『壹』 NPN三極體的問題!!!!!
從線路邏輯上看，通過IN控制發射極接地或者接24V來實現OUT輸出5V和低電平，是可行的。存在的問題可能是：這個NPN三極體的EB結耐壓有點要求苛刻，一般NPN三極體的EB結耐壓多為6V左右，超過8V的少見。你這里如果加上24V電壓，EB結擊穿了是很可能發生的。
『貳』 用9013三極體做共射放大電路，怎麼樣設置偏置RcRb電阻值，電源用6伏
給你一個參考電路。
本電路中Rc用1至2K歐，發射極電阻Re用300歐姆，上偏置電阻用50K歐，下偏置電阻用10K歐。供電用6V時，靜態工作電流約為1mA.
『叄』 怎樣使三極體處於最佳放大狀態
三極體最佳放大狀態要考慮以下幾種情況：
1、工作頻率：
選取的三極體截止頻率要大於電路的工作頻率
2、三極體的靜態電流：
電路中三極體的靜態電流要選取在β值較均勻的那一段。（這個就要參考使用的晶體管參數曲線）
3、考慮前後級輸入、輸出阻抗的匹配。
4、輸出動態范圍：
如一樓所說，靜態電壓取1/2Vcc，這樣可以取得最大的動態范圍。
5、環境溫度影響：
環境溫度影響可以在電路設計時予以考慮，使環境溫度產生的溫漂現象減低到可容許的范圍。
(3)怎麼配置三極體擴展閱讀：
三極體的主要參數：
特徵頻率：當f=fT時，三極體完全失去電流放大功能.如果工作頻率大於fT，電路將不正常工作。
fT稱作增益帶寬積，即fT=βfo。若已知當前三極體的工作頻率fo以及高頻電流放大倍數，便可得出特徵頻率fT。隨著工作頻率的升高，放大倍數會下降．fT也可以定義為β=1時的頻率。
電壓/電流：用這個參數可以指定該管的電壓電流使用范圍。
hFE：電流放大倍數。
VCEO：集電極發射極反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓。
PCM：最大允許耗散功率。
封裝形式：指定該管的外觀形狀，如果其它參數都正確，封裝不同將導致組件無法在電路板上實現。
『肆』 三極體各極的電阻怎樣設置
首先要明白 放大和開關的工作狀態
開關就是在截止和飽和導通之間切換，所以放大時，集電極電流未飽和，開關時，集電極電流飽和了。
可以根據集電極飽和電流確定偏置電阻。
如圖。飽和電流 VCC/R1=5MA
假設三極體放大倍數為100，那麼飽和時基極電流為50UA，那麼此時基極電阻應為VCC/50UA=100K。這是一個臨界值。大於此值，電流不會飽和，處於放大狀態，小於此值，電流就會飽和了，三極體可以工作在開關狀態，。圖中，三極體就是開關了！
三極體基極和發射極之間就是一個正向的PN結，不論是開關還是放大，管子都是導通的，也就是說PN結導通，壓降為0.7.也就是UBE被鉗制在0.7V
『伍』 NPN三極體現在代換用PNP的接法是下圖那樣嘛
通常情況下不會用NPN和PNP互相代換的。其原因:
1，一個三極體在電路中正常工作是需要配置各極電壓的，所以外圍還有很多元件為其服務。而NPN和PNP的參數相差甚遠，所以代換時還要對外圍元件做相應改動。
2.常用的三極體價格低廉，同種相近性能的管子能找到很多，也就不用改動外圍配置，直接代換就可以了。
『陸』 multisim 虛擬三極體
沒看到電路很難判斷原因。在三極體的參數中，比較重要的是電流放大倍數，在spice中是BF，三極體的默認參數中電流放大倍數是100，所謂的虛擬三極體實際是全部參數取默認值的默認三極體（use default）。按照你用的實際器件改下這個參數試試吧！
『柒』 三極體的作用是什麼呢 加上拉 下拉電阻為啥呢
三極體是個開關。。基極高電平。晶元2 3腳低電平。。基極低電平。晶元2 3腳，高電平。。至於晶元的2 3腳高低電平有啥作用。。去翻晶元資料。。。
上拉電阻是增加輸出電流的、或者穩定電平的。 不知道你的後接電路不好判斷。。