『壹』 DDR10的內存，什麼時候到來
永遠不會。未來的內存將集成到CPU中
『貳』 內存的性能指標有那些
內存的性能指標有規格、運行頻率、容量和CL延遲。
規格如DDR、DDR2、DDR3和DDR4。DDR4最先進。
運行頻率如2800MHz、2666MHz、2400MHz、2133MHz、2000MHz、1866MHz、1600MHz、1333MHz、1066MHz、800MHz、667MHz。頻率越高速度越快。
容量如512MB、1GB、2GB、4GB、8GB、16GB等。容量較大的好。
CL延遲如2-2-2-5、10-10-10-30 、11-11-11-28等。數字越小，代表反應所需的時間越短。
『叄』 DDR內存條的顆粒是什麼
哎呀~~~~摘抄的 自己看吧！ 哈
內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的變革，可謂風風雨雨一路發展而來.前面老的封裝方式，就不說了，都成了歷史。
就簡單介紹一下CSP吧，CSP是我們的明日之星，大家都知道，封裝面積與晶元的面積比越接近1：1越完美，那麼CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經相當接近1：1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。這樣在相同體積下，內存條可以裝入更多的晶元，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍
內存編碼含義
Samsung
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
Hynix(Hyundai)現代
現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品
2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元
10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
Infineon（億恆）
Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
KINGMAX、kti
KINGMAX內存的說明
Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
Winbond（華邦）
含義說明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
『肆』 DDR與緩存是不是一個慨念
你好！
不是一個慨念。DDR是內存的一種技術，有DDR1，DDR2，DDR3等，一般是指內存條或顯卡的顯存使用的技術。緩存是數據緩沖存儲的慨念
僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。
『伍』 DDR2 DDR3 DDR5 有哪些不一樣啊 內存里說的3級緩存在哪裡能看
內存沒有什麼3級緩存，內存就是內存，3級緩存指的是CPU的參數。
DDR
DDR2
DDR3
DDR4
DDR5，目前內存還只到DDR3，只有顯卡上的顯存(與內存其實是一樣的東西)才到了DDR5，這幾代內存差別蠻多，最重要的一點是預讀不一樣，DDR內存不預讀，DDR2內存預讀2bit，DDR3預讀4bit，內存的頻率其實是固定幾個的，一般有266
333
400這三個頻率，乘以它的預讀就是它的實際頻率，所以
DDR內存一般有
266MHz、333MHz、400MHZ這幾個規格;
DDR2內存有
533MHz、667MHz、800MHz這幾個;
DDR3內存有
1066MHz、1333MHz、1600MHz這幾個。
可以很直接的看出他們的關系，一般說來同一代內存裡面頻率越高性能越好，比如說DDR2
800的好於DDR2
667的，但是不同代數的內存之間就不一定了，因為它們預讀不一樣，預讀越多反應越慢，有時候市場上有那種超頻內存，比如說DDR2
1200MHz的內存，它的性能是比DDR3
1333MHz內存要好的。所以超頻內存一般都很貴，你到網上搜下DDR2
2000MHz的內存和1600的內存價格完全不是一個等級的。。
『陸』 DDR與緩存是不是一個慨念
不是一個概念，但是有關聯！
DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM是的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
緩存是指臨時文件交換區，電腦把最常用的文件從存儲器里提出來臨時放在緩存里，就像把工具和材料搬上工作台一樣，這樣會比用時現去倉庫取更方便。因為緩存往往使用的是RAM（斷電即掉的非永久儲存），所以在忙完後還是會把文件送到硬碟等存儲器里永久存儲。電腦里最大的緩存就是內存條了，最快的是CPU上鑲的L1和L2緩存，顯卡的顯存是給GPU用的緩存，硬碟上也有16M或者32M的緩存。千萬不能把緩存理解成一個東西，它是一種處理方式的統稱！
『柒』 DDR內存是什麼緩存是什麼
CPU緩存（Cache Memory）位於CPU與內存之間的臨時存儲器，它的容量比內存小但交換速度快。在緩存中的數據是內存中的一小部分，但這一小部分是短時間內CPU即將訪問的，當CPU調用大量數據時，就可避開內存直接從緩存中調用，從而加快讀取速度。由此可見，在CPU中加入緩存是一種高效的解決方案，這樣整個內存儲器（緩存+內存）就變成了既有緩存的高速度，又有內存的大容量的存儲系統了。緩存對CPU的性能影響很大，主要是因為CPU的數據交換順序和CPU與緩存間的帶寬引起的。
緩存的工作原理是當CPU要讀取一個數據時，首先從緩存中查找，如果找到就立即讀取並送給CPU處理；如果沒有找到，就用相對慢的速度從內存中讀取並送給CPU處理，同時把這個數據所在的數據塊調入緩存中，可以使得以後對整塊數據的讀取都從緩存中進行，不必再調用內存。
正是這樣的讀取機制使CPU讀取緩存的命中率非常高（大多數CPU可達90%左右），也就是說CPU下一次要讀取的數據90%都在緩存中，只有大約10%需要從內存讀取。這大大節省了CPU直接讀取內存的時間，也使CPU讀取數據時基本無需等待。總的來說，CPU讀取數據的順序是先緩存後內存。
『捌』 我電腦上的內存是DDR3 4G 1333MHZ的,請問可以換成1866MHZ嗎
換是沒有問題的，但是沒有那個必要。你主板的內存控制器最高就支持ddr3 1066，也就是說無論你內存有多快都只能降頻到1066的速度使用
『玖』 Win10系統可以和DDr3內存條一起使用嗎
可以呀
現在華為筆記本用的就是ddr3l
ddr3的優勢是功耗低
其實我的電腦也在用ddr3
緩存好像是還是1333
不過用這個最好16G，才會輕松運行win10
當然了，也要看看自己的主板和處理器是否支持
不然白買了