據，和主機寫入量剛好是2倍左右，那些媒體拿錢誤導消費者什麼TLC怎麼好，一句話你如果覺得你的電腦數據不值錢，反正有雲盤（前提記得經常備份數據），3年左右硬碟壞了換一塊就行，那無所謂。實際上我測試過網吧收費機，什麼金士頓硬碟，顆粒是某海力士的TLC，大家都去過網吧吧，收費機每天開機24小時不關機，每天刷身份證而已，不允許收銀員再收銀機上網，做任何事，因為有單獨的電腦給他們，而收費機的寫入的數據和讀取的數據，才多大點，相當於一個家用機的數據而已，遠遠沒有你經常下載電影的數據大，1年左右不超過2年就壞！我手裡維護的網吧沒有一家列外。
3. 致鈦固態硬碟採用的SLC緩存技術有什麼用
1、SLC緩存技術是通過主控機制和固件，在快閃記憶體顆粒內部劃分一部分獨立空間，模擬SLC顆粒工作模式，在一定空間和時間內部發揮相當於SLC顆粒的寫入性能。
2、簡單來說，SLC緩存技術的使用使得TLC、QLC等寫入速度慢的顆粒有一個緩沖，使這些類型的固態硬碟看上去寫入速度很高。
3、使用這種技術的固態硬碟都會劃分出一定空間（如2GB、10GB等）模擬SLC顆粒的讀寫，但是一旦超過緩存的容量，TLC、QLC本身的真實水平就會展現，這個時候寫入就會掉速。
4. 固態硬碟是否需要有緩存
有外部緩存優勢是性能一致性更好，也就跡薯是空盤和滿盤性能差距不會太大，缺點是掉電容易丟數據，需要額外的掉電保護電路和在固件中加入掉電保護邏輯。
無緩存優勢是掉電相對不容易丟失數據，以及更好的成本控制，缺點就是4k性能會比較姿卜者難看，而且弊並性能一致性不夠好，不適合高負載的場合，比如資料庫伺服器等。
SSD的緩存分為兩種，一種是DRAM緩存，另一種是SLC緩存。
有些固態硬碟為了在節省成本的同時可以把DRAM緩存作為宣傳籌碼，選擇了不管何種容量都只配備256MB緩存的方式，這種情況下只能直接管理256GB的快閃記憶體空間，依然存在一些不足。
所以除了觀察固態硬碟是否搭載DRAM緩存晶元之外，大家還應通過晶元表面的編號查詢它的具體容量，確保買到的是按照1GB：1MB完整配備DRAM緩存的高性能產品。
目前SLC緩存基本所有TLC固態硬碟都有。目前大部分固態硬碟的SLC緩存，並不是真的使用了SLC顆粒作為緩存，而是使用TLC模擬SLC來提升連續讀寫速度。
5. 固態硬碟有緩存和沒有緩存有什麼區別
有外部緩存優勢是性能一致性更好，也就是空盤和滿盤性能差距不會太大，缺點是掉電容易丟數據，需要額外的掉電保護電路和在固件中加入掉電保護邏輯。
無緩存優勢是掉電相對不容易丟失數據，以及更好的成本控制，缺點就是4k性能會比較難看，而且性能一致性不夠好，不適合高負載的場合，比如資料庫伺服器等。
不過總之日常家用沒有任何區別就是了，東芝Q系列無緩存設計只是東芝對自家顆粒性能的自信以及節約成本的表現而已，家用不用糾結這些。
SSD的緩存分為兩種，一種是DRAM緩存，另一種是SLC緩存。
DRAM緩存是使用DRAM晶元（也就是內存顆粒）作為緩存，固態硬碟上的DRAM晶元一般不會用來直接緩存數據，DRAM主要是用來儲存FTL緩存映射表，這個映射表表達了快閃記憶體單元物理地址同文件系統邏輯地址之間的關系。
所有固態硬碟都有FTL映射表，不同之處在於無DRAM的SSD通常把表的主體放在快閃記憶體中，隨用隨取，效率較低。
高端固態硬碟會把FTL映射表完整地放入DRAM緩存中，通常需要按照1GB:1MB的比例配置DRAM緩存。
有些固態硬碟為了在節省成本的同時可以把DRAM緩存作為宣傳籌碼，選擇了不管何種容量都只配備256MB緩存的方式，這種情況下只能直接管理256GB的快閃記憶體空間，依然存在一些不足。
所以除了觀察固態硬碟是否搭載DRAM緩存晶元之外，大家還應通過晶元表面的編號查詢它的具體容量，確保買到的是按照1GB：1MB完整配備DRAM緩存的高性能產品。
目前SLC緩存基本所有TLC固態硬碟都有。目前大部分固態硬碟的SLC緩存，並不是真的使用了SLC顆粒作為緩存，而是使用TLC模擬SLC來提升連續讀寫速度。
TLC的讀寫速度較慢，為了提升連續寫入時固態硬碟的表現，主控會先將數據寫入SLC緩存中，當緩存寫滿後，才會像TLC快閃記憶體中寫入，這樣就會造成寫入速度的斷崖式下跌，此時的速度被稱為緩外速度，緩外速度的高低也是衡量SSD性能的重要指標。
假設一塊SSD配備10GB的SLC緩存，我向固態硬碟中寫入20GB的文件時，前10GB的數據先被寫入到緩存中，後10GB的數據則會直接寫入到TLC中。速度會呈現出下圖這種形式：
雖然日常不會經常向SSD中反復寫入大文件，但是緩存外寫入性能直接反映了NAND顆粒的品質以及GC策略的優劣。緩外速度高的SSD比速度低的盤質量要好。
6. 我的M.2固態硬碟是TLC類型，為什麼讀寫速度很快，感覺像SLC的
固態硬碟的讀寫速度與介面、協議、快閃記憶體類型、主控有關，目前TLC快閃記憶體的固態硬碟最強的應該是三星980PRO，讀取速度7000MB/S，寫入速度5000MB/S。你的固態硬碟讀寫速度是多少？能比這個還快？
7. TLC固態硬碟中的緩存有什麼用
TLC固態硬碟緩存是一個非常重要的元器件，緩存不僅可以提升TLC固態硬碟的性能，也能一定程度上延長TLC固態硬碟的壽命，就像浦科特的M7V緩存採用DDR3
256MB，搭配他們家的PlexNitro和PlexTurbo可以讓你的固態硬碟數據跑分爆表。
8. 我的iPhone 6是tlc內存，怎麼辦
有的小夥伴在看到網上的一些關於 TLC 的評測以後，內心充滿想要去換機的念頭。就目前而言，蘋果並未對快閃記憶體為 TLC的可以更換作出任何回應。如果你只是想憑此去更換機器的話，結果很明顯。當然，如果你的 iPhone6 正好遇到有其它的硬體性能故障的話，那恭喜你，你可以去找蘋果售後重新更換一部手機。如果更換回來的手機依然是 TLC 快閃記憶體的話，那估計這位小夥伴會瘋掉的。
此外，有的小夥伴在看了網上的有關 TLC 快閃記憶體的報道以後，突然之間，感覺自己的 iPhone6 開始卡頓了。其實個人認為這是一個心理作用，我的 iPhone6 64G 為 MLC 快閃記憶體，在平時使用時，也會遇到卡頓的情況。所以說，就卡頓而言，並不是只有在 TLC 上才出現，其它快閃記憶體類型上也會出現。其實，卡頓的話，一是跟你當前運行的應用有關系，二是跟蘋果的系統優化有一定的關系。
另外，有的小夥伴會相信網上的關於 TLC 使用壽命短的傳言，只能寫入500次數據，心理頓時一片灰暗，進而加深自己對於採用 TLC 快閃記憶體的 iPhone6 手機不好的認定。
上面說了這么多，可能很多小夥伴還是會堅決地認定 TLC 快閃記憶體不是不好。總結為二點，一是性能不好，二是壽命短。如果你也是這樣的想法，請大家繼續往下看一些關於快閃記憶體存儲方面的相關知識。正所謂，不到黃河不死心。
先向大家簡單說下快閃記憶體存儲的大體結構，它是由快閃記憶體顆粒晶元與主主控晶元組成的。從快閃記憶體晶元的壽命來講，SLC>MLC>TLC這是不爭的事實，但除了快閃記憶體自身的壽命而言，主控晶元對快閃記憶體的壽命有不可忽視的作用。
主控晶元的使命就是平均所有快閃記憶體單元的寫入次數，從而延長它的壽命。所以主控晶元的演算法在此時對於當前的快閃記憶體而言，就變得極為重要。可能有的小夥伴不太明白前面說了一些什麼？舉一個（個人認為）比較形象一點的例子，你現在有二個杯子，每個杯子可以使用3次，總共可以使用6次。如果你是一次性地使用一個杯子3次，那第一個杯子也就不能使用了，也就意味著它的壽命很短，就好比大家說的 TLC 快閃記憶體壽命短一樣。如果你是二個杯子換著用，這樣的結果使得二個杯子的使用壽命都得以延長。對於手機上的快閃記憶體而言，很少有人會把它全部用完，主控晶元會根據自身的優化演算法，盡量使用所有快閃記憶體單元（如之前例子中的杯子）達到平均的使用次數。由於快閃記憶體容量大了以後，有數以萬計的存儲單元，而並不是向我們之前例子中只有二個杯子，在經過主控寫入優化以後，均衡對快閃記憶體存儲單元進行寫入，這樣就會大大延長它的使用壽命。其實，當有了主控晶元的優化寫入以後，在我們向手機寫入500次以後，平均到快閃記憶體存儲單元的次數會遠遠小於500次。
所以快閃記憶體在實際的使用過程中，大多數情況是主控晶元壞了，快閃記憶體還沒壞，無論機器用的是 MLC 也好，還是 TLC 也罷，一旦負責快閃記憶體讀寫的主控罷工，手機都會壞掉。一塊快閃記憶體的壽命在理論上大概是在10年左右，試想一下，你的一部 iPhone6 會使用10年么？當前人們更換手機的速度，有一年一換的，最多也就不過三四年一換。對於這樣的更換手機周期的速度來算，無論是 MLC 還是 TLC 快閃記憶體，你都不要不必去擔心它的壽命。
9. 固態硬碟TLC和QLC有什麼不同
qlc好。區別如下：
1、穩定性與壽命方面
QLC由於單位存儲密度更大，是TLC的兩倍，所以其電壓更難控制，從而影響到性能以及穩定性；而Intel 660P采局纖用QLC快閃記憶體的寫入總數據量大約為100TBW，只是同樣容量西部數據SN500採用TLC快閃記憶體的三分之一左右，因而我們也能段臘行夠對比出QLC壽命相較於TLC會低很多。
2、性能方面
雖然採用QLC快閃記憶體顆粒的SSD在緩存容量內也能夠達到與TLC相近的讀寫速度，但是一旦緩存耗盡後其持續寫入速度將會大幅下跌，甚至速度會不敵傳統的機械硬碟。
3、成本方面
不過QLC快閃記憶體顆粒也不是沒握嘩有優勢，它的生產成本相較於TLC更低，雖然目前QLC的技術可能還不夠成熟，但是也許在未來隨著成本的下降，取代機械硬碟也不是沒有可能。當然，這還需要時間去驗證，作為消費的我們也不用著急，如果QLC技術發展更為成熟，肯定會有很多快閃記憶體廠商爭先恐後推出容量更大，價格更優的SSD。
10. tlc緩外速度有多少
一般來說，tlc固態緩外速度在1000M/s。
延展資料：緩外速度指硬碟模擬的slc緩存消耗完之後的連續寫入速度。
slc和mlc固態的速度曲線為一條直線，這個速度就是緩外速度，他們沒有模擬緩存，全盤都是直寫。tlc和qlc的固態會出臘宏現1-2次掉速，qlc和tlc固態不是全盤直扮爛寫的，因為輪缺冊這兩種顆粒直寫的速度比較拉垮，為了改善用戶體驗，廠家會先讓tlc顆粒按照slc模式工作一段時間，然後進行tlc直寫，磁碟接近滿盤時把一開始按照slc模式寫入的數據轉化成tlc模式，同時用tlc直寫填充最後剩餘的容量，這三段速度依次降低。我們常說的緩外速度一般是第二段和第三段。