❶ cache在計算機中 指什麼
cache是指高速緩沖存儲器。
高速緩沖存儲器是存在於主存與CPU之間的一級存儲器， 由靜態存儲晶元(SRAM)組成，容量比較小但速度比主存高得多， 接近於CPU的速度。主要由三大部分組成：Cache存儲體、地址轉換部件、替換部件。
(1)緩存存儲器是哪種類型存儲器擴展閱讀：
Cache 位於 CPU 和內存之間，可以節省 CPU 從外部存儲器讀取指令和數據的時間。在 CPU 執行程序過程中，需要從主存取指令或寫數據時，先檢查 cache 中有沒有要訪問的信息，若有，就直接在 cache 中讀寫，而不用訪問主存儲器。
若沒有，再從主存中把當前訪問信息所在的一個一個主存塊復制到 cache 中。因此，cache 中的內容是主存中部分內容的副本。值得注意的是，cache 對程序員在編寫高級或低級語言程序時是透明的，因此程序員無需了解 cache 是否存在或者如何設置，感覺不到 cache 的存在。
參考資料來源：網路-高速緩沖存儲器
❷ 緩存存儲器是半導體存儲器嗎
緩存存儲器是半導體存儲器。
對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
緩存存儲器工作原理：
高速緩沖存儲器通常由高速存儲器、聯想存儲器、替換邏輯電路和相應的控制線路組成。在有高速緩沖存儲器的計算機系統中，中央處理器存取主存儲器的地址劃分為行號、列號和組內地址三個欄位。於是，主存儲器就在邏輯上劃分為若干行。
每行劃分為若乾的存儲單元組；每組包含幾個或幾十個字。高速存儲器也相應地劃分為行和列的存儲單元組。二者的列數相同，組的大小也相同，但高速存儲器的行數卻比主存儲器的行數少得多。
❸ cache是由什麼存儲器組成
這個存儲器的組成也是非常復雜的，因為它有很多的零部件組成的。
計算機的存儲器可分成內存儲器和外存儲器。內存儲器在程序執行期間被計算機頻繁地使用，並且在一個指令周期期間是可直接訪問的。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁碟中讀取信息。這與學生在課堂上做筆記相類似。如果學生沒有看筆記就知道內容，信息就被存儲在「內存儲器」中。如果學生必須查閱筆記，那麼信息就在「外存儲器」中。[3]
內存儲器有很多類型。隨機存取存儲器( RAM)在計算期間被用作高速暫存記憶區。數據可以在RAM中存儲、讀取和用新的數據代替。當計算機在運行時RAM是可得到的。它包含了放置在計算機此刻所處理的問題處的信息。大多數RAM是「不穩定的」，這意味著當關閉計算機時信息將會丟失。只讀存儲器(ROM)是穩定的。它被用於存儲計算機在必要時需要的指令集。存儲在ROM內的信息是硬接線的」（即，它是電子元件的一個物理組成部分），且不能被計算機改變（因此稱為「只讀」）。可變的ROM，稱為可編程只讀存儲器(PROM)，可以將其暴露在一個外部電器設備或光學器件（如激光）中來改變。[3]
數字成像設備中的內存儲器必須足夠大以存放至少一幅數字圖像。一幅512 x512 x8位的圖像需要1/4兆位元組。因此，一台處理幾幅這樣的圖像的成像設備需要幾兆位元組的內存。所以說要組成的他也是非常的大。
❹ 存儲器的類型
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。
1 RAM
易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。
DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。
FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。
目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。
❺ 計算機的存儲器有哪兩種
電腦中的存儲器大致可劃分為兩大類：一類是主存，即內存；一類是輔存，即外存。
二者的重要區別之一，就在於他們與CPU之間的物理連接方法不同。與CPU地址線直接相連的存儲器就是內存，而通過介面與CPU間接相連的存儲器就是外存。連接方式的不同，直接導致了二者與CPU之間通信方法的不同。
電腦中的存儲器是用來存儲計算機信息的。存儲器是電腦系統不可缺少的組成部分之一。
(5)緩存存儲器是哪種類型存儲器擴展閱讀：
電腦存儲器特點：
1、內存（主存）。內存又分為隨機讀寫存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）。前者主要用於大容量內存儲器和調整緩沖存儲器；後者用於存放專用的固定程序。
2、外存（輔存）。外存包括磁碟、磁帶、光碟和U盤等，特點是容量大、價格低，但存取速度較低。磁碟是最常用的外存，一般分為軟磁碟和硬磁碟兩類。
硬碟屬於外部存儲器，機械硬碟由金屬磁片製成，而磁片有記憶功能，所以儲到磁片上的數據，不論在開機，還是關機，都不會丟失。
硬碟容量很大，已達TB級，尺寸有3.5、2.5、1.8、1.0英寸等，介面有IDE、SATA、SCSI等，SATA最普遍。移動硬碟是以硬碟為存儲介質，強調便攜性的存儲產品。
市場上絕大多數的移動硬碟都是以標准硬碟為基礎的，而只有很少部分的是以微型硬碟（1.8英寸硬碟等）為基礎，但價格因素決定著主流移動硬碟還是以標准筆記本硬碟為基礎。
❻ 計算機存儲器可分為哪幾類只要區別是什麼
計算機存儲器可分為內存和外存兩大類。
內存和外存的區別：
1，性質不同：
外部存儲器是指除計算機存儲器和CPU緩存以外的存儲器，在斷電後仍能存儲數據。常用外存包括硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
存儲器是計算機中最重要的部件之一。它是與CPU通信的橋梁。計算機中的所有程序都在內存中運行，因此內存的性能對計算機有很大的影響。
2，信息存儲方面不同：
計算機完成作業後，內存存儲設備不需要存儲任何信息。因此，如果內存中沒有信息，則在內存中找不到所需的內容。無法保存在內存模塊上。
保存的信息只能保存在外部存儲器中，如U盤和軟盤。同時，外部存儲容量大，便於攜帶，您可以隨時找到想要的存儲信息。
3，兩者的運行速度不同：
外部存儲器可以長期保存數據，交換速度比較慢，存儲器的交換速度很快，但文件不能永久保存，斷電文件消失。
內存作為一種臨時存儲設備，在計算數據或執行程序時是一種臨時存儲設備。在日常生活中，它不適合長期存儲設備，因此使用時間有限。
(6)緩存存儲器是哪種類型存儲器擴展閱讀：
內存的工作速度和存儲容量對系統的整體性能、系統的規模和效率都有很大的影響。存儲器是由大規模集成電路構成的半導體存儲器。它可以分為RAM和ROM。
RAM中的信息可以隨機讀寫，但不能長期保存。一旦電源關閉，RAM中的信息將不會被保存。
隨機存取存儲器所採用的存儲單元工作原理的不同又分為靜態隨機存儲器SRAM和靜態隨機存器DRAM。
SRAM採用穩態電路（如觸發器）作為存儲單元，在正常工作狀態下存儲信息，保持穩定，可多次讀取，存取速度比DRAM快，但由於單元電路的復雜性，集成度低於DRAM，價格較高。
❼ 哪種類型的存儲器主要用作緩存存儲器
CPU緩存（Cache Memoney）就是位於CPU與內存之間的緩存存儲器，它的容量比內存小但數據交換速率卻快很多。
緩存的工作原理是當CPU要讀取一個數據時，首先從緩存中查找，如果找到就立即讀取並送給CPU處理；如果沒有找到，就用相對慢的速度從內存中讀取並送給CPU處理，同時把這個數據所在的數據塊調入緩存中，可以使得以後對整塊數據的讀取都從緩存中進行，不必再調用內存。
(7)緩存存儲器是哪種類型存儲器擴展閱讀：
處理器緩存的傳輸速率確實很高，然而還不足以取代內存的地位，這主要是由於緩存只是內存中少部分數據的復製品，所以CPU到緩存中尋找數據時，也會出現找不到的情況（因為這些數據沒有從內存復制到緩存中去），這時CPU還是會到內存中去找數據。
與此同時系統的速度就慢了下來，不過CPU會把這些數據復制到緩存中去，以便下一次不用再到內存中去取。就目前緩存容量、成本以及功耗表現來看，還遠遠無法與內存抗衡，另外從某種意義上來說，內存也是處理器緩存的一種表現形式，只不過在速率上慢很多，然而卻在容量、功耗以及成本方面擁有巨大優勢。
❽ 存儲器可分為哪三類
存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。
一、按存儲介質劃分
1. 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
2. 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
二、按存儲方式劃分
1. 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
2. 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。
三、按讀寫功能劃分
1. 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
2. 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的存儲器。
二、選用各種存儲器，一般遵循的選擇如下：
1、內部存儲器與外部存儲器
一般而言，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此用戶必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，用戶通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器。
2、引導存儲器
在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，用戶可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。
3、配置存儲器
對於現場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(SoC)，可以使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。大多數情況下，FPGA採用SPI介面，但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。
4、程序存儲器
所有帶處理器的系統都採用程序存儲器，但是用戶必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後，用戶才能進一步確定存儲器的容量和類型。
5、數據存儲器
與程序存儲器類似，數據存儲器可以位於微控制器內部，或者是外部器件，但這兩種情況存在一些差別。有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器，但有時不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。
6、易失性和非易失性存儲器
存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電後將丟失數據，而後者在斷電後仍可保持數據。用戶有時將易失性存儲器與後備電池一起使用，使其表現猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。
7、串列存儲器和並行存儲器
對於較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器。這時必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。
8、EEPROM與快閃記憶體
存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器（比如EEPROM和快閃記憶體）組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，並像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。
參考資料來源：網路——存儲器
❾ 用作高速緩存的存儲器一般是
SRAM。
靜態隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。
然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。
SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種。
(9)緩存存儲器是哪種類型存儲器擴展閱讀：
SRAM的問題：
1、採用FinFET晶體管的最新CMOS技術，單元尺寸的效率越來越低。
平面到FinFET的轉變對SRAM單元的布局效率具有顯著影響。使用FinFET的臨界間距逐漸縮小導致SRAM單元尺寸減小迅速減慢。考慮到對更大的片上SRAM容量的不斷增長的需求，這種情況的時機不會更糟。距離SRAM將占據DSA處理器大小的情況並不遙遠。
2、從正電源通過SRAM單元流到地的漏電流。
其中很大一部分原因是亞閾值晶體管泄漏呈指數級溫度激活，這意味著隨著晶元變熱，它會急劇增加。這導致能量浪費，因為它沒有任何有用的工作。雖然通常稱為靜態功耗，但這種泄漏也會在SRAM處於有效使用狀態時發生，並形成浪費能量的下限。
❿ 集成在CPU的一級,二級.緩存是什麼類型的存儲器
CPU的速度在電腦里是最快的，其他的配件包括內存，硬碟更不上CPU，於是才有了緩存這個概念。L1,L2相當於CPU和外置內置存儲器的媒介。
語文表達不行，不好別噴我啊。