㈠ AMD CPU過熱，是主板問題還是CPU還是風扇
1、老一代的CPU，因為AMD用的架構不同,集成比INTEL多的東西
如
HT匯流排
、
內存控制器
等，使CPU的
集成度
加大，晶體管多了，發熱也隨之增大。而INTEL的不同，FSB和內存控制器都在
主板北橋
里的，所以集成度不大，發熱也少很多。
2、如今新的CPU，intel也集成了內存控制器等，但是
發熱量
控制還是要比AMD的CPU好，那是因為Intel的製程工藝普遍是22nm和14nm，而AMD目前是28nm。第二intel都是低
外頻
高倍頻，而AMD正好相反。提高外頻需要加電壓多，所以溫度高。
3、如今AMD在走當年intel的老路了，高頻低能長流水線。且AMD的cpu一般緩存都比較大，高主頻與大緩存也讓處理器功耗大漲。
4、核心數量的關系。核心越多，且主頻越高，發熱量越大。如今AMD為了體現性價比優勢，打著雙打單，四打二的方法，導致堆疊的核心越多，發熱量越大
㈡ 為什麼amd的緩存比intel的高那麼多特別是二級緩存謝謝了，大神幫忙啊
AMD 緩存設計主要靠一二級的，就像倉庫，一級是小倉庫，放不下了就輪到二級，因為一級緩存成本高，所以靠二級，二級越大越好，但AMD的三級緩存由於構架問題導致速度不快(比二級慢很多)在游戲上有提升 ,不是特別重要,一般二緩單個核心是 512K或1M/英特爾設計是一級放指令的代號(目錄)而不是數據,二三級才是放數據的,速度也差不多,三緩越大越好
㈢ amd無限緩存怎麼開
AMD無限緩存開啟方法:
進bios，進入advanced。
在advanced的PCI settings裡面找到above 4G Deconding。
將選項選擇為Enabled。
打開之後就會有個 Re-Size BAR Support，也一樣的打開，選擇auto就行了。
AMD RDNA2架構的一個獨特亮點就是加入了無限緩存(Infinity Cache)，只需不高的顯存位寬、帶寬即可滿足性能需求，而且容量越大、游戲解析度越高，效果越明顯。
下一代的RNDA3架構必然延續這一設計，並繼續做大，而在銳龍、霄龍准備加入3D堆疊緩存的同時，RDNA3也會效仿。
據曝料，AMD RDNA3架構會融入3D堆疊的無限緩存，而且容量最高達512MB，是目前的整整4倍。
總結如下：
Navi 31大核心擁有完整的512MB，Navi 32、Navi 33會分別精簡到384MB、256MB。
至於顯存，預計它們會分別是256-bit、192-bit、128-bit的位寬，繼續使用GDDR6，而不需要上更高頻率的GDDR6X。
不過值得一提的是，Navi 31本身還會採用MCM雙芯整合封裝方式，等於每個核心的無限緩存還是256MB。
㈣ amd無限緩存怎麼開
AMD無限緩存開啟方法:
進bios，進入advanced。
在advanced的PCI settings裡面找到above 4G Deconding。
將選項選擇為Enabled。
打開之後就會有個 Re-Size BAR Support，也一樣的打開，選擇auto就行了。
AMD RDNA2架構的一個獨特亮點就是加入了無限緩存(Infinity Cache)，只需不高的顯存位寬、帶寬即可滿足性能需求，而且容量越大、游戲解析度越高，效果越明顯。
下一代的RNDA3架構必然延續這一設計，並繼續做大，而在銳龍、霄龍准備加入3D堆疊緩存的同時，RDNA3也會效仿。
據曝料，AMD RDNA3架構會融入3D堆疊的無限緩存，而且容量最高達512MB，是目前的整整4倍。
總結如下：
Navi 31大核心擁有完整的512MB，Navi 32、Navi 33會分別精簡到384MB、256MB。
至於顯存，預計它們會分別是256-bit、192-bit、128-bit的位寬，繼續使用GDDR6，而不需要上更高頻率的GDDR6X。
不過值得一提的是，Navi 31本身還會採用MCM雙芯整合封裝方式，等於每個核心的無限緩存還是256MB。
㈤ AMD的CPU為什麼發熱大
1、老一代的CPU，因為AMD用的架構不同,集成比INTEL多的東西 如HT匯流排、內存控制器等，使CPU的集成度加大，晶體管多了，發熱也隨之增大。而INTEL的不同，FSB和內存控制器都在主板北橋里的，所以集成度不大，發熱也少很多。
2、如今新的CPU，intel也集成了內存控制器等，但是發熱量控制還是要比AMD的CPU好，那是因為Intel的製程工藝普遍是22nm和14nm，而AMD目前是28nm。第二intel都是低外頻高倍頻，而AMD正好相反。提高外頻需要加電壓多，所以溫度高。
3、如今AMD在走當年intel的老路了，高頻低能長流水線。且AMD的cpu一般緩存都比較大，高主頻與大緩存也讓處理器功耗大漲。
4、核心數量的關系。核心越多，且主頻越高，發熱量越大。如今AMD為了體現性價比優勢，打著雙打單，四打二的方法，導致堆疊的核心越多，發熱量越大。
㈥ zen+3D 功耗
zen3D功耗600W。AMD將會把3D堆疊緩存加入到Zen3加處理器之中，從而提升CPU的性能，然而或許是製程的限制，這一代處理器的功耗還是出現了極大的提升，現在更是有消息稱AMD未來要發布的EPYC處理器的功耗將會達到600瓦。
zen3D的特點
AMD表示他們選擇了9微米的微凸點μbump間距，這比未來10微米的英特爾FoverosDirect技術要密集一些。AMD展示了現有和未來的3D堆疊技術，隨著垂直晶圓間或晶元間連接的TSVThroughSiliconVia鍵合量的增加，該技術將專注於更復雜的3D堆疊設計。
IT之家了解到，AMD還列出了所有現有的堆疊技術，包括英特爾的fooverosEMIB技術，這意味著AMD考慮在其處理器中使用這種技術AMD預計其3D晶元堆疊技術將提供3倍的互連能效和15倍的互連密度。